【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体制造，尤其涉及一种拉晶装置及拉晶方法。
技术介绍
1、单晶硅棒大部分采用切克劳斯基(czochralski，以下称为“cz”)法，又或被称之为直拉法进行拉制得到。该cz法是运用熔体的冷凝结晶驱动原理，在固体和液体的交界面处，由于熔体温度下降导致产生了由液体转换成固体的相变化。在利用cz法拉制单晶硅棒的过程中，通过将固态的原料放置在石英坩埚内并通过石墨加热器加热使得盛放于石英坩埚中的原料熔化，之后经过试温、引晶、放肩、转肩，等径和收尾等工序，最终拉制得到了无位错的单晶硅棒。
2、拉晶炉是利用cz法拉制单晶硅棒的主要设备。目前在相关技术中，在单晶硅棒的拉制过程中往往会受到多种因素的影响，例如拉晶阶段的引晶阶段和二次加料阶段通常会因惰性气体流量的变化而导致单晶硅棒发生晃动致使单晶硅棒的中心轴线偏离基准中心轴线。又例如，当发生地震时也会造成单晶硅棒发生晃动甚至当单晶硅棒的晃动幅度较大时造成单晶鼓棒与拉晶炉的内炉壁发生碰撞，进而严重影响单晶硅棒的品质。此外，由于单晶硅棒质量大因此具有巨大的惯性，进而当单晶硅棒发生晃动后在短时间内难以恢复至平稳状态，为后续单晶硅棒的加工增加了时间成本。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例期望提供一种拉晶装置及拉晶方法；能够降低或者消除单晶硅棒的晃动现象，提高单晶硅棒的品质并提高生产效率。
2、本公开实施例的技术方案是这样实现的：
3、第一方面，本公开实施例提供了一种拉晶装置，所述拉晶装置包括至少一
4、所述至少一个止夹模块组中的每个止夹模块均设置在拉晶炉的上炉室且沿所述拉晶炉的周向分布在单晶硅棒的外周，所述每个止夹模块用于在单晶硅棒的拉制过程中，当所述单晶硅棒的实际中心轴线偏离基准中心轴线时夹住所述单晶硅棒。
5、可选地，在一些示例中，所述每个止夹模块包括与所述单晶硅棒相接触的接触部，与所述拉晶炉的炉体滑动连接的连接部以及驱动部；其中，
6、所述驱动部，用于驱动对应的所述每个止夹模块沿所述拉晶炉的径向方向远离或者靠近所述单晶硅棒移动。
7、可选地，在一些示例中，所述接触部的材质为石英。
8、可选地，在一些示例中，所述拉晶装置包括直径监测模块，所述直径监测模块用于实时地监测所述单晶硅棒的直径。
9、可选地，在一些示例中，所述拉晶装置包括处理模块，所述处理模块用于根据所述直径监测模块实时地监测到的所述单晶硅棒的直径，获取所述单晶硅棒对应的偏离级别。
10、可选地，在一些示例中，所述处理模块，被配置为：
11、当所述单晶硅棒的直径为基准直径±3mm时，确定所述单晶硅棒对应的偏离级别为0级；
12、当所述单晶硅棒的直径为基准直径±5mm时，确定所述单晶硅棒对应的偏离级别为1级；
13、当所述单晶硅棒的直径为基准直径±7mm时，确定所述单晶硅棒对应的偏离级别为2级；
14、当所述单晶硅棒的直径大于基准直径±7mm时，确定所述单晶硅棒对应的偏离级别为3级。
15、可选地，在一些示例中，所述处理模块与所述拉晶炉中的提拉装置相连接；其中，当所述偏离级别大于或等于2级时，所述提拉装置将所述单晶硅棒提拉出所述拉晶炉中的石英坩埚的液面，且所述每个止夹模块夹住所述单晶硅棒。
16、可选地，在一些示例中，所述驱动部，被构造成：
17、当所述偏离级别为0级时，所述驱动部驱动对应的所述每个止夹模块沿所述拉晶炉的径向方向靠近所述单晶硅棒移动以使所述接触部与所述单晶硅棒的外表面之间的距离为2mm至3mm；
18、当所述偏离级别为大于0级且小于2级时，所述驱动部驱动对应的所述每个止夹模块沿所述拉晶炉的径向方向靠近所述单晶硅棒移动以使所述接触部与所述单晶硅棒的外表面之间的距离为3mm至6mm。
19、第二方面，本公开实施例提供了一种拉晶方法，所述拉晶方法能够应用于第一方面所述的拉晶装置，所述拉晶方法包括：
