【技术实现步骤摘要】
本专利技术公开的各种实施方式总体涉及一种电子装置，更具体地，涉及一种半导体装置和半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、半导体装置的集成度主要由每个存储器单元占据的面积决定。近来，进一步提高采用在基板上的单层的存储器单元的半导体装置的集成度已经变得几乎不可能。因此，许多人已经提出三维半导体装置，其以各种三维布置在基板上方层叠存储器单元。因此，这种三维半导体装置相对较新，并且大量的研究和开发工作目前集中于提高其操作可靠性、处理特性、结构和制造方法。
技术实现思路
1、本专利技术的各种实施方式提供了具有增强的处理特性和更可靠的结构的改进的三维半导体装置。本专利技术的各种实施方式还提供了制造半导体装置的改进方法。
2、在一个实施方式中，一种半导体装置可以包括：栅极结构，其包括第一导电层、至少一个第二导电层以及设置在第一导电层和第二导电层之间并且比第一导电层和第二导电层更厚的第三导电层；沟道结构，其穿过栅极结构；以及隔离结构，其包括穿过第二导电层并且延伸到沟道结构中的第一部分以及从第一部...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述隔离结构穿过所述第三导电层。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述隔离结构包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述绝缘间隔物围绕所述沟道结构的蚀刻表面。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二部分比所述第一部分具有更窄的宽度。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二部分比所述第一部分具有更宽的宽度。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述隔离结构中，所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述隔离结构穿过所述第三导电层。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述隔离结构包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述绝缘间隔物围绕所述沟道结构的蚀刻表面。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二部分比所述第一部分具有更窄的宽度。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二部分比所述第一部分具有更宽的宽度。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述隔离结构中，所述第一部分的侧壁具有第一倾角，并且所述第二部分的侧壁具有与所述第一倾角不同的第二倾角。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二部分的底表面和所述第三导电层的底表面设置在相同的平面上。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述沟道结构中的每一个包括沟道层、围绕所述沟道层的侧壁的存储器层以及在所述沟道层中的绝缘芯，并且所述第一部分与所述沟道层或所述绝缘芯接触。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第三导电层包括具有第一厚度的第一区域和围绕所述第二部分的侧壁并且具有小于所述第一厚度的第二厚度的第二区域。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一导电层是字线，并且所述第二导电层和所述第三导电层是选择线。
12.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述隔离结构包括穿过所述第二导电层并且延伸到所述沟道结构中的第一部分以及从所述第一部分突出到所述第三导电层中并且设置在所述沟道结构之间的第二部分，并且
14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述隔离结构包括穿过所述第二导电层并且延伸到所述沟道结构中的第一部分以及从所述第一部分突出到所述第三导电层中并且设置在所述沟道结构之间的第二部分，并且
15.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：金定炯，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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