【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微机电系统，具体涉及一种mems凸块制造实现倒装结构。
技术介绍
1、mems(micro-electro-mechanical system)即微机电系统，是指集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件或系统。
2、在科技的高速发展下，电子产品器件的使用频率不断提高，电子器件的体积逐渐向小型化发展，现有技术方案为正装结构，采用引线键合实现电气互联，存在如下技术缺点：
3、1、散热性能差：正装产品主要依靠键合线与ic底部粘接胶实现散热，粘接胶导热性能差，而键合线数量线径小，切导热路径长，导热效率低，导致正装mems产品整体散热效果差；
4、2、生产效率低，生产成本高，正装产品mems产品需要经过点粘接胶、放置mems、烘烤固化粘接胶、焊接多根键合线，总体生产效率底，需要投入大量的机台和操作人员，导致整体生产成本偏高；
5、3、可靠性低，正装产品需要打多根引线，引线键合过程对线材表面容易造成损伤，焊接是利用热、压力、超声波能量为使金属引线与pcb焊盘、芯片pad之间紧密焊合，粘接面氧化、脏污等容易造成金属接合面虚焊，进而导致产品在应用过程中，因热胀冷缩导致键合线断裂失效；
6、4、产品体积偏大，不易实现器件微型化，正装产品需要引线键合，需要预留一定的打线空间，造成产品不易实现尺寸微型化。
技术实现思路
1、为解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种mems凸块制造实现倒装结构，包括pcb板，所述pcb板的上端中间设置有mems芯片，mems芯片的底部四周设置有焊接凸块，pcb板的表面两侧对称设置有若干开窗焊盘，焊接凸块与开窗焊盘之间通过导电焊料连接，pcb板中间设置有与两端开窗焊盘连接的导电体。
3、优选的，所述焊接凸块采用采取光刻电镀或化学镀工艺制成。
4、优选的，所述焊接凸块包括ti、ni、cu、sn、au、pt、pd、ag中的一种或多种组合。
5、优选的，所述导电焊料由锡膏和导电胶构成。
6、优选的，所述pcb板位于mems芯片的一侧设置有第一腔体，第一腔体与pcb板之间形成第一腔室。
7、优选的，所述第一腔体的外侧设置有第二腔体，第二腔体与pcb板之间形成第二腔室，第二腔体由带状件弯折成型，第二腔体设有两个相对设置的开口结构。
8、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
9、1、本专利技术具有良好散热性能，mems制造焊接凸块，实现倒装结构后，芯片焊接凸块直接与pcb焊盘相连，属于大面积金属结合，热阻低，导热面积大，散热性能好；
10、2、本专利技术生产成本低，倒装工艺不需焊线工艺，装片完成后便可塑封，只有两个环节，节约人工成本以及设备成本，制程效率提高，总体生产成本低；
11、3、本专利技术可靠性高，芯片焊接凸块直接与pcb焊盘实现金属结合，焊接面积大，抗应力冲击远高于正装产品，整体可靠性高；
12、4、本专利技术实现器件微型化，不需要再预留打线空间，器件尺寸可以无限接近芯片尺寸，容易实现器件微型化。
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1.一种MEMS凸块制造实现倒装结构，包括PCB板，其特征在于：所述PCB板的上端中间设置有MEMS芯片，MEMS芯片的底部四周设置有焊接凸块，PCB板的表面两侧对称设置有若干开窗焊盘，焊接凸块与开窗焊盘之间通过导电焊料连接，PCB板中间设置有与两端开窗焊盘连接的导电体。
2.根据权利要求1所述的一种MEMS凸块制造实现倒装结构，其特征在于：所述焊接凸块采用采取光刻电镀或化学镀工艺制成。
3.根据权利要求1所述的一种MEMS凸块制造实现倒装结构，其特征在于：所述焊接凸块包括Ti、Ni、Cu、Sn、Au、Pt、Pd、Ag中的一种或多种组合。
4.根据权利要求1所述的一种MEMS凸块制造实现倒装结构，其特征在于：所述导电焊料由锡膏和导电胶构成。
5.根据权利要求1所述的一种MEMS凸块制造实现倒装结构，其特征在于：所述PCB板位于MEMS芯片的一侧设置有第一腔体，第一腔体与PCB板之间形成第一腔室。
6.根据权利要求5所述的一种MEMS凸块制造实现倒装结构，其特征在于：所述第一腔体的外侧设置有第二腔体，第二腔体与PCB板之间
...【技术特征摘要】
1.一种mems凸块制造实现倒装结构，包括pcb板，其特征在于：所述pcb板的上端中间设置有mems芯片，mems芯片的底部四周设置有焊接凸块，pcb板的表面两侧对称设置有若干开窗焊盘，焊接凸块与开窗焊盘之间通过导电焊料连接，pcb板中间设置有与两端开窗焊盘连接的导电体。
2.根据权利要求1所述的一种mems凸块制造实现倒装结构，其特征在于：所述焊接凸块采用采取光刻电镀或化学镀工艺制成。
3.根据权利要求1所述的一种mems凸块制造实现倒装结构，其特征在于：所述焊接凸块包括ti、ni、cu、sn、au、pt...
【专利技术属性】
技术研发人员：李振宁，李昊，张琦伟，林彦宇，
申请(专利权)人：广西华芯振邦半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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