20、在单晶硅棒的拉制过程中，当所述单晶硅棒的实际中心轴线偏离基准中心轴线时，设置在拉晶炉的上炉室且沿所述拉晶炉的周向分布在单晶硅棒的外周的至少一个止夹模块组中的每个止夹模块能够夹住所述单晶硅棒。
21、可选地，在一些示例中，所述拉晶方法包括：在所述单晶硅棒的拉制过程中，根据所述单晶硅棒的直径，获取所述单晶硅棒对应的偏离级别；其中，
22、当所述单晶硅棒的直径为基准直径±3mm时，确定所述单晶硅棒对应的偏离级别为0级；
23、当所述单晶硅棒的直径为基准直径±5mm时，确定所述单晶硅棒对应的偏离级别为1级；
24、当所述单晶硅棒的直径为基准直径±7mm时，确定所述单晶硅棒对应的偏离级别为2级；
25、当所述单晶硅棒的直径大于基准直径±7mm时，确定所述单晶硅棒对应的偏离级别为3级。
26、本公开实施例提供了一种拉晶装置及拉晶方法；通过在拉晶炉的上炉室设置至少一个止夹模块组，至少一个止夹模块组中的每个止夹模块沿所述拉晶炉的周向分布在单晶硅棒的外周，以在单晶硅棒的拉制过程中当单晶硅棒发生晃动，也就是单晶硅棒的实际中心轴线偏离基准中心轴线时每个止夹模块能够及时地夹住单晶硅棒以避免单晶硅棒产生大幅度地晃动从而与拉晶炉的内壁发生碰撞，以避免对单晶硅棒的品质造成影响。
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1.一种拉晶装置，其特征在于，所述拉晶装置包括至少一个止夹模块组；其中，
2.根据权利要求1所述的拉晶装置，其特征在于，所述每个止夹模块包括与所述单晶硅棒相接触的接触部，与所述拉晶炉的炉体滑动连接的连接部以及驱动部；其中，
3.根据权利要求2所述的拉晶装置，其特征在于，所述接触部的材质为石英。
4.根据权利要求1所述的拉晶装置，其特征在于，所述拉晶装置包括直径监测模块，所述直径监测模块用于实时地监测所述单晶硅棒的直径。
5.根据权利要求4所述的拉晶装置，其特征在于，所述拉晶装置包括处理模块，所述处理模块用于根据所述直径监测模块实时地监测到的所述单晶硅棒的直径，获取所述单晶硅棒对应的偏离级别。
6.根据权利要求5所述的拉晶装置，其特征在于，所述处理模块，被配置为：
7.根据权利要求6所述的拉晶装置，其特征在于，所述处理模块与所述拉晶炉中的提拉装置相连接；其中，当所述偏离级别大于或等于2级时，所述提拉装置将所述单晶硅棒提拉出所述拉晶炉中的石英坩埚的液面，且所述每个止夹模块夹住所述单晶硅棒。
8.根据权
9.一种拉晶方法，其特征在于，所述拉晶方法能够应用于权利要求1至7任一项所述的拉晶装置，所述拉晶方法包括：
10.根据权利要求9所述的拉晶方法，其特征在于，所述拉晶方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种拉晶装置，其特征在于，所述拉晶装置包括至少一个止夹模块组；其中，
2.根据权利要求1所述的拉晶装置，其特征在于，所述每个止夹模块包括与所述单晶硅棒相接触的接触部，与所述拉晶炉的炉体滑动连接的连接部以及驱动部；其中，
3.根据权利要求2所述的拉晶装置，其特征在于，所述接触部的材质为石英。
4.根据权利要求1所述的拉晶装置，其特征在于，所述拉晶装置包括直径监测模块，所述直径监测模块用于实时地监测所述单晶硅棒的直径。
5.根据权利要求4所述的拉晶装置，其特征在于，所述拉晶装置包括处理模块，所述处理模块用于根据所述直径监测模块实时地监测到的所述单晶硅棒的直径，获取所述单晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘宇轩，潘浩，郭超超，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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