【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种制造半导体器件的方法。
技术介绍
1、在需要数据存储的电子系统中，需要一种能够存储大容量数据的半导体器件。因此，需要一种用于增加半导体器件的数据存储容量的方法，以增加可以存储在电子系统中的数据量。
技术实现思路
1、实施例针对包括三维布置的存储单元的半导体器件、以及制造这种半导体器件的方法。本专利技术构思的一个方面提供了一种制造具有提高的生产率的半导体器件的方法。
2、实施例还涉及一种制造半导体器件的方法。该方法可以包括：形成外围电路结构的操作，该外围电路结构包括衬底、衬底上的电路元件和电路元件上的互连。该方法可以包括：在外围电路结构上形成板层。该方法可以包括：通过在垂直于板层的上表面的第一方向上在板层上交替地堆叠牺牲层和层间绝缘层来形成初步堆叠结构。该方法可以包括：图案化初步堆叠结构以形成阶梯结构，以形成图案化的牺牲层和图案化的层间绝缘层。该方法可以包括：在图案化的层间绝缘层的暴露表面上形成沉积抑制层。该方法可以包括：在图案化的牺牲层的暴露的表面上形成选...
【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，形成所述沉积抑制层包括提供抑制剂。
3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，形成所述选择性沉积层包括提供前体。
4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中：
5.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其中，所述抑制剂包括三氟化氮NF3。
6.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，其中，所述前体包括选自由六氯乙硅烷HCD、二氯硅烷DCS、四氯硅烷TCS：SiCl4和三氯硅烷TCS：SiC...
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，形成所述沉积抑制层包括提供抑制剂。
3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，形成所述选择性沉积层包括提供前体。
4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中：
5.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其中，所述抑制剂包括三氟化氮nf3。
6.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，其中，所述前体包括选自由六氯乙硅烷hcd、二氯硅烷dcs、四氯硅烷tcs：sicl4和三氯硅烷tcs：sicl3h组成的组中的一种。
7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述沉积抑制层是包含氟元素的单层。
8.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，通过原子层扩散ald方法来执行所述选择性沉积层的形成。
9.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，所述选择性沉积层的形成还包括退火操作。
10.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，所述选择性沉积层的形成还包括执行等离子体氮化工艺。
11.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：金秉柱，崔铜成，朴圆浚，李烔和，郑在珉，千昌宪，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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