【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、由于诸如小型化、多功能性和/或低制造成本的特性，半导体装置在电子工业中具有相对高的需求。半导体装置可包括存储逻辑数据的半导体存储器装置、计算逻辑数据的半导体逻辑装置、以及包括存储器和逻辑元件的混合半导体装置。
2、随着电子工业的高度发展，对半导体装置的需求一直在增加。例如，对于具有高可靠性、高速度和/或降低的制造成本的半导体装置的需求已经显著增加。为了满足这些要求的特性，半导体装置中的结构已经在开发之中。
技术实现思路
1、根据本专利技术构思的实施例，一种半导体装置包括：在第三方向上彼此间隔开的第一有源图案和第二有源图案；栅电极，其覆盖第一有源图案和第二有源图案并在第二方向上延伸；第一源极/漏极区，其设置在栅电极的相对侧上并连接到第一有源图案；第二源极/漏极区，其设置在栅电极的相对侧上并连接到第二有源图案；多个第一上金属线，其在第二有源图案上沿第一方向延伸，并在第二方向上彼此间隔开；以及下金属线，其在第一有源图案上沿第一方向延伸，其中，第一方向、第二方向和第三方向彼此相交。
2、根据本专利技术构思的实施例，一种半导体装置包括标准单元区，其中，标准单元区包括：第一电源布线，其在第一方向上延伸，并被配置为向标准单元区供应第一电源电压；第二电源布线，其与第一电源布线平行地延伸，并且被配置为向标准单元区供应不同于第一电源电压的第二电源电压；下金属线，其设置在与第一电源布线和第二电源布线相同的水平上，并设置在第一电源布
3、根据本专利技术构思的实施例，一种半导体装置包括标准单元区，其中，标准单元区包括：在第三方向上彼此间隔开的第一有源图案和第二有源图案；多个栅电极，其覆盖第一有源图案和第二有源图案，并在第二方向上延伸，其中，多个栅电极在第一方向上彼此间隔开；第一源极/漏极区，其设置在多个栅电极之间并连接至第一有源图案；第二源极/漏极区，设置在多个栅电极之间并连接至第二有源图案；多个第一上金属线，其在第二有源图案上沿第一方向延伸，并在第二方向上彼此间隔开；下金属线，其在第一有源图案下方沿第一方向延伸；第一电源布线，其设置在与下金属线相同的水平上，并在第一方向上延伸，其中，第一电源布线被配置为向第一源极/漏极区供应第一电源电压；第二电源布线，其与第一电源布线平行地延伸，并且被配置为向第二源极/漏极区供应与第一电源电压不同的第二电源电压；第一栅极接触件，其被配置为将多个栅电极中的一些电连接至多个栅电极下方的下金属线；多个第二栅极接触件，其被配置为将多个栅电极电连接至设置在多个栅电极中的每一个上的第一上金属线；第一有源接触件，第一有源接触件电连接至设置在第一源极/漏极区下方的第一源极/漏极区；以及第一有源过孔件，其设置在下金属线和第一有源接触件之间，并被配置为将下金属线电连接至第一有源接触件，其中，当在平面图中观察时，多条第一上金属线中的三条或四条第一上金属线设置在第一电源布线和第二电源布线之间，第一电源布线和第二电源布线中的每一条的在第二方向上的宽度大于下金属线的在第二方向上的宽度，并且第一方向、第二方向和第三方向彼此相交。
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1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括：
4.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括：
5.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体装置，还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
10.一种半导体装置，其包括标准单元区，其中，所述标准单元区包括：
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述多条第一上金属线中的三条或四条第一上金属线设置在所述第一电源布线与所述第二电源布线之间。
12.根据权利要求10所述的半导体装置，还包括：
13.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述第一电源布线和所述第二电源布线中的每一个在所述第二方向上的宽度大于所述下金属线在所述第二方向上的宽度。
14.根据权利要求10所述的半
15.根据权利要求10所述的半导体装置，还包括：
16.根据权利要求15所述的半导体装置，还包括：
17.一种半导体装置，其包括标准单元区，其中，所述标准单元区包括：
18.根据权利要求17所述的半导体装置，还包括：
19.根据权利要求18所述的半导体装置，还包括：
20.根据权利要求17所述的半导体装置，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括：
4.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括：
5.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体装置，还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
10.一种半导体装置，其包括标准单元区，其中，所述标准单元区包括：
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述多条第一上金属线中的三条或四条第一上金属线设置在所述第一电源布线与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿兹马特·拉希尔，林载炯，千宽永，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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