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集成电路器件可包括在基底上的晶体管和电连接到所述晶体管的电容器结构体。所述电容器结构体可包括第一电极、在所述第一电极上的电介质层结构体和在所述电介质层结构体上的第二电极。所述电介质层结构体可包括交替堆叠的多个第一电介质层和多个第二电介质层。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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