【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路制造，具体而言，涉及一种浸润式光刻机机台的缺陷检测方法。
技术介绍
1、浸润式光刻机机台是以液体(通常使用水)为介质进行曝光工艺的晶圆加工机台。将待加工晶圆放置在浸润式光刻机机台的浸没罩(immersion hood，ih)中后，将介质液体填充在光源和待加工晶圆之间，可以利用液体高于气体的折射系数提高光源的曝光精度。
2、由于使用液体作为介质，如果浸润式光刻机机台本身(例如浸没罩内部)或者介质液体出现杂质、碎屑等微小物质，这些微小物质将可能随着液体流动到待加工晶圆上方，造成曝光缺陷，严重时甚至会导致晶圆报废。而液体介质不能通过与气体介质相同的抽真空等方式检测杂质，这使得浸润式光刻机机台的缺陷检测至关重要又充满难点。
3、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提供一种浸润式光刻机机台缺陷检测方法，用于至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的浸润式光刻机机台的缺陷难以检测的问题。
2、根据本公开的第一方面，提供一种浸润式光刻机机台缺陷检测方法，包括：通过待测机台按照预设光刻工艺参数组对第一测试晶圆曝光预设图案，得到第一测试图案，所述待测机台为浸润式光刻机机台，所述预设图案包括条纹图案；对所述第一测试图案进行缺陷检测，根据所述缺陷检测的结果判断所述待测机台是否出现缺陷。
3、在本公
4、在本公开的一种示例性实施例中，所述条纹图案中线条的线宽被设置为所述待测机台的最小曝光线宽。
5、在本公开的一种示例性实施例中，所述条纹图案包括多条平行的线条，相邻两个线条的间距均被设置为所述待测机台的最小曝光线间距。
6、在本公开的一种示例性实施例中，所述预设光刻工艺参数组包括第一参数和第二参数，所述第一参数具有第一参数值，所述第二参数具有第二参数值，所述方法还包括：分别将多个备选的第一参数值和多个备选的第二参数值按照数值大小进行排列，形成第一矩阵光刻工艺参数组，所述第一矩阵光刻工艺参数组包括多个光刻工艺参数组，每个所述光刻工艺参数组均包括所述第一参数值与所述第二参数值；按照多个所述光刻工艺参数组分别对所述第二测试晶圆上的多个曝光区域曝光所述预设图案，得到与每个所述光刻工艺参数组对应的第二测试图案；根据每个光刻工艺参数组对应的所述第二测试图案的检测尺寸，在所述多个光刻工艺参数组中确定所述预设光刻工艺参数组。
7、在本公开的一种示例性实施例中，至少两个不同的曝光区域按照相同的光刻工艺参数组进行所述预设图案的曝光。
8、在本公开的一种示例性实施例中，所述第二测试晶圆的数量至少为2个。
9、在本公开的一种示例性实施例中，所述第一参数为曝光能量，所述第二参数为曝光焦距。
10、在本公开的一种示例性实施例中，所述检测尺寸包括线宽，所述根据每个光刻工艺参数组对应的所述第二测试图案的检测尺寸，在所述多个光刻工艺参数组中确定所述预设光刻工艺参数组包括：
11、在所述第二测试晶圆上，检测每个曝光区域上形成的第二测试图案，若线宽位于预设取值区间，且所述第二测试图案不存在缺陷，则将所述第二测试图案对应的光刻工艺参数组设置为候选光刻工艺参数组，得到第二矩阵光刻工艺参数组，所述第二矩阵光刻工艺参数组包括多个候选光刻工艺参数组；
12、按照预设规则在多个所述候选光刻工艺参数组中选取所述预设光刻工艺参数组。
13、在本公开的一种示例性实施例中，多个所述候选光刻工艺参数组对应的第一参数值均为候选第一参数值，所述多个所述候选光刻工艺参数组对应的第二参数值均为候选第二参数值，所述按照预设规则在多个所述候选光刻工艺参数组中选取所述预设光刻工艺参数组包括：
14、在全部所述候选第一参数值中，选择与全部所述候选第二参数值形成的光刻工艺参数组对应的线宽均位于所述预设取值区间的候选第一参数值，得到候选目标第一参数值；
15、将多个所述候选目标第一参数值按照数值大小进行排列，将排列得到的中间值设置为目标第一参数值；
16、将全部所述候选第二参数值按照数值大小进行排列，将排列得到的中间值设置为目标第二参数值；
17、将所述目标第一参数值和所述目标第二参数值分别设置为所述预设光刻工艺参数组中的第一参数值和第二参数值。
18、在本公开的一种示例性实施例中，所述预设取值区间根据所述条纹图案中线条的预设线宽以及预设波动范围确定。
19、在本公开的一种示例性实施例中，所述第一测试晶圆的数量为4～6个。
20、在本公开的一种示例性实施例中，所述第一测试晶圆和所述第二测试晶圆均为非产品所用的晶圆。
21、在本公开的一种示例性实施例中，所述对所述第一测试图案进行缺陷检测包括：
22、对所述第一测试图案进行缺陷扫描，得到缺陷扫描图，判断所述缺陷扫描图中是否存在曝光轨迹缺陷；
23、若所述缺陷扫描图中存在曝光轨迹缺陷，则利用电子显微镜对存在曝光轨迹缺陷的第一测试图案进行缺陷检测，得到电子显微镜检测结果；
24、或者，若所述缺陷扫描图中存在缺陷但不确定是否为曝光轨迹缺陷，则利用电子显微镜对存在缺陷的第一测试图案进行缺陷检测，得到电子显微镜检测结果；
25、基于所述电子显微镜检测结果，判断所述待测机台是否出现缺陷和缺陷类型。
26、在本公开的一种示例性实施例中，在所述待测机台运行预设时长，或者在所述待测机台处理超过预设数量的晶圆后，对所述待测机台进行检测。
27、本公开实施例通过使用待测机台对测试晶圆曝光条纹形态的预设图案(条纹图案)，并对曝光结果进行缺陷检测，可以及时检测到浸润式光刻机机台是否出现缺陷(以及缺陷类型)，从而避免或减少由此造成的产品晶圆上出现的缺陷概率，进而可以有效提高产品良率。
