一种半导体晶圆级的减薄制备及柔性封装方法技术

发明专利技术提出了一种半导体晶圆级的减薄制备技术并直接进行晶圆级柔性封装的方法。该方法的特点在于：在原晶圆钝化焊点处通过电镀形成金属柱，再通过旋转涂胶等方法，在已形成金属柱的晶圆正面上形成一层聚酰亚胺柔性封装层，此后通过化学机械抛光将聚酰亚胺柔性封装层研磨至裸露出金属柱，之后便可进行晶圆背面减薄与晶圆正面植球等工艺，完成晶圆级柔性封装。本发明专利技术最大限度减小了柔性芯片的寄生参数，并实现了规模化晶圆级柔性芯片封装，大幅提高了生产良率。本发明专利技术属于半导体技术领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及柔性的超薄半导体分立器件、集成电路芯片的制备与柔性封装，其涉及一种应用于柔性半导体器件或集成电路的柔性封装方法。

技术介绍

1、柔性电子器件在可植入医疗设备、可穿戴智能器件、柔性传感器、太阳能电池、发光器件和生物应用等方面有着极大的应用前景。

2、在集成电路芯片或分立电子器件生产时，都需要进行电子封装。电子封装为芯片提供机械支持、环境保护、电信号引出端和散热通道等重要功能，为保证电子封装的可靠性，传统的电子封装通常采用硬质材料。传统的硅基电子芯片通常表现为刚性的，但当硅片减薄到40μm的时候，硅基芯片往往就能表现出柔性特质，故而通过对晶圆的减薄将芯片制成超薄芯片便可以得到柔性芯片。若采用传统模式直接对减薄芯片进行封装，在焊接时，芯片由于受热或应力等原因，硅片便可能由此发生形变甚至裂开，从而破坏了芯片性能。

3、为了满足器件或装置的可弯曲特性及保证芯片在封装结束后仍能正常工作，柔性电子器件需要采取特殊的柔性封装技术。如何将超薄的柔性集成电路或分立器件在保证其自身功能完整性的情况下，将其各类io接口引出，完成与柔性基板的连本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体晶圆级的减薄制备及柔性封装方法，其特征在于：所述方法包括超薄芯片的制备、超薄芯片利用聚酰亚胺薄膜材料的封装。

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆级的减薄制备及柔性封装方法，其特征在于：减薄与柔性封装步骤为：

3.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆级的减薄制备及柔性封装方法，其特征在于：在步骤S2中，电镀形成的金属柱高度可选择为40～60μm，电镀形成的金属柱的形状可以为方形、圆柱形，直径可以为50μm。

4.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆级的减薄制备及柔性封装方法，其特征在于：在步骤S3中，涂覆的聚酰亚胺厚度为40～60μm，厚度...

【技术特征摘要】

1.一种半导体晶圆级的减薄制备及柔性封装方法，其特征在于：所述方法包括超薄芯片的制备、超薄芯片利用聚酰亚胺薄膜材料的封装。

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆级的减薄制备及柔性封装方法，其特征在于：减薄与柔性封装步骤为：

3.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆级的减薄制备及柔性封装方法，其特征在于：在步骤s2中，电镀形成的金属柱高度可选择为40～60μm，电镀形成的金属柱的形状可以为方形、圆柱形，直径可以为50μm。

4.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆级的减薄制备及柔性封装方法，其特征在于：在步骤s3中，涂覆的聚酰亚胺厚度为40～60μm，厚度大于电镀金属柱的高度。

5.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆级的减薄制备及柔性封装方法，其特征在于：步骤s5进行硅晶圆减薄的方法为半导体晶圆减薄设备磨削。

6.根据权利要求2所述的一种半导体晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐开凯，范洋，赵建明，卢潇，李鑫煜，李则鹏，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：