【技术实现步骤摘要】
下面的描述涉及具有高电压隔离电容器的半导体器件的制造方法。
技术介绍
1、数字隔离器在电气上分隔电路，但是仍然使得数字信号能够在电路之间传送，并且支持高达5kv的高电压隔离额定值。数字隔离器使用变压器或电容器来将跨隔离屏障的数据磁性地或电容性地耦合。电容性隔离采用高电压隔离电容器来将跨隔离屏障的数据信号耦合。将厚氧化物层间绝缘膜作为隔离屏障整合至半导体器件中的高电压隔离电容器中，以获得高电压隔离。然而，通过仅增加厚氧化物层间绝缘膜的厚度很难增加高电压隔离。为了增加高电压隔离，最近将具有比厚氧化物层间绝缘膜低的带隙的低带隙材料整合至高电压隔离电容器中。
2、采用较低带隙材料可能会在半导体器件的混合模拟-数字电路区域中引起不期望的泄漏电流。需要与高电压隔离电容器的整合处理来减少混合模拟-数字电路区域中的泄漏电流。
技术实现思路
1、提供本
技术实现思路
来以简化形式介绍一系列构思，这些构思将在下面的具体实施方式中进一步描述。本
技术实现思路
不旨在识别所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。
2、在一个总体方面，提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在基板上设置高电压隔离电容器区域和混合信号集成电路区域；在高电压隔离电容器区域上形成底部电极；在混合信号集成电路区域上形成底部金属线；在底部电极和底部金属线上形成金属间电介质层；在金属间电介质层中形成顶部通孔；在顶部通孔和金属间电介质层上形成低带隙电介质层；对低带隙电介质层进行
3、该方法还可以包括：在厚金属膜上形成硬掩模层；以及对硬掩模层进行图案化，以在顶部金属线和顶部电极中的每一个上形成图案化的硬掩模层。
4、该方法还可以包括：在图案化的低带隙电介质层、顶部金属线和顶部电极上、与图案化的低带隙电介质层、顶部金属线和顶部电极直接接触地形成钝化层。
5、图案化的低带隙电介质层可以包括：与顶部电极交叠并且具有第一厚度的第一部分；以及在顶部电极外侧并且具有比第一厚度小的第二厚度的第二部分。
6、图案化的低带隙电介质层可以包括：具有第一厚度的第一子低带隙电介质层；以及具有比第一厚度大的第二厚度的第二子低带隙电介质层。
7、第二子低带隙电介质层可以包括：与顶部电极交叠的第一部分；以及在顶部电极外侧并且具有比第一部分的厚度小的厚度的第二部分。
8、在另一总体方面，一种制造半导体器件的方法包括：在基板中形成底部电极和底部金属线；在底部电极和底部金属线上形成金属间电介质层；形成与底部金属线交叠的金属间线；形成连接至金属间线的通孔；在通孔和金属间电介质层上沉积低带隙电介质层；去除低带隙电介质层的与通孔交叠的部分以使通孔的顶表面露出，并且保留与底部电极交叠的低带隙电介质层；在露出的通孔和低带隙电介质层上沉积厚金属膜；以及对厚金属膜进行图案化以形成顶部金属线并形成顶部电极。顶部金属线可以连接至通孔，并且低带隙电介质层可以保留在顶部电极下方并且不存在于顶部金属线下方。
9、该方法还可以包括：在顶部金属线和顶部电极中的每一个上形成硬掩模层；以及在硬掩模层上形成钝化层。钝化层可以与低带隙电介质层、顶部金属线和顶部电极直接接触。
10、低带隙电介质层可以包括：与顶部电极交叠并且具有第一厚度的第一部分；以及设置在顶部电极外侧并且具有比第一厚度小的第二厚度的第二部分。
11、低带隙电介质层可以包括：具有第一厚度的第一子低带隙电介质层；以及具有比第一厚度大的第二厚度的第二子低带隙电介质层。
12、第二子低带隙电介质层可以包括：与顶部电极交叠的第一部分；以及设置在顶部电极外侧并且具有比第一部分的厚度小的厚度的第二部分。
13、根据下面的具体实施方式、附图和权利要求书，其他的特征和方面将是明显的。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案化的低带隙电介质层包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述低带隙电介质层包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二子低带隙电介质层包括：
7.一种制造半导体器件的方法，包括：
8.根据权利要求7所述的方法，还包括：
9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述低带隙电介质层包括：
10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述低带隙电介质层包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二子低带隙电介质层包括：
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案化的低带隙电介质层包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述低带隙电介质层包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二子...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑锺烈，申贞浩，具尚根，申讲燮，
申请(专利权)人：启方半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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