【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率器件，特别是涉及一种智能功率模块试验系统和一种智能功率模块试验和方法。
技术介绍
1、智能功率模块(ipm，intelligent power module)是采用功率开关器件igbt(绝缘栅双极型晶体管)，具有gtr(大功率晶体管)高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点，以及mosfet(场效应晶体管)高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。
2、智能功率模块中的器件需要在高压、大电流等环境下进行工作，这样的环境对模块的可靠性提出较高的要求，为了取得稳定的可靠性，在智能功率模块中器件封装完成前都会采用一系列可靠性试验进行考核、筛选等测试。
3、然而，有些厂家为了减少对智能功率模块的试验的步骤，在对智能功率模块进行试验的过程中，并不对智能功率模块中的器件的稳定性进行监控，而是采用简单的设定时间来评判结果，这样并未能了解器件封装后的过程实际耐受时间，只是知道了是否器件可以通过厂家设定的时间长短，缺乏必要的过程监控。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了一种智能功率模块试验方法，以解决现有技术中在对智能功率模块的试验的过程中，缺乏对智能功率模块的监控的问题。
2、相应的，本专利技术实施例还提供了一种智能功率模块试验装置，用以保证上述方法的实现及应用。
3、为了解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种智能功率模块试验系统，包括印刷电路板基板、封装模块和监控单元，所述印刷电路板基板中包括若干与待试验的智能功率模块适配的插
4、在对所述封装模块进行试验时，所述电流表采集的所述封装模块的电流数据传输至所述监控单元，所述监控单元根据所述电流数据对所述封装模块进行漏电监控。
5、可选地，所述智能功率模块包括功率半导体器件、用于驱动所述功率半导体器件的上桥集成电路和下桥集成电路。
6、可选地，所述智能功率模块包括若干引脚，所述引脚包括电压电源引脚、三相电源引脚、三相输出电压引脚、三相输入电压引脚、直流输出引脚、电源引脚、接地引脚、错误输出引脚和温度输出引脚。
7、可选地，所述上桥集成电路监控封装为：所述电压电源引脚接入电压电源，所述封装模块的所述三相电源引脚处分别连接有电流表并将所述电流表接地，所述错误输出引脚和所述温度输出引脚悬空，所述智能功率模块的其余引脚短接后接地。
8、可选地，所述下桥集成电路监控封装为：所述封装模块的所述电压电源引脚、所述三相电源引脚、所述三相输出电压引脚和所述三相输入电压引脚短接并输入电源电源，所述直流输出引脚处分别连接有电流表并将所述电流表接地，所述电源引脚连接有电流表并将所述电流表接地，所述接地引脚连接有电流表并将所述电流表接地，所述错误输出引脚和所述温度输出引脚悬空，所述智能功率模块的其余引脚短接后接地。
9、可选地，所述上桥集成电路和所述下桥集成电路分别在不同的所述封装模块中。
10、可选地，所述封装模块为设置在同一个印刷电路板基板的相同的封装模块。
11、可选地，所述试验至少包括高温反向偏压试验。
12、本专利技术实施例还公开了一种智能功率模块试验方法，应用于智能功率模块试验系统，所述智能功率模块试验系统包括印刷电路板基板、封装模块和监控单元，所述印刷电路板基板中包括若干与待试验的智能功率模块适配的插座工位，所述封装模块用于封装所述智能功率模块，所述封装模块包括若干引脚，所述封装模块安装在所述插座工位中，所述封装模块的引脚接入电流表并将所述电流表接地；所述方法包括：
13、在对所述封装模块进行试验时，获取所述电流表采集的所述封装模块的电流数据；
14、根据所述电流数据对所述封装模块进行漏电监控。
15、可选地，所述根据所述电流数据对所述封装模块进行漏电监控，包括：
16、当监控到所述漏电数据出现不规则的情况或者持续上涨的情况，则确定所述封装模块中的所述智能功率模块存在异常。
17、可选地，所述智能功率模块包括功率半导体器件、用于驱动所述功率半导体器件的上桥集成电路和下桥集成电路。
18、可选地，所述智能功率模块包括若干引脚，所述引脚包括电压电源引脚、三相电源引脚、三相输出电压引脚、三相输入电压引脚、直流输出引脚、电源引脚、接地引脚、错误输出引脚和温度输出引脚。
19、可选地，所述上桥集成电路监控封装为：所述电压电源引脚接入电压电源，所述封装模块的所述三相电源引脚处分别连接有电流表并将所述电流表接地，所述错误输出引脚和所述温度输出引脚悬空，所述智能功率模块的其余引脚短接后接地。
20、可选地，所述下桥集成电路监控封装为：所述封装模块的所述电压电源引脚、所述三相电源引脚、所述三相输出电压引脚和所述三相输入电压引脚短接并输入电源电源，所述直流输出引脚处分别连接有电流表并将所述电流表接地，所述电源引脚连接有电流表并将所述电流表接地，所述接地引脚连接有电流表并将所述电流表接地，所述错误输出引脚和所述温度输出引脚悬空，所述智能功率模块的其余引脚短接后接地。
