本发明专利技术涉及电致发光器件和显示设备。电致发光器件包括设置在第一电极和第二电极之间的量子点层、以及设置在所述量子点层和所述第二电极之间的电子传输层；其中所述量子点层配置成发射第一光，所述量子点层包括第一量子点，其中所述第一量子点包括第一半导体纳米晶体，其中所述电子传输层包括锌氧化物纳米颗粒，其中所述电致发光器件进一步包括在所述量子点层和所述电子传输层之间的第一层，所述第一层包括无机纳米颗粒，其中所述无机纳米颗粒具有与所述锌氧化物纳米颗粒和所述第一量子点不同的组成，和其中所述多个无机纳米颗粒金属硫属化物，和所述金属硫属化物具有比所述第一光的光能大的带隙能量。
1、具有纳米尺寸的半导体纳米颗粒(例如，半导体纳米晶体颗粒)可呈现发光性质。例如，包括半导体纳米晶体的量子点可呈现量子限制效应。当得自光激发或所施加电压的处于激发态的电子从导带跃迁至价带时，可发生来自所述半导体纳米颗粒的发光。通过调节所述半导体纳米颗粒的尺寸、所述半导体纳米颗粒的组成、或其组合，所述半导体颗粒可配置成发射期望波长区域的光。
2、实施方式提供如下显示设备(例如，量子点-发光二极管(“qd-led”)显示设备)：其包括半导体纳米颗粒例如量子点作为像素配置中(例如，蓝色像素、红色像素、绿色像素、或其组合的配置)中的发光层的组分。
5、彼此间隔开的第一电极和第二电极(例如，各电极具有彼此相对的表面)、设置在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层、以及设置在所述量子点层和所述第二电极之间的电子传输层；
>7、其中所述第一量子点包括第一半导体纳米晶体，8、其中所述电子传输层包括锌氧化物纳米颗粒，
9、其中所述电致发光器件进一步包括在所述量子点层和所述电子传输层之间的第一层，所述第一层包括多个无机纳米颗粒，
10、其中所述无机纳米颗粒具有与所述锌氧化物纳米颗粒和所述第一量子点(例如，所述第一半导体纳米晶体)不同的组成，和
11、其中所述无机纳米颗粒包括金属硫属化物，和其中所述金属硫属化物具有比所述第一光的光能(光学能量)大的带隙能量。
12、所述金属硫属化物的带隙能量可大于或等于约2.9ev、大于或等于约3.2ev、大于或等于约3.4ev且小于或等于约10ev。
13、所述第一光可具有红色光光谱、绿色光光谱、或蓝色光光谱。
14、所述第一光的半宽度可小于或等于约55纳米(nm)、小于或等于约46nm、或者小于或等于约45nm。
15、所述第一光(或其发光峰)可具有大于或等于约1nm、或者大于或等于约10nm的半宽度。
16、当将在所述电致发光器件上的施加电压从约2伏改变为约6伏时，所述第一光的发光峰可呈现大于或等于约8nm且小于或等于约15nm的蓝移。
17、当将在所述电致发光器件上的施加电压从约2伏改变为约6伏时，所述第一光的半宽度可减小大于或等于约8nm且小于或等于约20nm。
18、所述第一量子点可具有芯-壳结构。所述芯壳结构可包括芯和设置在所述芯上的壳，所述芯包括所述第一半导体纳米晶体。所述壳可包括结晶的或非晶的无机材料。
19、所述第一半导体纳米晶体可包括锌硫属化物(例如，硒化锌、硒碲化锌)、磷化铟、或其组合。
20、所述量子点层可不包括所述多个无机纳米颗粒。
21、所述锌氧化物纳米颗粒可进一步包括碱金属、碱土金属、zr、w、li、ti、y、al、镓、铟、锡(sn)、钴(co)、钒(v)、或其组合。
22、所述金属硫属化物可包括锌、镁、钙、钡、或其组合。
23、所述金属硫属化物可包括硫化镁、硒化镁、硫硒化镁、硒化锌镁、硫化锌镁、硫化锌、硒硫化锌、或其组合。
24、所述无机纳米颗粒可具有大于或等于约2nm、或者大于或等于约2.5nm的尺寸(或平均尺寸，下文中，尺寸)。
25、所述无机纳米颗粒可具有小于或等于约30nm或者小于或等于约20nm的尺寸。
26、所述金属硫属化物的带隙能量可大于或等于约3.0ev、或者大于或等于约3.4ev。
27、所述无机纳米颗粒可呈现大于或等于约3.0ev、或者大于或等于约3.4ev的带隙能量。
28、所述无机纳米颗粒或所述金属硫属化物可呈现小于或等于约7ev、小于或等于约6.8ev、或者小于或等于约5.5ev的带隙能量。
29、所述第一层可进一步包括多个半导体纳米晶体颗粒(例如，第二量子点)。所述半导体纳米晶体颗粒或所述第二量子点可包括所述第一半导体纳米晶体。在所述第一层中，所述第二量子点可具有包括如下的芯壳结构：包括所述第一半导体纳米晶体的芯和设置在所述芯上的壳。所述壳可包括结晶或非晶的无机材料。
