【技术实现步骤摘要】
本公开的示例实施例总体上涉及半导体器件，并且更具体地涉及半导体器件中的电容结构。
技术介绍
1、随着半导体器件高集成化和小型化的需求，半导体器件中的电容器尺寸也已经小型化。因此，已经进行了各种研究来优化用于在诸如动态随机存取存储器(dram)之类的半导体存储器件中存储信息的小型化电容器的结构。
技术实现思路
1、本公开的示例实施例涉及一种具有改进的电性质和改进的可靠性的半导体器件。
2、根据本公开的示例实施例，一种半导体器件包括：下结构；下电极，在下结构上；上电极，围绕下电极；以及介电结构，设置在下电极和上电极之间。介电结构包括：第一介电膜，包括第一材料；以及第二介电膜，包括不同于第一材料的第二材料。第一介电膜包括与下电极接触或面对下电极的第一表面、以及与第一表面相对的第二表面。第二介电膜包括设置在第一介电膜的开口中并在从第二表面朝向第一表面的方向上延伸的至少一部分。
3、根据本公开的示例实施例，一种半导体器件包括：下结构，包括晶体管；以及电容器结构，设置在下结构上并电连接到晶体管，其中，电容器结构包括电连接到晶体管并在下结构上彼此间隔开的下电极、在下结构上围绕下电极的上电极、以及设置在下电极和上电极之间的介电结构，其中，介电结构包括：第一介电膜，包括第一材料；以及第二介电膜，包括不同于第一材料的第二材料，其中，第二介电膜具有与下电极接触或面对下电极的下表面、与下表面相对的上表面、以及侧表面，并且其中，第二介电膜的侧表面与第一介电膜接触。
4、根
5、根据另一示例实施例，一种制造半导体器件的电容器的方法包括：在电容器的第一电极上沉积具有第一材料的第一介电膜；蚀刻第一介电膜的晶界以形成从第一介电膜的外表面延伸至第一电极的开口；在第一介电膜上沉积具有与第一材料不同的第二材料的第二介电膜，以形成分层介电结构，在该分层介电结构中，具有第二材料的第二介电膜的一部分填充该开口；以及在介电结构上形成电容器的第二电极。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述介电结构的厚度为约5nm至约50nm。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二介电膜的所述至少一部分的宽度为约1nm至约10nm。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一介电膜和所述第二介电膜中的每一个包括具有10或更大的介电常数的材料。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一介电膜和所述第二介电膜中的每一个包括氧化锆、氧化铪、氧化铌、氧化钇、氧化硅、氧化钽和/或氧化铝。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一介电膜包括氧化锆，并且所述第二介电膜包括氧化铪。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一介电膜和所述第二介电膜中的每一个包括具有四方晶相的材料。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一介电膜包括具有四方晶相的氧化锆，并且所述第二介电膜包括具有四方晶相的氧化铪。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一介电膜还包括具有立方晶相的
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二介电膜的所述至少一部分贯穿所述第一介电膜的晶界，所述晶界是所述开口的至少一部分。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二介电膜的所述至少一部分是第一部分，并且所述第二介电膜还包括从所述第一部分延伸并设置在所述第一介电膜的所述第二表面上的第二部分。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一介电膜的一部分设置在所述第二介电膜的所述第一部分的下表面和所述下电极之间。
13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，具有与所述第一介电膜的材料相同的材料的单个材料层设置在所述第二介电膜的所述第二部分和所述上电极之间。
14.一种半导体器件，包括：
15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述第二介电膜的所述侧表面的至少一部分具有弯曲形状。
16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第二介电膜的所述侧表面具有向外弯曲的区域和向内弯曲的区域。
17.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述第二介电膜的晶体结构与所述第一介电膜的晶体结构相同。
18.一种半导体器件，包括：
19.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，所述电容器结构还包括设置在所述介电结构和所述上电极之间和/或设置在所述介电结构和所述下电极之间的界面层。
20.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，在交替设置的所述第一介电膜的所述至少一部分和所述第二介电膜的所述至少一部分中，所述第二介电膜的所述至少一部分的宽度大于所述第一介电膜的所述至少一部分的宽度。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述介电结构的厚度为约5nm至约50nm。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二介电膜的所述至少一部分的宽度为约1nm至约10nm。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一介电膜和所述第二介电膜中的每一个包括具有10或更大的介电常数的材料。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一介电膜和所述第二介电膜中的每一个包括氧化锆、氧化铪、氧化铌、氧化钇、氧化硅、氧化钽和/或氧化铝。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一介电膜包括氧化锆，并且所述第二介电膜包括氧化铪。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一介电膜和所述第二介电膜中的每一个包括具有四方晶相的材料。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一介电膜包括具有四方晶相的氧化锆，并且所述第二介电膜包括具有四方晶相的氧化铪。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一介电膜还包括具有立方晶相的氧化锆，并且所述第二介电膜还包括具有立方晶相的氧化铪。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二介电膜的所述至少一部分贯穿所述第一介电膜的晶界，所述晶界是所述开口的至少一部分。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，...
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