【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体元件及其制备方法，尤其涉及一种具有辅助盖的半导体元件及其制备方法。
技术介绍
1、半导体元件用于各种电子应用，例如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。为满足对计算能力不断增长的需求，半导体元件的尺寸不断地缩小。然而，在缩减过程中会出现各种各样的问题，而且这些问题还在不断增加。因此，在提高半导体元件的性能、质量、良率、效能和可靠性等方面仍然面临挑战。
2、上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一个方面提供一种半导体元件，包括：一基底；一第一杂质区域，其设置于该基底中；一第一介电层，其设置于该基底上；一第一插塞，其包括：一掩埋部分，其沿着该第一介电层设置，且设置于该第一杂质区域上，及一凸出部分，其设置于该掩埋部分上，并自该第一介电层凸出；一第一顶部辅助盖，其覆盖该凸出部分；及一第一顶部导电层，其设置于该第一顶部辅助盖上。该第一顶部辅助盖包括锗或硅锗。
2、本公开的另一方面提供一种半导体元件，包括：一基底；多个杂质区域，其分别设置于该基底中；一第一介电层，其设置于该基底上；多个插塞，其包括：多个掩埋部分，其沿着该第一介电层设置，且分别对应地设置于该些杂质区域上，及多个凸出部分，其分别对应地设置于该些掩埋部分上，并自该第一介电层凸出；多个顶部辅助盖，其分别对应地覆盖该些凸出部分；及一第
3、本公开的另一方面提供一种半导体元件的制备方法，包括：提供一基底；形成一第一杂质区域在该基底中；形成一第一介电层在该基底上；形成一第一插塞，其包括：一掩埋部分，其位于该第一介电层中和该第一杂质区域上，及一凸出部分，其位于该第一介电层中和该掩埋部分上；退缩该第一介电层以暴露出该凸出部分；形成一第一顶部辅助盖覆盖该凸出部分；及形成一第一顶部导电层在该第一顶部辅助盖上。该第一顶部辅助盖包括锗或硅锗。
4、由于本公开的半导体元件的设计，可以通过使用顶部辅助盖来降低第一顶部导电层和插塞之间的电阻。此外，通过使用底部辅助层可以降低杂质区域和插塞之间的电阻。结果，半导体元件的性能将得以提高。
5、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中技术人员应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的构思和范围。
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一插塞包含基本上不含氧及氮的硅及/或锗。
3.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一第一底部辅助层，其设置于该第一插塞和该第一杂质区域之间。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第一底部辅助层包括一外延材料。
5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第一插塞的凸出部分的厚度与该第一底部辅助层的厚度不同。
6.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第一插塞的凸出部分的厚度与该第一底部辅助层的厚度基本相同。
7.如权利要求4所述的半导体元件，其中该掩埋部分的厚度与该凸出部分的厚度的厚度比介于约30和约5之间。
8.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第一插塞的底面的宽度小于该第一底部辅助层的宽度。
9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该第一插塞的侧壁是锥形的。
10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该第一介电层包括氧化硅。
11.如权利要求10所述的半导体元件，还包括一井区域，其设置于该基底
12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该井区域和该第一杂质区域包括不同的电性类型。
13.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第一底部辅助层的宽度与该第一杂质区域的宽度不同。
14.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第一底部辅助层的宽度与该第一杂质区域的宽度基本相同。
15.一种半导体元件，包括：
16.如权利要求15所述的半导体元件，其中该些插塞包括基本上不含和氮的硅和/或锗。
17.如权利要求16所述的半导体元件，还包括多个底部辅助层，其分别对应地设置于该些杂质区域和该些插塞之间。
18.如权利要求17所述的半导体元件，其中该些底部辅助层包括一外延材料。
19.如权利要求18所述的半导体元件，其中该些凸出部分的厚度与该些底部辅助层的厚度不同。
20.一种半导体元件的制备方法，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一插塞包含基本上不含氧及氮的硅及/或锗。
3.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一第一底部辅助层，其设置于该第一插塞和该第一杂质区域之间。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第一底部辅助层包括一外延材料。
5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第一插塞的凸出部分的厚度与该第一底部辅助层的厚度不同。
6.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第一插塞的凸出部分的厚度与该第一底部辅助层的厚度基本相同。
7.如权利要求4所述的半导体元件，其中该掩埋部分的厚度与该凸出部分的厚度的厚度比介于约30和约5之间。
8.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第一插塞的底面的宽度小于该第一底部辅助层的宽度。
9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该第一插塞的侧壁是锥形的。
10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该第一介电层包括氧化硅。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：黄则尧，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。