具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法和基体技术

本发明专利技术提供一种具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法和基体，加工方法包括：提供单晶材料基体，包括在单晶材料基体的厚度方向上由上至下排布的第一区域和第二区域；在第一区域的表面形成图形化的掩膜层；掩膜层具有若干第一图形；以掩膜层为掩膜刻蚀第一区域，使第一区域形成若干初始通孔；在初始通孔的侧壁形成保护层，保护层暴露出初始通孔底部的第二区域的表面；以掩膜层和保护层为掩膜刻蚀第二区域，使初始通孔在第二区域形成贯穿第二区域的扩孔区，从而形成包括初始通孔和扩孔区的深层形变通孔；其中，扩孔区在掩膜层的投影的形状与第一图形的形状不同，且面积大于第一图形。本发明专利技术发可在单晶材料基体中形成自上而下结构有变化的通孔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体材料加工，具体涉及一种具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法和基体。

技术介绍

1、现有的主要以实现通孔和深槽结构为目的的深刻蚀工艺中，可以实现实现至上而下截面形貌不变的柱状、孔状、槽体结构等的通孔和深槽结构。但是，现有技术形成的通孔或深槽结构较简单，只能形成至上而下截面形貌不变的结构。对于一些特定的需求，例如mems工艺等以晶体材料作为衬底的应用中实现硅通孔由相互分立到相互连通的特殊结构，或是实现至上而下，占空比不同的通孔结构，又或是实现形貌由圆形到方形变化的通孔结构等，现有工艺技术难以满足需求。

2、因此需要一种方案以解决晶体材料加工工艺中难以形成自上而下结构有变化的通孔的问题。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种方案，以解决晶体材料加工工艺中难以形成自上而下结构有变化的通孔的问题。

2、本专利技术提供一种具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法，包括以下步骤：提供单晶材料基体，所述单晶材料基体包括在单晶材料基体的厚度方向上由上至下排布的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法，其特征在于，

7.根据权利要求4所述的具有深层形变通孔的单...

【技术特征摘要】

1.一种具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法，其特征在于，

7.根据权利要求4所述的具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法，其特征在于，

8.根据权利要求4所述的具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法，其特征在于，

9.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟利园，李西军，曹杰，王云生，苏德香，李冉冉，张公开，
申请(专利权)人：西湖大学，
类型：发明
国别省市：