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封装结构及其金属构件制造技术

技术编号:40535944 阅读:11 留言:0更新日期:2024-03-01 13:57
本发明专利技术提供一种封装结构及其金属构件,其中该金属构件包括有复数个凹沟,各该凹沟呈直线状且具有一V字形的剖面,使各该凹沟具有相对的两内侧面,各该凹沟的至少一该内侧面上凸设有至少一锚固结构,该至少一锚固结构于所在的该凹沟内形成一颈缩部,各该凹沟具有一开口,且该开口的宽度W1与该颈缩部的宽度W2符合40%≦W2/W1<1,由此,封装制程中一高分子聚合物树脂能填满各该凹沟并包覆所述锚固结构,由此提升该金属构件与该高分子聚合物树脂之间的结合力,而形成所述的封装结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置的部件,尤指一种封装结构及其金属构件


技术介绍

1、现有封装结构具有一导线架、一半导体元件以及一高分子聚合物封胶体,其中该半导体元件结合于该导线架上,该高分子聚合物封胶体包覆该导线架及该半导体元件,由此完成该半导体元件的封装,使该半导体元件通过该导线架与外部的电子元件电连接。然而,该高分子聚合物封胶体与该导线架之间的结合强度不足,使现有封装结构的高分子聚合物封胶体与该导线架容易因环境的温度、湿度影响而相互脱离。

2、有鉴于此,请参阅如图16所示,中国第106471617号专利技术专利提供一种现有封装结构,该封装结构90包括有一导线架91、一半导体元件92、一金属夹片93及一高分子聚合物封胶体94,其中该导线架91上设有复数个鳞状部911;该半导体元件92通过焊料、银等接合构件安装在该导线架91上;该金属夹片93通过接合构件连接该半导体元件92与该导线架91,由此通过该导线架91将该半导体元件92与外部端子连接;该高分子聚合物封胶体94对该导线架91进行密封,包覆该导线架91、该半导体元件92以及该金属夹片93,由此完成对该半导体元件92的封装。

3、进一步,所述鳞状部911以连续性点状激光对该导线架91的表面加工,使该导线架91表面变形而形成鳞片状的立体结构,通过所述鳞状部911,可以提高该高分子聚合物封胶体94与该导线架91之间的结合力。

4、然而,在中国第106471617号专利技术专利中,所述鳞状部911内侧呈现的光滑表面并不能有更好结合性;又,为了形成所述鳞状部911,激光以左、右方向来回照射,容易让经激光照射后的金属颗粒无法在激光期间被完全移除,导致所述鳞状部911与该高分子聚合物封胶体94之间的结合性不能如预期地增加。因此,现有封装结构90仍具有高分子聚合物树脂与金属构件之间结合力不足,导致该高分子聚合物封胶体94与该导线架91容易脱离,并导致现有封装结构90存在抗敏湿性差的问题,确有其需加以改进之处。


技术实现思路

1、为解决现有封装结构的高分子聚合物树脂与金属构件之间结合力不足的问题,本专利技术的目的在于提供一种金属构件及具有该金属构件的封装结构,以提升该金属构件与高分子聚合物树脂之间的结合力,确保封装后的该金属构件不会与高分子聚合物树脂脱离,进一步说明如下。

2、本专利技术提供的一种金属构件,其包括有:

3、复数个凹沟,各该凹沟呈直线状且具有一v字形的剖面,使各该凹沟具有相对的两内侧面,各该凹沟的至少一该内侧面上凸设有至少一锚固结构,该至少一锚固结构于所在的该凹沟内形成一颈缩部,各该凹沟具有一开口,且该开口的宽度w1与该颈缩部的宽度w2符合40%≦w2/w1<1。

4、本专利技术提供的一种封装结构,其包括有:

5、至少一如上述的金属构件;

6、至少一半导体装置,与所述金属构件形成电连接;以及

7、一高分子聚合物树脂,该高分子聚合物树脂包覆该至少一半导体装置且与所述金属构件相结合,且该高分子聚合物树脂伸入所述金属构件的复数个凹沟,并包覆所述锚固结构。

8、通过上述的技术特征,本专利技术通过激光加工在该金属构件的表面上形成复数个直线状的所述凹沟,并且该凹沟开口的宽度w1与该颈缩部的宽度w2为40%≦w2/w1<1,由此提高该金属构件与高分子聚合物树脂的结合力,以解决金属构件与高分子聚合物树脂脱离的问题,并能让该金属构件经过封装后形成的封装结构具有较高的抗敏湿性以及维持电子组件功能正常的功效。因此,本专利技术有效改进现有封装结构的问题,由此提供一种金属构件及具有该金属构件的封装结构。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种金属构件,其特征在于,包括有:

2.如权利要求1所述的金属构件,其特征在于,各该凹沟的V字形剖面上凸设有两个该锚固结构,该两锚固结构分别设于该两内侧面,且该两锚固结构共同形成该颈缩部。

3.如权利要求1所述的金属构件,其特征在于,该开口的宽度W1与该颈缩部的宽度W2符合50%≦W2/W1≦75%。

4.如权利要求1所述的金属构件,其特征在于,各该凹沟具有一底部,该开口到该底部之间的深度H1与该颈缩部到该开口的深度H2符合25%≦H2/H1≦60%。

5.如权利要求4所述的金属构件,其特征在于,该开口到该底部之间的深度H1与该颈缩部到该开口的深度H2符合40%≦H2/H1≦55%。

6.如权利要求1所述的金属构件,其特征在于,任两相邻所述凹沟之间形成一节距,且该节距介于100微米至1000微米之间,包含端点值。

7.如权利要求6所述的金属构件,其特征在于,该节距介于100微米至500微米之间,包含端点值。

8.如权利要求1至7中任一项所述的金属构件,其特征在于,该金属构件为一导线架。

9.如权利要求1至7中任一项所述的金属构件,其特征在于,该金属构件为一金属夹片。

10.一种封装结构,其特征在于,包括有:

...

【技术特征摘要】

1.一种金属构件,其特征在于,包括有:

2.如权利要求1所述的金属构件,其特征在于,各该凹沟的v字形剖面上凸设有两个该锚固结构,该两锚固结构分别设于该两内侧面,且该两锚固结构共同形成该颈缩部。

3.如权利要求1所述的金属构件,其特征在于,该开口的宽度w1与该颈缩部的宽度w2符合50%≦w2/w1≦75%。

4.如权利要求1所述的金属构件,其特征在于,各该凹沟具有一底部,该开口到该底部之间的深度h1与该颈缩部到该开口的深度h2符合25%≦h2/h1≦60%。

5.如权利要求4所述的金属构件,其特征在于,该开口到该底部...

【专利技术属性】
技术研发人员:方雅贞林佩颖张家诚
申请(专利权)人:顺德工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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