【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种显示装置，特别是有关于一种包含遮光单元的显示装置。
技术介绍
1、微型发光二极管(micro-led)显示装置具有省电、高效率、高亮度及反应时间快等优点。为了实现巨量转移，目前的转移过程中，会采用蚀刻方式将转移至定位载板的微型发光二极管上的残胶移除。然而，上述做法虽然可以移除残胶，但也容易破坏定位载板与微型发光二极管之间的胶体，导致微型发光二极管偏移，进而造成后续定位载板上的微型发光二极管接合至阵列基板时产生偏移，发生微型发光二极管无法点亮而产生暗点的问题，使整体良率下降。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种显示装置，能降低定位载板与微型发光二极管之间的胶体被破坏的机率，进而提升良率。
2、本专利技术至少一实施例所提出的显示装置的制造方法，包含提供第一载板、第一胶体及多个发光元件，第一胶体设置于多个发光元件与第一载板之间，并黏合多个发光元件与第一载板。提供第二载板及第二胶体，第二胶体设置于第二载板上。将多个发光元件的至少两个发光元件从第一载板转移至第二载板，每一至少两个发光元件具有第一表面及与第一表面相对的第二表面，每一至少两个发光元件第一表面藉由第二胶体贴附于第二载板上，第二表面上形成有第一胶体残留物。之后，形成遮光层于至少两个发光元件上及第一胶体残留物上，并填满至少两个发光元件之间的间隔。之后，移除第一胶体残留物及部分的遮光层以暴露第二表面。提供阵列基板，在暴露第二表面之后，将至少两个发光元件从第二载板转移至阵列基板，第二表面面对阵列基板。<...
【技术保护点】
1.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，其中在形成该遮光层之前，更包括形成一或多个间隔层于该第二载板上。
3.如权利要求2所述的显示装置的制造方法，其特征在于，其中移除该些第一胶体残留物及部分的该遮光层的方式为干蚀刻，该一或多个间隔层的蚀刻率大于该遮光层的蚀刻率，且该遮光层的蚀刻率大于或等于该第一胶体的蚀刻率。
4.一种显示装置，其特征在于，包括：
5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，更包括一或多个间隔件设置于该阵列基板上，其中每一该一或多个间隔件的厚度大于每一该些遮光单元的厚度，每一该些遮光单元的厚度大于或等于每一该些发光元件的厚度，且每一该一或多个间隔件具有面对该阵列基板的一底面及与该底面相对的一顶面，该顶面大于该底面。
6.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，更包括一或多个间隔件设置于该阵列基板上，其中每一该一或多个间隔件具有面对该阵列基板的一底面及与该底面相对的一顶面，该底面大于该顶面。
7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在
8.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，其中该底部包括一曲面。
9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，其中该曲面为一凸面，该凸面凸出于该些发光元件。
10.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，其中该曲面为一凹面，该些发光元件凸出于该凹面。
11.一种显示装置，其特征在于，包括：
12.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，其中该曲面为一凸面，该凸面凸出于该些发光元件。
13.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，其中该曲面为一凹面，该些发光元件凸出于该凹面。
...【技术特征摘要】
1.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，其中在形成该遮光层之前，更包括形成一或多个间隔层于该第二载板上。
3.如权利要求2所述的显示装置的制造方法，其特征在于，其中移除该些第一胶体残留物及部分的该遮光层的方式为干蚀刻，该一或多个间隔层的蚀刻率大于该遮光层的蚀刻率，且该遮光层的蚀刻率大于或等于该第一胶体的蚀刻率。
4.一种显示装置，其特征在于，包括：
5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，更包括一或多个间隔件设置于该阵列基板上，其中每一该一或多个间隔件的厚度大于每一该些遮光单元的厚度，每一该些遮光单元的厚度大于或等于每一该些发光元件的厚度，且每一该一或多个间隔件具有面对该阵列基板的一底面及与该底面相对的一顶面，该顶面大于该底面。
6.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，更包括一或多个间隔件设置于该阵列基板上，其中每一该一或多个间隔件具有...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡榕升，李文仁，刘树橿，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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