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提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在基板上设置高电压隔离电容器区域和混合信号集成电路区域；在高电压隔离电容器区域上形成底部电极；在混合信号集成电路区域上形成底部金属线；在底部电极和底部金属线上形成金属间电介质层；在金属间电介质层中...
该专利属于启方半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过启方半导体有限公司授权不得商用。

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