集成电路器件制造技术

一种集成电路器件包括设置在衬底上的晶体管和与晶体管电连接的电容器结构，其中电容器结构包括第一电极、设置在第一电极上的电介质膜复合物和设置在电介质膜复合物上的第二电极，电介质膜复合物包括包含反铁电材料的第一电介质膜、分布和设置在第一电介质膜中的第二电介质填充物、以及分布和设置在第一电介质膜中的第三电介质填充物，第二电介质填充物包含铁电材料，第三电介质填充物包括顺电材料，并且具有比第二电介质填充物的平均直径小的平均直径。

【技术实现步骤摘要】

专利技术构思涉及集成电路器件，更尤其涉及包括电容器的集成电路器件。

技术介绍

1、近来，随着细分半导体工艺技术快速发展，集成电路器件的高度集成已加速，因此，单位单元的面积减小。因此，单位单元中由电容器占据的面积也减小。例如，在诸如动态随机存取存储器(dram)的集成电路器件中，集成度增加并且单位单元的面积减小，但是期望的电容被保持或者增加。因此，电容器需要一种结构，该结构可以通过解决空间限制和设计规则的限制并提高电容来保持期望的电特性。

技术实现思路

1、专利技术构思提供了一种集成电路器件，其包括用于确保期望的电容的电容器结构。

2、专利技术构思的目标不限于上述目标，但本领域普通技术人员将从以下描述中清楚地理解这里未描述的其它目标。

3、根据专利技术构思的一方面，提供一种集成电路器件，其包括：设置在衬底上的晶体管以及与晶体管电连接的电容器结构，其中电容器结构包括：第一电极；设置在第一电极上的电介质膜复合物；以及设置在电介质膜复合物上的第二电极，电介质膜复合物包括：包含反铁电材料的第一电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成电路器件，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一电介质膜包括第一晶粒，

3.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中，当电场未被施加到所述电介质膜复合物时，所述第一晶粒对应于未发生自发极化的区域，所述第二晶粒对应于发生自发极化的区域。

4.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中，当电场被施加到所述电介质膜复合物时，基于所述第一晶粒和所述第二晶粒之间的相位相互作用，所述第一晶粒的极化被加速。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，相对于所述电介质膜复合物的总质量，所述第二电介质填充物以10％或更多且小于50...

【技术特征摘要】

1.一种集成电路器件，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一电介质膜包括第一晶粒，

3.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中，当电场未被施加到所述电介质膜复合物时，所述第一晶粒对应于未发生自发极化的区域，所述第二晶粒对应于发生自发极化的区域。

4.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中，当电场被施加到所述电介质膜复合物时，基于所述第一晶粒和所述第二晶粒之间的相位相互作用，所述第一晶粒的极化被加速。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，相对于所述电介质膜复合物的总质量，所述第二电介质填充物以10％或更多且小于50％的含量包含在所述电介质膜复合物中。

6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中所述电介质膜复合物在所述电介质膜复合物的厚度方向上具有第一厚度，所述第一厚度是至以及

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，相对于所述电介质膜复合物的总质量，所述第三电介质填充物以1％或更多且小于10％的含量包含在所述电介质膜复合物中。

8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中，所述电介质膜复合物在所述电介质膜复合物的厚度方向上具有第一厚度，所述第一厚度是至以及

9.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一电介质膜包括hf1-xzrxo2(0.5<x<1.0)、zro2、pbzro3和pbhfo3中的至少一种，

10.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述电介质膜复合物进一步包...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴正敏，林汉镇，丁炯硕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：