System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 锂金属二次电池制造技术_技高网

锂金属二次电池制造技术

技术编号:40557420 阅读:10 留言:0更新日期:2024-03-05 19:18
本发明专利技术要解决的问题是,提供一种在负极层与固体电解质层之间具有中间层的锂金属二次电池,其可以抑制锂金属向中间层的沿层叠方向的外周面析出。为了解决上述问题,本发明专利技术提供一种锂金属二次电池,其依次层叠有包括锂金属层的负极层、中间层、固体电解质层及正极层,中间层的沿层叠方向的外周面的至少一面与保护层抵接而被包覆,保护层不具有电子传导性而具有离子传导性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种锂金属二次电池


技术介绍

1、近年来,为了可以确保更多的人获得负担得起、可靠、可持续且先进的能源,正在进行与有助于能源的效率化的二次电池有关的研究开发。作为二次电池,能量密度高的锂金属电池受到关注。

2、作为锂金属二次电池,例如已知有一种包括具有负极集电体的负极、正极及固体电解质层的锂金属二次电池。锂金属电池随着进行充放电,有可能因在负极层析出枝晶而造成电池性能下降。

3、专利文献1中公开有:作为可抑制如下情况即金属锂朝向固体电解质的外侧延伸地析出,由于该延伸,在负极的端面与电解质层的端部之间发生应力集中,引起短路的主要原因即固体电解质的破裂这一情况的构造,设置作为比负极锂金属层更延伸至外侧的外缘部的电解质外缘部,并且,电解质外缘部构成为向正极层侧突出。另外,专利文献1中记载有:也可以在固体电解质层与负极集电体之间设置对金属锂的亲和性比固体电解质层高的层(中间层)。

4、另外,专利文献2中公开有一种技术,其是借由在正极层与固体电解质层之间夹设中间层,来抑制在固体电解质层的正极层侧的界面上形成高电阻层。

5、[先前技术文献]

6、(专利文献)

7、专利文献1:日本特开2022-062572号公报

8、专利文献2:日本特开2011-044368号公报


技术实现思路

1、[专利技术所要解决的问题]

2、然而,在负极层与固体电解质层之间设置中间层的情况下,例如如图4所示,有可能在中间层5的沿层叠方向l的外周面上析出锂金属32a。由于上述锂金属32a的析出,存在充放电效率恶化、电阻增加、由锂金属的不均匀析出导致不稳定化及由局部接触导致电极变形等的可能性。

3、本专利技术是鉴于上述而成,目的在于,提供一种在负极层与固体电解质层之间具有中间层的锂金属二次电池,其可以抑制锂金属向中间层的沿层叠方向的外周面析出。

4、[解决问题的技术手段]

5、(1)本公开涉及一种锂金属二次电池,其依次层叠有包括锂金属层的负极层、中间层、固体电解质层及正极层,前述中间层的沿层叠方向的外周面的至少一面与保护层抵接而被包覆,前述保护层不具有电子传导性而具有离子传导性。

6、根据(1),可以提供一种在负极层与固体电解质层之间具有中间层的锂金属二次电池,其可以抑制锂金属向中间层的沿层叠方向的外周面析出。

7、(2)根据(1)所述的锂金属二次电池,其中,前述保护层具有前述固体电解质层的离子传导率以上的离子传导率。

8、根据(2),可以提供一种可以更佳地抑制锂金属向中间层的沿层叠方向的外周面析出的锂金属二次电池。

9、(3)根据(1)或(2)所述的锂金属二次电池,其中,前述保护层的与前述层叠方向正交的面之中,前述负极层侧的整个面与绝缘层抵接而被包覆。

10、根据(3),可以抑制在保护层的负极层侧的面上析出锂金属。

11、(4)根据(1)或(2)所述的锂金属二次电池,其中,前述保护层以与前述固体电解质层一体的方式形成。

12、根据(4),可以提供一种锂金属二次电池,其即使在中间层的厚度薄的情况下,也可以更佳地抑制锂金属向中间层的沿层叠方向的外周面析出。

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【技术保护点】

1.一种锂金属二次电池,依次层叠有包括锂金属层的负极层、中间层、固体电解质层及正极层,

2.根据权利要求1所述的锂金属二次电池,其中,前述保护层的离子传导率为前述固体电解质层的离子传导率以上。

3.根据权利要求1或2所述的锂金属二次电池,其中,前述保护层的与前述层叠方向正交的面之中,前述负极层侧的整个面与绝缘层抵接而被包覆。

4.根据权利要求1或2所述的锂金属二次电池,其中,前述保护层以与前述固体电解质层一体的方式形成。

【技术特征摘要】

1.一种锂金属二次电池,依次层叠有包括锂金属层的负极层、中间层、固体电解质层及正极层,

2.根据权利要求1所述的锂金属二次电池,其中,前述保护层的离子传导率为前述固体电解质层的离子传导率以上。

3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:谷内拓哉古田照実
申请(专利权)人:本田技研工业株式会社
类型:发明
国别省市:

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