30、所述第一或第二量子点或者所述第一半导体纳米晶体可包括ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物、iv族元素(单质)或其化合物、i-iii-vi族化合物、i-ii-iv-vi族化合物、或其组合。
31、在实施方式中，所述第一半导体纳米晶体可包括锌硫属化物、磷化铟、或其组合。
32、所述第一层可具有大于或等于约4nm的厚度。
33、所述第一层可具有小于或等于约50nm的厚度。
34、所述量子点层可具有大于或等于约5nm、或者大于或等于约7nm的厚度。
35、所述量子点层可具有小于或等于约80nm、或者小于或等于约50nm的厚度。
36、在实施方式中，所述电致发光器件包括：第一电极和第二电极；设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层，所述发光层包括半导体纳米颗粒群；和任选地，在所述发光层和所述第二电极之间的电子辅助层，
37、其中所述发光层配置成发射第一光，
38、其中所述半导体纳米颗粒群包括多个量子点和多个无机纳米颗粒，
39、其中所述第一光具有大于或等于约1nm且小于或等于约55nm的半宽度(拥有大于或等于约1nm且小于或等于约55nm的半宽度的最大发射峰)，
40、其中所述半导体纳米颗粒群在尺寸分析中呈现包括第一峰值颗粒尺寸和第二峰值颗粒尺寸的多模态(多峰)分布(例如，双模态(双峰)分布)，
41、其中所述第二峰值颗粒尺寸大于所述第一峰值颗粒尺寸，
42、和其中所述第一峰值颗粒尺寸大于或等于约2nm且小于或等于约15nm。
43、所述第一光可具有红色光光谱、绿色光光谱、或蓝色光光谱。
44、所述量子点可包括第一半导体纳米晶体。
45、所述无机纳米颗粒可包括金属硫属化物，并且所述无机纳米颗粒或所述金属硫属化物的带隙能量可比所述第一半导体纳米晶体的带隙能量或所述第一光的光能大了大于或等于约0.1ev(例如，大于或等于约0.2ev、或者大于或等于约0.5ev)。
46、所述量子点可包括锌硫属化物，其包括锌和硒、以及任选本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.电致发光器件，其包括
2.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述第一量子点包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或其化合物、I-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物、或其组合，
3.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述第一量子点包括芯和设置在所述芯上的壳，所述芯包括所述第一半导体纳米晶体，并且所述第一半导体纳米晶体包括锌硫属化物、磷化铟、或其组合。
4.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述量子点层不包括所述无机纳米颗粒。
5.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述锌氧化物纳米颗粒进一步包括碱金属、碱土金属、Zr、W、Li、Ti、Y、Al、镓、铟、锡、钴、钒、或其组合。
6.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述金属硫属化物包括锌、镁、钙、钡、或其组合；或者
7.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述金属硫属化物包括硫化镁、硒化镁、硫硒化镁、硒化锌镁、硫化锌镁、硫化锌、硒硫化锌、或其组合。
8.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述无机纳米颗粒具有大于或等于2纳米且小于或等于30纳米的尺寸，和任选地其中所述金属硫属化物的带隙能量大于或等于3.2电子伏且小于或等于6.8电子伏。
9.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述第一层进一步包括多个第二量子点，和任选地其中所述第二量子点包括所述第一半导体纳米晶体。
10.如权利要求9所述的电致发光器件，其中所述第二量子点包括芯和设置在所述芯上的壳，所述芯包括所述第一半导体纳米晶体，并且所述第一半导体纳米晶体包括锌硫属化物、磷化铟、或其组合。
11.如权利要求9所述的电致发光器件，其中当将所述第一层暴露于发射预定波长的光的高功率激光60秒时，所述第一层具有基于100％的初始亮度强度的大于或等于100％且小于或等于120％的亮度强度保持百分比。
