【技术实现步骤摘要】
实施方式涉及集成电路器件，并且更具体地，涉及包括电容器的集成电路器件。
技术介绍
1、在集成电路器件例如动态随机存取存储器(dram)中，单位单元(unit cell)的面积随着集成度的增加而减小，而必要的电容被保持或增加。需要能够通过克服电容器的空间限制和设计规则的限制并改善电容来保持期望的电特性的结构体。
技术实现思路
1、实施方式涉及集成电路器件。所述集成电路器件可包括在基底(基板，substrate)上的晶体管和电连接到所述晶体管的电容器结构体。所述电容器结构体可包括第一电极、在所述第一电极上的电介质层(介电层)结构体和在所述电介质层结构体上的第二电极。所述电介质层结构体可包括交替堆叠的多个第一电介质层和多个第二电介质层。所述多个第一电介质层各自可包括反铁电材料，并且多个第二电介质层各自包括hf1-xzrxo2(其中0<x<0.5)作为铁电材料。x值可在多个第二电介质层各自内部在堆叠方向上逐渐改变。
2、实施方式还涉及集成电路器件。所述集成电路器件可包括在基...
【技术保护点】
1.集成电路器件，包括：
2.集成电路器件，包括：
3.如权利要求2中所述的集成电路器件，其中：
4.如权利要求1或2中所述的集成电路器件，其中
5.如权利要求4中所述的集成电路器件，其中在所述多个第二电介质层各自内部，所述第二极化方向根据x值的改变而逐渐改变。
6.如权利要求1或2中所述的集成电路器件，其中：
7.如权利要求6中所述的集成电路器件，其中：
8.如权利要求1或2中所述的集成电路器件，其中：
9.如权利要求1或2中所述的集成电路器件，其中：
10....
【技术特征摘要】
1.集成电路器件，包括：
2.集成电路器件，包括：
3.如权利要求2中所述的集成电路器件，其中：
4.如权利要求1或2中所述的集成电路器件，其中
5.如权利要求4中所述的集成电路器件，其中在所述多个第二电介质层各自内部，所述第二极化方向根据x值的改变而逐渐改变。
6.如权利要求1或2中所述的集成电路器件，其中：
7.如权利要求6中所述的集成电路器件，其中：
8.如权利要求1或2中所述的集成电路器件，其中：
9.如权利要求1或2中所述的集成电路器件，其中：
10.如权利要求1或2中所述的集成电路器件，其中：
11.如权利要求10中所述的集成电路器件，其中...
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