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提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：形成外围电路结构的操作，该外围电路结构包括衬底、衬底上的电路元件和电路元件上的互连。该方法包括：在外围电路结构上形成板层；通过在垂直于板层的上表面的第一方向上在板层上交替地堆叠牺牲层和层间绝缘层来...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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