12.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述第一层的厚度大于或等于4纳米且小于或等于50纳米，和任选地其中所述量子点层具有大于或等于5纳米且小于或等于50纳米的厚度。
13.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述电致发光器件配置成发射蓝色光；和
14.电致发光器件，其包括
15.如权利要求14所述的电致发光器件，其中所述量子点包括第一半导体纳米晶体，并且所述无机纳米颗粒包括金属硫属化物，并且所述无机纳米颗粒的带隙能量比所述第一半导体纳米晶体的带隙能量大了大于或等于0.1电子伏。
16.如权利要求14所述的电致发光器件，其中所述量子点包括锌硫属化物，所述锌硫属化物包括锌和硒，所述无机纳米颗粒包括金属硫化物，并且所述金属硫化物包括锌、镁、或其组合。
17.如权利要求14所述的电致发光器件，其中所述第一峰值颗粒尺寸大于或等于3纳米且小于或等于10纳米。
18.如权利要求14所述的电致发光器件，其中所述第二峰值颗粒尺寸大于或等于5纳米且小于或等于50纳米，和任选地，其中所述第一峰值颗粒尺寸和所述第二峰值颗粒尺寸之间的差异大于或等于4纳米且小于或等于20纳米。
19.如权利要求14所述的电致发光器件，其中在所述多模态分布中，所述第二峰值颗粒尺寸的模态对所述第一峰值颗粒尺寸的模态的比率大于或等于0.1:1且小于或等于1:1。
20.显示设备，其包括如权利要求1-19任一项所述的电致发光器件。
21.如权利要求20所述的显示设备，其中所述显示设备包括手持终端、监视器、笔记本计算机、电视机、电子显示板、相机、或者用于自动驾驶车辆的电子部件。
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【技术特征摘要】
1.电致发光器件，其包括
2.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述第一量子点包括ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物、iv族元素或其化合物、i-iii-vi族化合物、i-ii-iv-vi族化合物、或其组合，
3.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述第一量子点包括芯和设置在所述芯上的壳，所述芯包括所述第一半导体纳米晶体，并且所述第一半导体纳米晶体包括锌硫属化物、磷化铟、或其组合。
4.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述量子点层不包括所述无机纳米颗粒。
5.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述锌氧化物纳米颗粒进一步包括碱金属、碱土金属、zr、w、li、ti、y、al、镓、铟、锡、钴、钒、或其组合。
6.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述金属硫属化物包括锌、镁、钙、钡、或其组合；或者
7.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述金属硫属化物包括硫化镁、硒化镁、硫硒化镁、硒化锌镁、硫化锌镁、硫化锌、硒硫化锌、或其组合。
8.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述无机纳米颗粒具有大于或等于2纳米且小于或等于30纳米的尺寸，和任选地其中所述金属硫属化物的带隙能量大于或等于3.2电子伏且小于或等于6.8电子伏。
9.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述第一层进一步包括多个第二量子点，和任选地其中所述第二量子点包括所述第一半导体纳米晶体。
10.如权利要求9所述的电致发光器件，其中所述第二量子点包括芯和设置在所述芯上的壳，所述芯包括所述第一半导体纳米晶体，并且所述第一半导体纳米晶体包括锌硫属化物、磷化铟、或其组合。
11.如权利要求9所述的电致发光器件，其中当将所述第一层暴露于发射预定波长的光的高功率激光...
【专利技术属性】
技术研发人员：O·曹，金光熙，元裕镐，李在镕，金泰亨，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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