【技术实现步骤摘要】
公开内容涉及羧酸盐、包括其的光致抗蚀剂(光刻胶)组合物、和通过使用所述光致抗蚀剂组合物形成图案的方法。
技术介绍
1、在制造半导体时，使用光致抗蚀剂(其物理性质响应于光而改变)形成精细图案。在光致抗蚀剂之中，化学放大光致抗蚀剂已被广泛地使用。化学放大光致抗蚀剂通过如下实现图案化：通过使经由在光和光致产酸剂(光酸产生剂)之间的反应形成的酸与基础树脂反应而改变基础树脂在显影溶液中的溶解度。
2、然而，在化学放大光致抗蚀剂的情况中，可导致问题诸如当所形成的酸扩散至未经曝光的区域时图案均匀性的降低和/或表面粗糙度的增加。猝灭剂可用于解决或减轻这样的问题，但是猝灭剂的使用可导致增加对于曝光的剂量需求的问题。
3、因此，存在对于如下猝灭剂的需要：其即使以小的量也可为有效的，并且具有改善的分散性和/或改善的与基础树脂的相容性。
技术实现思路
1、提供能够用作具有改善的分散性和/或改善的相容性的猝灭剂的羧酸盐、包括所述羧酸盐的光致抗蚀剂组合物、和通过使用所述光致抗蚀剂组合物形成图案的方法。
2、另外的方面将部分地在随后的描述中阐明，且部分地将由所述描述明晰，或者可通过公开内容的所呈现的实施方式的实践获悉。
3、根据公开内容的一个方面，可提供由式1表示的羧酸盐：
4、[式1]
5、
6、在式1中，a11可为可任选地包括杂原子的环状c1-c20烃基团，且表示碳-碳单键或碳-碳双键的至少一者，r11-r15可各自独立地为
7、根据公开内容的另一方面，光致抗蚀剂组合物包括所述羧酸盐、有机溶剂、基础树脂、和光致产酸剂。
8、根据公开内容的另一方面，形成图案的方法包括：通过施加所述光致抗蚀剂组合物而形成光致抗蚀剂膜，用高能辐射使所述光致抗蚀剂膜的至少一部分曝光，和通过使用显影溶液将经曝光的光致抗蚀剂膜显影。
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1.羧酸盐，其由式1表示：
2.如权利要求1所述的羧酸盐，其中A11为环状C1-C10烃基团。
3.如权利要求1所述的羧酸盐，其中A11为如下的至少一者：环戊烷基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烷基团、环己烯基团、环己二烯基团、苯基团、或萘基团。
4.如权利要求1所述的羧酸盐，其中A11为如下的至少一者：环戊烷基团、环己烷基团、苯基团、或萘基团。
5.如权利要求1-4任一项所述的羧酸盐，其中所述羧酸盐由式1-1至1-5的至少一者表示：
6.如权利要求1所述的羧酸盐，其中M+由式3-1至3-3的至少一者表示：
7.如权利要求6所述的羧酸盐，其中
8.如权利要求1所述的羧酸盐，其中M+由式3-11至3-13的至少一者表示：
9.如权利要求1和6至8任一项所述的羧酸盐，其中所述羧酸盐由式1-11至1-20的至少一者表示：
10.光致抗蚀剂组合物，包括如权利要求1至9任一项所述的羧酸盐、有机溶剂、基础树脂、和任选地光致产酸剂。
11.如权利要求10所述的光致抗蚀剂组合
12.如权利要求10所述的光致抗蚀剂组合物，其中基于100重量份的所述基础树脂，所述羧酸盐的量在0.1重量份-40重量份的范围内。
13.如权利要求10所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述基础树脂包括由式4表示的重复单元：
14.如权利要求13所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述基础树脂进一步包括由式5表示的第二重复单元：
15.如权利要求10所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述光致产酸剂包括锍盐、碘盐、或其组合。
16.如权利要求10所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述光致产酸剂由式7表示：
17.形成图案的方法，所述方法包括：
18.如权利要求17所述的方法，其中所述曝光通过用如下的至少一者照射所述光致抗蚀剂膜的所述部分而进行：氟化氪(KrF)准分子激光、氟化氩(ArF)准分子激光、极紫外(EUV)、或电子束(EB)。
...【技术特征摘要】
1.羧酸盐，其由式1表示：
2.如权利要求1所述的羧酸盐，其中a11为环状c1-c10烃基团。
3.如权利要求1所述的羧酸盐，其中a11为如下的至少一者：环戊烷基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烷基团、环己烯基团、环己二烯基团、苯基团、或萘基团。
4.如权利要求1所述的羧酸盐，其中a11为如下的至少一者：环戊烷基团、环己烷基团、苯基团、或萘基团。
5.如权利要求1-4任一项所述的羧酸盐，其中所述羧酸盐由式1-1至1-5的至少一者表示：
6.如权利要求1所述的羧酸盐，其中m+由式3-1至3-3的至少一者表示：
7.如权利要求6所述的羧酸盐，其中
8.如权利要求1所述的羧酸盐，其中m+由式3-11至3-13的至少一者表示：
9.如权利要求1和6至8任一项所述的羧酸盐，其中所述羧酸盐由式1-11至1-20的至少一者表示：
10.光致抗蚀剂组合物，包括如权利要求1至9任一项所述的羧酸盐、有机溶剂、基础树脂、和任选地光致产酸剂。
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡贞厦，高行德，郭允铉，金旻相，H·金，金惠兰，南煐敏，李昶宪，林圭铉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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