【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及作为用于lsi等的半导体器件的制造等的反射型掩模的原材料的反射型掩模坯料、以及使用了反射型掩模坯料的反射型掩模的制造方法。
技术介绍
1、在半导体器件(半导体装置)的制造工序中,反复使用对转印用掩模照射曝光光,将形成于掩模的电路图案通过缩小投影光学系统转印到半导体基板(半导体晶片)上的光刻技术被普遍使用。以往,曝光光的波长以使用氟化氩(arf)准分子激光的193nm为主流,通过采用多次组合曝光工艺和加工工艺的多图案化这样的工艺,最终形成了尺寸比曝光波长小的图案。
2、但是,由于持续的器件图案的微细化,需要形成进一步的微细图案,因此,作为曝光光,开发出了使用了波长比arf准分子激光更短的euv(极紫外)光的euv光刻技术。euv光是指波长例如为10～20nm左右的光,更具体而言,是波长为13.5nm附近的光。该euv光对物质的透射性极低,不能使用以往的透射型投影光学系统或掩模,因此使用反射型光学元件。因此,用于图案转印的掩模也使用反射型掩模。反射型掩模一般是在基板上形成反射euv光的多层反射膜,在多层反射膜上图案状地形成吸收euv光的吸收体膜而成的。另一方面,在吸收体膜上形成图案之前的状态(也包括形成了抗蚀剂膜的状态)的被称为反射型掩模坯料,其用作反射型掩模的材料。
3、反射型掩模坯料一般具有包括低热膨胀的基板；形成在基板的两个主表面中的一个面上的反射euv光的多层反射膜；以及形成在其上的用于吸收euv光的吸收体膜的基本结构。作为多层反射膜,通常使用通过交替层叠钼(mo)层和硅(si)层而得到
4、背面导电膜不仅为了静电吸附(electrostatic chucking)而要求膜阻抗低和表面粗糙度小,还需要减少曝光装置在装卸掩模时的缺陷产生。当背面导电膜使用钽(ta)时,为了降低膜阻抗,减小表面粗糙度,在膜中添加少量氮即可。另外,为了减少曝光装置的掩模装卸时缺陷的产生,添加氮使膜氮化也是有效的。但是,在氮化度低且残留有大量钽(ta)金属键的膜中,在膜与其他材料接触的状态下对基板施力的所谓摩擦的情况下,容易产生摩擦痕迹,导致在曝光机装卸静电吸盘台时产生缺陷。另一方面,当膜中添加大量氮的情况下,虽然不易产生摩擦痕迹,但膜的膜阻抗会上升,不能进行静电吸附,进而因氮化钽的结晶生长引发的膜应力容易变大,另外还会引起膜表面粗糙度的增加等,因此仍然有可能产生各种缺陷。
5、本专利技术是为了解决上述问题而完成的,其目的在于提供一种反射型掩模坯料,其具有在维持背面导电膜所要求的导电性和表面粗糙度的同时在从静电吸盘台进行拆装时不易产生缺陷的背面导电膜,以及提供使用该反射型掩模坯料的反射型掩模的制造方法。
技术实现思路
1、本申请的专利技术人为了解决上述课题反复进行了锐意研究,结果发现,通过当背面导电膜具有：钽(ta)、硅(si)和氮(n)、且氮含量为18原子％以上且小于35原子％、且将硅含量以原子％计为csi、将钽含量以原子％计为cta时，csi/(cta+csi)为3％以上且小于50％的层,背面导电膜容易变成微晶无定形状,从而能够抑制膜应力和表面粗糙度等的增加。在硅(si)的含量过多的情况下，将膜氮化时的膜阻抗容易变高,但通过设为上述范围,可以降低膜阻抗,另外,通过将氮含量设为上述范围,可以抑制钽的金属键的存在比,从而实现不易附着摩擦痕迹的膜质，降低从静电吸盘台进行拆装时引发的风险。
2、因此,本专利技术提供以下反射型掩模坯料及反射型掩模的制造方法。
3、【概念1】
4、本专利技术的反射型掩模坯料,可以包括：
5、基板；
6、多层反射膜，设置在所述基板的一个面上且至少反射euv光；以及
7、背面导电膜，设置在所述基板的另一个面上，
8、其中，所述背面导电膜具有：膜厚为50nm以上且小于80nm、且含有钽(ta)、硅(si)及氮(n)、且氮含量为18原子％以上且小于35原子％、且将硅含量以原子％计为csi、将钽含量以原子％计设为cta时，csi/(cta+csi)为3％以上且小于50％的层。
9、【概念2】
10、在概念1的反射型掩模坯料中,
11、所述背面导电膜可以具有：
12、第一层，膜厚为50nm以上且小于80nm,含有钽(ta)、硅(si)和氮(n),氮含量为18原子％以上且小于35原子％,将硅含量以原子％计为csi、将钽含量以原子％计设为cta时，csi/(cta+csi)为3％以上且小于50％；以及
13、第二层,膜厚为3nm以上且小于10nm,含有钽(ta)、硅(si)、氮(n)及氧(o),其中氮和氧的总含量为40原子％以上。
14、【概念3】
15、在概念2的反射型掩模坯料中,
16、可以在所述基板的另一个面上设置所述第一层,
17、在所述第一层的另一个面上设置所述第二层。
18、【概念4】
19、在概念1的反射型掩模坯料中,
20、所述背面导电膜仅含有钽(ta)、硅(si)和氮(n)。
21、【概念5】
22、在概念1或4的反射型掩模坯料中,
23、所述背面导电膜可以仅具有：膜厚为50nm以上且小于80nm、且含有钽(ta)、硅(si)及氮(n)、且氮含量为18原子％以上且小于35原子％、且将硅含量以原子％计为csi、将钽含量以原子％计设为cta时，csi/(cta+csi)为3％以上且小于50％的层。
24、【概念6】
25、在概念2或3的反射型掩模坯料中,
26、所述第一层可以仅含有钽(ta)、硅(si)及氮(n),
27、所述第二层可以仅含有钽(ta)、硅(si)、氮(n)及氧(o)。
28、【概念7】
29、在概念2、3或6的反射型掩模坯料中,
30、所述背面导电膜可以仅具有所述第一层和所述第二层。
31、【概念8】
32、在概念1至7中任一个的反射型掩模坯料中,可以是：
33、所述背面导电膜的膜阻抗为500ω/v以下,膜表面粗糙度(sq)为0.5nm以下,
34、在以形成有所述背面导电膜的所述基板的另一侧的主表面为基准,相对于形成所述背面导电膜之前的翘曲,将形成所述背面导电膜之后的翘曲的变化量(δtir)按照向凹方向变化时为正(+),向凸方向变化时为负(-)进行表示时,作为在所述基板上形本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种反射型掩模坯料，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的反射型掩模坯料，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的反射型掩模坯料，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的反射型掩模坯料，其特征在于：
5.根据权利要求1或4所述的反射型掩模坯料，其特征在于：
6.根据权利要求2所述的反射型掩模坯料，其特征在于：
7.根据权利要求2或6所述的反射型掩模坯料，其特征在于：
8.根据权利要求1或2所述的反射型掩模坯料，其特征在于：
9.一种反射型掩模坯料的制造方法，其特征在于
【技术特征摘要】
1.一种反射型掩模坯料，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的反射型掩模坯料，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的反射型掩模坯料，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的反射型掩模坯料，其特征在于：
5.根据权利要求1或4所述的反射型...
【专利技术属性】
技术研发人员：高坂卓郎，生越大河，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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