本公开涉及具有深沟槽隔离的半导体器件和方法。一种用于半导体器件的制造方法，包括：在基板上形成第一栅极结构和第二栅极结构；在第一栅极结构和第二栅极结构上形成深沟槽隔离(DTI)硬掩模；形成设置在第一栅极结构与第二栅极结构之间的深沟槽隔离；...

本公开内容涉及模数转换器及其操作方法。模数转换器(ADC)包括采样保持电路，其被配置成对模拟输入电压进行采样并保持所采样的电压。采样保持电路包括：模拟开关，其被配置成生成通过将恒定电压加至模拟输入电压而获得的升压电压，并通过使用升压电压...

提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在基板上设置高电压隔离电容器区域和混合信号集成电路区域；在高电压隔离电容器区域上形成底部电极；在混合信号集成电路区域上形成底部金属线；在底部电极和底部金属线上形成金属间电介质层；在金属间电介质...

提供了具有高电压隔离电容器的半导体装置。半导体装置包括高电压隔离电容器和混合信号集成电路，其中高电压隔离电容器包括：各自彼此间隔开、设置在衬底上的底部电极；设置在底部电极中的对应的底部电极上的顶部电极；设置在底部电极与顶部电极之间的金属...

本公开涉及具有熔丝型单元阵列的非易失性存储器装置，其包括eFuse单元阵列，在该eFuse单元阵列中交替设置不同类型的单位单元，并且不同类型的单位单元中的每一个包括PN二极管、第一NMOS晶体管和熔丝，其中，第一类型单位单元和第二类型单...