【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种镍－聚吡咯双层纳米线阵列材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下： １）氧化铝模板的制备 ２）氧化铝模板降压修饰 步骤１）完成以后，保持其它条件不变，大幅度降低电压，直至电流减小到２ｍＡ／ｃｍ↑［２］，停止降压，等待电流回复后再重复迅速降压，直至电压降至１７Ｖ，减小降压幅度，以电流变化１ｍＡ／ｃｍ↑［２］为单位，逐次降压直至降到所需电压（６ｖ以下即可用于电沉积制备），但应保证降压完成时电流不小于１ｍＡ／ｃｍ↑［２］； ３）双槽法恒压直流电沉积制备镍－聚吡咯双层纳米线阵列 将镀镍溶液和镀聚吡咯溶液分置于两个镀槽中，先把降压修饰后的模板作为阴极，在镍电镀液中沉积２ｍｉｎ，而后在聚吡咯电镀液中沉积２ｍｉｎ，为了避免镀液交叉污染，将模板从一镀槽移到另一镀槽之前，用去离子水冲洗干净，并超声５ｍｉｎ； 在两个镀槽之间转移时，作为阴极的降压修饰后的模板需要维持通电状态； 电沉积镍的相关参数为：七水合硫酸镍１６０－２４０ｇ／Ｌ，氯化镍３５ｇ／Ｌ，硼酸４５ｇ／Ｌ，十二烷基硫酸钠０．０５ｇ／Ｌ，ｐＨ：３，温度：２５～４５℃，沉积电压：步骤２）降压完成后的电压基础上加２～３Ｖ，阳极： 镍...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：于美，刘建华，孟世明，李松梅，李英东，刘盼，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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