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半导体装置和半导体装置的制造方法制造方法及图纸
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文档序号:40543205
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本公开涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置可以包括:栅极结构,其包括第一导电层、第二导电层和第三导电层,第三导电层设置在第一导电层和第二导电层之间并且比第一导电层和第二导电层更厚;沟道结构,其穿过栅极结构;以及隔离结构,其包...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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