21、可选地，所述上桥集成电路和所述下桥集成电路分别在不同的所述封装模块中。
22、可选地，所述封装模块为设置在同一个印刷电路板基板的相同的封装模块。
23、可选地，所述试验至少包括高温反向偏压试验。
24、本专利技术实施例包括以下优点：
25、在本专利技术实施例中，智能功率模块试验系统包括印刷电路板基板、封装模块和监控单元，印刷电路板基板中包括若干与待试验的智能功率模块适配的插座工位，封装模块用于封装所述智能功率模块，封装模块包括若干引脚，封装模块安装在插座工位中，封装模块的引脚接入电流表并将电流表接地，其中，在对封装模块进行试验时，电流表采集的封装模块的电流数据传输至监控单元，以使监控单元可以在试验过程中根据电流数据对封装模块进行漏电监控。本专利技术实施例可以在对智能功率模块进行试验的过程中，对试验过程中的电流数据进行监控，从而可以了解智能功率模块的器件的在整个试验过程中的情况，并且，在试验过程中实时记录每一个时间段智能功率模块的器件漏电情况，可以及时发现智能功率模块存在的问题并及时解决。
26、此外，由于本专利技术实施例在印刷电路板基板中设定相同的插座工位，将传统的焊接模块在印刷电路板基板试验的方式替代，减小直接焊接导致个体差异性的影响，以及缺乏过程监控的缺陷，保证试验的精准性。
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1.一种智能功率模块试验系统，其特征在于，包括印刷电路板基板、封装模块和监控单元，所述印刷电路板基板中包括若干与待试验的智能功率模块适配的插座工位，所述封装模块用于封装所述智能功率模块，所述封装模块包括若干引脚，所述封装模块安装在所述插座工位中，所述封装模块的引脚接入电流表并将所述电流表接地，其中，
2.根据权利要求1所述的智能功率模块试验系统，其特征在于，所述智能功率模块包括功率半导体器件、用于驱动所述功率半导体器件的上桥集成电路和下桥集成电路。
3.根据权利要求2所述的智能功率模块试验系统，其特征在于，所述智能功率模块包括若干引脚，所述引脚包括电压电源引脚、三相电源引脚、三相输出电压引脚、三相输入电压引脚、直流输出引脚、电源引脚、接地引脚、错误输出引脚和温度输出引脚。
4.根据权利要求3所述的智能功率模块试验系统，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的智能功率模块试验系统，其特征在于，
6.根据权利要求2或3或4或5所述的智能功率模块试验系统，其特征在于，所述上桥集成电路和所述下桥集成电路分别在不同的所述封装模块中。
7.根据权利要求1所述的智能功率模块试验系统，其特征在于，所述封装模块为设置在同一个印刷电路板基板的相同的封装模块。
8.根据权利要求1所述的智能功率模块试验系统，其特征在于，所述试验至少包括高温反向偏压试验。
9.一种智能功率模块试验方法，其特征在于，应用于智能功率模块试验系统，所述智能功率模块试验系统包括印刷电路板基板、封装模块和监控单元，所述印刷电路板基板中包括若干与待试验的智能功率模块适配的插座工位，所述封装模块用于封装所述智能功率模块，所述封装模块包括若干引脚，所述封装模块安装在所述插座工位中，所述封装模块的引脚接入电流表并将所述电流表接地；所述方法包括：
10.根据权利要求9所述的智能功率模块试验方法，其特征在于，所述根据所述电流数据对所述封装模块进行漏电监控，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种智能功率模块试验系统，其特征在于，包括印刷电路板基板、封装模块和监控单元，所述印刷电路板基板中包括若干与待试验的智能功率模块适配的插座工位，所述封装模块用于封装所述智能功率模块，所述封装模块包括若干引脚，所述封装模块安装在所述插座工位中，所述封装模块的引脚接入电流表并将所述电流表接地，其中，
2.根据权利要求1所述的智能功率模块试验系统，其特征在于，所述智能功率模块包括功率半导体器件、用于驱动所述功率半导体器件的上桥集成电路和下桥集成电路。
3.根据权利要求2所述的智能功率模块试验系统，其特征在于，所述智能功率模块包括若干引脚，所述引脚包括电压电源引脚、三相电源引脚、三相输出电压引脚、三相输入电压引脚、直流输出引脚、电源引脚、接地引脚、错误输出引脚和温度输出引脚。
4.根据权利要求3所述的智能功率模块试验系统，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的智能功率模块试验系统，其特征在于，
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【专利技术属性】
技术研发人员：符广学，李春艳，马颖江，
申请(专利权)人：珠海零边界集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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