28、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
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1.一种浸润式光刻机机台缺陷检测方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一测试晶圆包括多个曝光区域，相邻的所述曝光区域之间设置有切割道，所述通过待测机台按照预设光刻工艺参数组对第一测试晶圆曝光预设图案包括：对每个所述曝光区域均曝光所述预设图案。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述条纹图案中线条的线宽被设置为所述待测机台的最小曝光线宽。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述条纹图案包括多条平行的线条，相邻两个线条的间距均被设置为所述待测机台的最小曝光线间距。
5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设光刻工艺参数组包括第一参数和第二参数，所述第一参数具有第一参数值，所述第二参数具有第二参数值，所述方法还包括：
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，至少两个不同的曝光区域按照相同的光刻工艺参数组进行所述预设图案的曝光。
7.如权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述第二测试晶圆的数量至少为2个。
8.如权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述检测尺寸包括线宽，所述根据每个光刻工艺参数组对应的所述第二测试图案的检测尺寸，在所述多个光刻工艺参数组中确定所述预设光刻工艺参数组包括：
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，多个所述候选光刻工艺参数组对应的第一参数值均为候选第一参数值，所述多个所述候选光刻工艺参数组对应的第二参数值均为候选第二参数值，所述按照预设规则在多个所述候选光刻工艺参数组中选取所述预设光刻工艺参数组包括：
11.如权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述预设取值区间根据所述条纹图案中线条的预设线宽以及预设波动范围确定。
12.如权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述第一测试晶圆的数量为4～6个。
13.如权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述第一测试晶圆和所述第二测试晶圆均为非产品所用的晶圆。
14.如权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述对所述第一测试图案进行缺陷检测包括：
15.如权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，在所述待测机台运行预设时长，或者在所述待测机台处理超过预设数量的晶圆后，对所述待测机台进行检测。
...【技术特征摘要】
1.一种浸润式光刻机机台缺陷检测方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一测试晶圆包括多个曝光区域，相邻的所述曝光区域之间设置有切割道，所述通过待测机台按照预设光刻工艺参数组对第一测试晶圆曝光预设图案包括：对每个所述曝光区域均曝光所述预设图案。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述条纹图案中线条的线宽被设置为所述待测机台的最小曝光线宽。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述条纹图案包括多条平行的线条，相邻两个线条的间距均被设置为所述待测机台的最小曝光线间距。
5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设光刻工艺参数组包括第一参数和第二参数，所述第一参数具有第一参数值，所述第二参数具有第二参数值，所述方法还包括：
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，至少两个不同的曝光区域按照相同的光刻工艺参数组进行所述预设图案的曝光。
7.如权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述第二测试晶圆的数量至少为2个。
8.如权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述第一参数为曝光能量，所述第二参数为曝光焦距。
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【专利技术属性】
技术研发人员：冯伟，邱杰振，付旺，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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