下载用于半导体试样的套刻测量的技术资料

文档序号:40519945

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提供了一种确定试样的第一层与第二层之间的套刻测量的系统和方法。所述方法包括:获取所述第一层上的第一结构的第一图像和所述第二层上的第二结构的第二图像;获得围住所述第一结构的部分的一个或多个第一感兴趣区域(ROI)和围住所述第二结构的部分的一个...
该专利属于应用材料以色列公司所有,仅供学习研究参考,未经过应用材料以色列公司授权不得商用。

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