【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件及其封装，其主要涉及柔性分立器件或柔性集成电路的制造及完成其相应的柔性封装，包括晶圆的减薄、晶圆级的柔性封装、以及划道分离裂片实现柔性分立器件芯片或柔性集成电路芯片的制造。
技术介绍
1、柔性电子是将有机/无机薄膜电子器件制作在柔性材料上。近年来，柔性电子芯片在可植入医疗设备、可穿戴智能器件、柔性传感器、太阳能电池、发光器件和生物应用等方面的应用越来越广泛，柔性电子器件的研究和制造也越来越重要。
2、现今，90％以上的主流芯片仍采用硅基等硬质材料制备。但当硬质的硅晶圆减薄到50um后，超薄硅芯片就具有一定的柔性特征。故而芯片柔性化的关键技术在于：高成品率的超薄硅晶圆减薄工艺，及减薄后超薄芯片的封装。
3、现阶段，芯片柔性化的主流方案便是基于硅晶圆减薄技术。晶圆减薄技术不仅能实现硅质芯片的柔性化，同时还有着非常多的优势。在功率器件的应用中，芯片的发热区有百分之八十以上是由硅芯片产生的，其自身的热阻率较大，当完成晶圆减薄后，可以大幅度的降低芯片热阻，由此便可以降低工作时器件的结温，进而提高器件...
【技术保护点】
1.一种半导体分立器件或集成电路柔性封装方法，其特征在于包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种半导体分立器件或集成电路柔性封装方法，其特征在于，在步骤S2中，覆盖光敏聚酰亚胺薄膜的方法可选择为旋转涂覆或压膜。
3.根据权利要求1所述的一种半导体分立器件或集成电路柔性封装方法，其特征在于，在步骤S2中，覆盖的光敏聚酰亚胺薄膜的厚度可选择为30-50μm。
4.根据权利要求1所述的一种半导体分立器件或集成电路柔性封装方法，其特征在于，在步骤S3中，可根据覆盖的聚酰亚胺薄膜的厚度选择进行单次或多次光刻，直到刻出原芯片压焊区，光刻形状
【技术特征摘要】
1.一种半导体分立器件或集成电路柔性封装方法，其特征在于包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种半导体分立器件或集成电路柔性封装方法，其特征在于，在步骤s2中，覆盖光敏聚酰亚胺薄膜的方法可选择为旋转涂覆或压膜。
3.根据权利要求1所述的一种半导体分立器件或集成电路柔性封装方法，其特征在于，在步骤s2中，覆盖的光敏聚酰亚胺薄膜的厚度可选择为30-50μm。
4.根据权利要求1所述的一种半导体分立器件或集成电路柔性封装方法，其特征在于，在步骤s3中，可根据覆盖的聚酰亚胺薄膜的厚度选择进行单次或多次光刻，直到刻出原芯片压焊区，光刻形状可为方形或圆形。
5.根据权利要求1所述的一种半导体分立器件或集成电路柔性封装方法，其特征在于，在步骤s4中，所述电镀金属柱高度可以为30-50μm，与聚酰亚胺薄膜表面齐平。
6.根据权利要求1所述的一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵建明，卢潇，徐开凯，李鑫煜，李则鹏，唐宇，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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