【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及衬底处理方法，更具体地，涉及用可流动材料填充形成在衬底表面上的间隙的方法。
技术介绍
1、间隙填充过程广泛用于半导体制造过程中，指的是用例如绝缘材料或导电材料填充诸如浅沟槽隔离(sti)的间隙结构中的间隙的过程。此外，随着半导体器件集成度的增加，间隙结构中间隙的纵横比(a/r)也增加，因此，由于已知沉积过程的限制，也难以无空隙地填充具有高纵横比的间隙的内部。
2、化学气相沉积(cvd)或等离子体化学气相沉积(pecvd)通常被用作半导体制造过程中的沉积技术，并且在这种方法中，源气体和反应气体被同时供应至反应空间以在衬底上沉积期望的膜，因此，具有成膜速率快的优点。然而，当通过使用化学气相沉积对表面上具有高纵横比的间隙的衬底执行间隙填充过程时，间隙上部区域(即间隙入口区域附近)的成膜速率相对高于间隙下部区域的成膜速率，因此，存在间隙入口区域首先被封闭的缺点。
3、图1a和1b是概念性地示出了在已知的间隙填充过程期间在间隙中形成空隙的过程的视图。参考图1a，示出了在衬底10中形成间隙11的间隙结构。例如，...
【技术保护点】
1.一种处理具有间隙的衬底的方法，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在产生直接等离子体期间，在衬底上形成可流动的氮化硅膜。
3.根据权利要求2所述的方法，还包括将所述氮化硅膜转化成氧化硅膜。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述多个子步骤在第一温度下进行，并且所述转化在高于第一温度的第二温度下进行。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述转化期间，所述氧化硅膜在所述间隙的深度上具有在预设偏差内的硅浓度，并且在预设偏差内的硅浓度是由应用不同等离子体占空比的所述多个子步骤引起的。
6.根据...
【技术特征摘要】
1.一种处理具有间隙的衬底的方法，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在产生直接等离子体期间，在衬底上形成可流动的氮化硅膜。
3.根据权利要求2所述的方法，还包括将所述氮化硅膜转化成氧化硅膜。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述多个子步骤在第一温度下进行，并且所述转化在高于第一温度的第二温度下进行。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述转化期间，所述氧化硅膜在所述间隙的深度上具有在预设偏差内的硅浓度，并且在预设偏差内的硅浓度是由应用不同等离子体占空比的所述多个子步骤引起的。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述转化通过施加远程氧等离子体来执行。
7.根据权利要求3所述的方法，还包括致密化所述氧化硅膜。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述多个子步骤在第一温度下进行，并且所述致密化在高于第一温度的第三温度下进行。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个子步骤包括第一子步骤和第一子步骤之后的第二子步骤。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述第一子步骤期间，施加第一占空比的等离子体以防止在填充间隙的膜中形成孔，并且在所述第二子步骤期间，施加小于第一占空比的第二占空比的等离子体以防止填充间隙的膜聚合。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，在产生直接等离子体期间形成用于填充所述间隙的氮...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·崔，H·金，K·H·金，S·龙，朴柱赫，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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