胺化合物、包含胺化合物的发光元件及其显示装置制造方法及图纸

技术编号:40549359 阅读:15 留言:0更新日期:2024-03-05 19:07
本公开内容涉及发光元件、用于所述发光元件的胺化合物和包括所述发光元件的显示装置。所述发光元件包括第一电极、在所述第一电极上的第二电极、以及在所述第一电极与所述第二电极之间的至少一个功能层,其中在所述至少一个功能层中包含由式1表示的胺化合物,由此改善所述发光元件的发射效率和元件寿命。式1

【技术实现步骤摘要】

本公开内容的实施方案涉及胺化合物、包含所述胺化合物的发光元件以及包括所述发光元件的显示装置,并且例如涉及在功能层中包含胺化合物的发光元件。


技术介绍

1、近来,作为图像显示装置的有机电致发光显示装置的开发正在积极地进行。有机电致发光显示装置是包括自发光类型发光元件的所谓显示装置,其中从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合,使得发射层中的发光材料发射光以实现显示。

2、在发光元件至显示装置的应用中,需要或期望增加发射效率和使用寿命,并且一致地需要或期望开发用于稳定地实现要求或期望特征的发光元件的材料。

3、例如,为了实现具有高效率和长使用寿命的发光元件,正在进行用于具有优异的空穴传输性质和稳定性的空穴传输区的材料的开发。


技术实现思路

1、本公开内容的实施方案提供了显示出高效率和长寿命特性的发光元件。

2、根据本公开内容的实施方案的发光元件包括第一电极、在所述第一电极上的第二电极、以及在所述第一电极与所述第二电极之间并且包含由式1表示的胺化合物的至少一个功能层。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.发光元件,包括:

2.如权利要求1所述的发光元件,其中所述至少一个功能层包括发射层、在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区、以及在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区,以及

3.如权利要求2所述的发光元件,其中所述空穴传输区包括在所述第一电极上的空穴注入层和在所述空穴注入层上的空穴传输层,以及

4.如权利要求1所述的发光元件,其中所述由式1表示的胺化合物是二胺化合物。

5.如权利要求1所述的发光元件,其中,在式1中,R5和R6各自独立地是氢原子或氘原子。

6.如权利要求1所述的发光元件,其中所述由式1表示的胺化合物由...

【技术特征摘要】

1.发光元件,包括:

2.如权利要求1所述的发光元件,其中所述至少一个功能层包括发射层、在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区、以及在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区,以及

3.如权利要求2所述的发光元件,其中所述空穴传输区包括在所述第一电极上的空穴注入层和在所述空穴注入层上的空穴传输层,以及

4.如权利要求1所述的发光元件,其中所述由式1表示的胺化合物是二胺化合物。

5.如权利要求1所述的发光元件,其中,在式1中,r5和r6各自独立地是氢原子或氘原子。

6.如权利要求1所述的发光元件,其中所述由式1表示的胺化合物由以下式1-1表示:

7.如权利要求6所述的发光元件,其中,在式1-1中,a是取代或未取代的甲基基团、取代或未取代的丙基基团、或者取代或未取代的丁基基团。

8.如权利要求1所述的发光元件,其中所述由式1表示的胺化合物由以下式1-2或式1-3表示:

9.如权利要求1所述的发光元件,其中所述由式1表示的胺化合物由选自以下式1-4至式1-6中的任一种表示:

10.如权利要求1所述的发光元件,其中所述由式1表示的胺化合物由选自以下式1-7至式1-9中的任一种表示:

11.如权利要求10所述的发光元件,其中,在式1-7至式1-9中,

12.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:金东俊金范俊金采映郑恩在韩相铉
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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