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本发明提供一种具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法和基体，加工方法包括：提供单晶材料基体，包括在单晶材料基体的厚度方向上由上至下排布的第一区域和第二区域；在第一区域的表面形成图形化的掩膜层；掩膜层具有若干第一图形；以掩膜层为掩膜刻蚀第一...
该专利属于西湖大学所有，仅供学习研究参考，未经过西湖大学授权不得商用。

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