用于半导体试样的套刻测量制造技术

技术编号:40519945 阅读:13 留言:0更新日期:2024-03-01 13:37
提供了一种确定试样的第一层与第二层之间的套刻测量的系统和方法。所述方法包括:获取所述第一层上的第一结构的第一图像和所述第二层上的第二结构的第二图像;获得围住所述第一结构的部分的一个或多个第一感兴趣区域(ROI)和围住所述第二结构的部分的一个或多个第二ROI;基于所述第一ROI来确定一个或多个第一组对称子结构并基于所述第二ROI来确定一个或多个第二组对称子结构;基于针对每个第一组标识的对称中心(COS)来定位第一COS并基于针对每个第二组标识的COS来定位第二COS;以及基于所述第一COS和所述第二COS来确定所述套刻测量。

【技术实现步骤摘要】

本公开主题总体上涉及半导体试样查验领域,并且更具体地,涉及试样上的套刻测量。


技术介绍

1、与所制造的器件的超大规模集成相关联的对高密度和性能的当前需求要求亚微米特征、提高的晶体管和电路速度、以及提高的可靠性。随着半导体工艺进展,图案尺寸(诸如线宽)、以及其他类型的临界尺寸不断地收缩。这种需求要求具有高精度和均匀性的器件特征的形成,这进而使得必需仔细地监测制造工艺,包括在器件仍是半导体晶片的形式时对这些器件的自动化查验。

2、可通过在制造要查验的试样期间或之后使用非破坏性查验工具来提供查验。查验总体上涉及通过将光或电子引导至晶片并检测来自晶片的光或电子来针对试样生成某种输出(例如,图像、信号等)。作为非限制性示例,各种非破坏性查验工具包括扫描电子显微镜、原子力显微镜、光学检查工具等。

3、查验工艺可包括多个查验步骤。半导体器件的制造工艺可包括各种程序,诸如蚀刻、沉积、平坦化、生长(诸如外延生长)、注入等。可数次执行查验步骤,例如在某些工艺程序之后和/或在制造某些层之后等。附加地或替代地,可重复每个查验步骤多次,例如针对不同的晶片位置本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种确定半导体试样的第一层与第二层之间的套刻测量的计算机化系统,所述系统包括处理和存储器电路系统(PMC),所述处理和存储器电路系统被配置为:

2.如权利要求1所述的计算机化系统,其中所述第一图像是所述第二图像。

3.如权利要求1所述的计算机化系统,其中所述第一图像和所述第二图像是通过电子束工具获取的不同图像,并且其中所述第一图像是二次电子(SE)图像,并且所述第二图像是后向散射电子(BSE)图像。

4.如权利要求1所述的计算机化系统,其中所述第一图像和所述第二图像是通过具有不同光学配置的光学计量工具获取的不同图像。

>5.如权利要求1所...

【技术特征摘要】

1.一种确定半导体试样的第一层与第二层之间的套刻测量的计算机化系统,所述系统包括处理和存储器电路系统(pmc),所述处理和存储器电路系统被配置为:

2.如权利要求1所述的计算机化系统,其中所述第一图像是所述第二图像。

3.如权利要求1所述的计算机化系统,其中所述第一图像和所述第二图像是通过电子束工具获取的不同图像,并且其中所述第一图像是二次电子(se)图像,并且所述第二图像是后向散射电子(bse)图像。

4.如权利要求1所述的计算机化系统,其中所述第一图像和所述第二图像是通过具有不同光学配置的光学计量工具获取的不同图像。

5.如权利要求1所述的计算机化系统,其中所述第一roi和第二roi被选择以试图避免在被所述第一roi围住的所述第一结构的所述至少部分与被所述第二roi围住的所述第二结构的所述至少部分之间的干扰,同时考虑关于所述第一结构的所述至少部分或所述第二结构的所述至少部分的预期工艺变化。

6.如权利要求1所述的计算机化系统,其中所述一个或多个第一组对称子结构或所述一个或多个第二组对称子结构中的至少一者包括多组对称子结构。

7.如权利要求1所述的计算机化系统,其中基于所述第一roi的一个或多个特性来确定所述一个或多个第一组对称子结构,所述一个或多个特性包括:所述第一roi的形状、位置、大小和数量,以及所述第一roi之间的对称的种类。

8.如权利要求1所述的计算机化系统,其中在所述第一结构的所述至少部分包括各自自对称且彼此对称的多个子结构的情况下,所述一个或多个第一组包括多个第一组对称子结构,每个组对应于一对两个子结构的相应排列。

9.如权利要求1所述的计算机化系统,其中所述pmc被配置为通过以下操作定位所述第一结构的所述第一cos:

10.如权利要求9所述的计算机化系统,其中通过将所述旋转信号相对于所述第一信号移动从而执行在所述第一信号与所述对称旋转信号之间的互相关来获得所述相关性,并且其中在具有在所述第一信号与所述第二信号之间的最强相关的位置处标识每个第一组的所述cos。

11.如权利要求1所述的计算机化系统,其中所述pmc被配...

【专利技术属性】
技术研发人员:D·阿尔蒙特T·本什洛莫V·开普兰Y·阿布拉莫维茨D·T·富克斯M·E·阿德尔
申请(专利权)人:应用材料以色列公司
类型:发明
国别省市:

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