研磨头系统及研磨方法技术方案

本发明专利技术提供一种能够精密地控制晶片等基板的研磨率尤其能够精密控制边缘部处的研磨率的研磨头系统及研磨方法。研磨头系统(1)具备研磨头(10)、头轴(11)、头旋转机构(18)、多路回转接头(25)、流体供给线路(Lb1)、压力调节器(Rb1)，研磨头(10)具有基板按压面(35)、挡环(40)、沿挡环(40)的周向排列的多个压力室(Cb1～Cb6)，头轴(11)具有与多个压力室(Cb1～Cb6)分别连通的多个轴流路(56)，多路回转接头(25)被构成为，头轴(11)每旋转一圈，使流体供给线路(Lb1)与多个轴流路(56)依次连通。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶片等基板的研磨头系统及研磨方法。

技术介绍

1、近年来，随着半导体器件的高度集成化/高密度化，电路的配线越发微细化，多层配线的层也在增加。如果要一边谋求电路的微细化一边实现多层配线，则由于依照下侧的层的表面凹凸而阶梯变得更大，因此随着配线层数增加，对于薄膜形成中的阶梯形状的膜覆盖性(阶梯覆盖范围)变差。因此，为了进行多层配线，必须改善此阶梯覆盖范围，在适当的过程中进行平坦化处理。而且由于光刻的微细化而且焦点深度变浅，因此需要对半导体器件表面进行平坦化处理，以使半导体器件的表面的凹凸阶梯收敛在焦点深度以下。

2、因此，在半导体器件的制造工序中，半导体器件表面的平坦化变得越发重要。此表面的平坦化中最重要的技术是化学机械研磨(cmp：chemical mechanical polishing)。此化学机械研磨(以下称为cmp)是一边向研磨垫的研磨面上供给包括二氧化硅(sio2)等的磨粒的研磨液(例如，包括磨粒的浆料)一边使晶片等基板与研磨面滑动接触进行研磨。

3、用于进行cmp的研磨装置具备支承具有研磨面的研磨垫的研磨本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种研磨头系统，其特征在于，具备：

2.如权利要求1所述的研磨头系统，其特征在于，

3.如权利要求2所述的研磨头系统，其特征在于，

4.如权利要求1所述的研磨头系统，其特征在于，

5.如权利要求4所述的研磨头系统，其特征在于，

6.如权利要求1所述的研磨头系统，其特征在于，

7.如权利要求6所述的研磨头系统，其特征在于，

8.如权利要求1所述的研磨头系统，其特征在于，

9.如权利要求2所述的研磨头系统，其特征在于，

10.如权利要求1所述的研磨头系统，其特征在于，

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【技术特征摘要】

1.一种研磨头系统，其特征在于，具备：

2.如权利要求1所述的研磨头系统，其特征在于，

3.如权利要求2所述的研磨头系统，其特征在于，

4.如权利要求1所述的研磨头系统，其特征在于，

5.如权利要求4所述的研磨头系统，其特征在于，

6.如权利要求1所述的研磨头系统，其特征在于，

7.如权利要求6所述的研磨头系统，其特征在于，

8.如权利要求1所述的研磨头系统，其特征在于，

9.如权利要求2所述的研磨头系统，其特征在于，

10.如权利要求1所述的研磨头系统，其特征在于，

11.如权利要求10所述的研磨头系统，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：锅谷治，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：