【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路设计服务领域，尤其涉及一种工艺检测方法、系统及电路。
技术介绍
1、集成电路制造过程中，由于芯片图形转移的不确定性和工艺波动等因素，必然会导致芯片上的器件存在偏差。随着半导体工艺的特征尺寸不断缩小，工艺偏差呈现不断增大的趋势。这使得集成电路设计过程中所采用的约束条件更加严格，也严重制约了集成电路的性能和功耗。
2、目前对于芯片检测的技术，大多使用较为繁杂的器械设备，占用面积大，操作复杂，采用动态比较结构对工艺偏差进行检测，无法实现电路检测自调节，使得在无法缓解芯片其他电路设计过程中的严格约束条件，容易受到温度、电压和工艺等外界因素影响检测结果，同时制约了不同工艺偏差情况芯片的性能和功耗，对于工业生产产生了巨大的阻碍。
技术实现思路
1、基于上述问题，本专利技术实施例提出了一种工艺检测方法、系统及电路，解决了现有技术在检测芯片工艺器械复杂、流程复杂和易受外界因素干扰导致工艺检测结果准确度不高的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术实施例提供了一种...
【技术保护点】
1.一种工艺检测方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种工艺检测方法，其特征在于，所述对第一样本进行工艺检测，得到工艺检测电压，具体为：
3.如权利要求2所述的一种工艺检测方法，其特征在于，对所述第一样本进行参考电压生成处理，得到工艺参考电压，具体为：
4.如权利要求3所述的一种工艺检测方法，其特征在于，所述对所述工艺检测电压和所述工艺参考电压，分别进行差分量化，得到样本工艺码，具体为：
5.如权利要求4所述的一种工艺检测方法，其特征在于，所述根据所述样本工艺码，确定所述第一样本的工艺角偏离程度，得到工艺检测
【技术特征摘要】
1.一种工艺检测方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种工艺检测方法，其特征在于，所述对第一样本进行工艺检测，得到工艺检测电压，具体为：
3.如权利要求2所述的一种工艺检测方法，其特征在于，对所述第一样本进行参考电压生成处理，得到工艺参考电压，具体为：
4.如权利要求3所述的一种工艺检测方法，其特征在于，所述对所述工艺检测电压和所述工艺参考电压，分别进行差分量化，得到样本工艺码，具体为：
5.如权利要求4所述的一种工艺检测方法，其特征在于，所述根据所述样本工艺码，确定所述第一样本的工艺角偏离程度，得到工艺检测结果，具体为：
6.一种工艺检测系统，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的一种工艺检测系统，其特征在于，所述检测电压生成模块用于对样本进行工艺检测，得到工艺检测电压，还包括：
8.如权利要求7所述的一种工艺检测系统，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝强宇，王日炎，贺黉胤，李前，张昶立，杨昆明，
申请(专利权)人：广州润芯信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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