【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种通孔桥连缺陷概率的计算方法及装置。
技术介绍
1、随着最小特征尺寸缩小，双重曝光工艺(double patterning，dpt)的引入拓展了光刻的物理极限。在逻辑电路的制造中，光刻-刻蚀-光刻-刻蚀(litho-etch-litho-etch，lele)是最常用的双重曝光技术，但在实际的双重曝光工艺过程中，由于套刻误差以及线宽(cd)变化的影响，会使得通孔位置产生变化，从而导致在lele的双重曝光下发生通孔桥连缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种通孔桥连缺陷概率的计算方法及装置，可以快速、准确的计算通孔桥连缺陷的概率。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种通孔桥连缺陷概率的计算方法，包括：
3、获取双重曝光工艺下两层光刻掩膜版图的第一通孔和第二通孔，第一通孔的位置在套刻误差范围内沿预设方向波动，固定第二通孔的位置；其中，第一通孔为第一层光刻掩膜版图的通孔图形，第二通孔为第二层光刻掩膜版图的通孔图形；
4、划分第一通孔和第二通孔的位置关系；
5、获取双重曝光工艺下桥连缺陷的阈值距离；
6、根据阈值距离与每一位置关系中第一通孔和第二通孔之间的最小距离，确定每一位置关系中最小距离大于阈值距离的位置点；
7、根据每一位置关系中最小距离大于阈值距离的位置点，确定不同位置关系中的安全区间；
8、根据套刻误差的高斯概率密度分布和不同位置关系中的安全区间，确定发生通孔
9、可选的，划分第一通孔和第二通孔的位置关系，包括：
10、以第一通孔为原点，第二通孔位于第一通孔的第一象限、第二象限、第三象限和第四象限。
11、可选的，根据阈值距离与每一位置关系中第一通孔和第二通孔之间的最小距离，确定每一位置关系中最小距离大于阈值距离的位置点，包括：
12、以第一通孔为原点，第二通孔位于第一通孔的第一象限、第二象限、第三象限或第四象限时，在每一象限中，分别计算第一通孔每次沿预设方向波动的位置和第二通孔之间的最小距离；
13、根据最小距离与阈值距离的比较，确定每一位置关系中最小距离大于阈值距离的位置点。
14、可选的，根据每一位置关系中最小距离大于阈值距离的位置点，确定不同位置关系中的安全区间，包括：
15、根据每一位置关系中最小距离大于阈值距离的位置点，确定每一象限中的安全区间；
16、对每一象限中的安全区间取交集，确定不同位置关系中的安全区间。
17、可选的，根据每一位置关系中最小距离大于阈值距离的位置点，确定每一象限中的安全区间，包括：
18、通过二分法根据每一位置关系中最小距离大于阈值距离的位置点，确定每一象限中的安全区间。
19、可选的，根据套刻误差的高斯概率密度分布和不同位置关系中的安全区间，确定发生通孔桥连缺陷的概率，包括：
20、根据套刻误差的高斯概率密度分布和不同位置关系中的安全区间作为积分区域，进行积分运算，确定不发生通孔桥连缺陷的概率；
21、根据不发生通孔桥连缺陷的概率，确定发生通孔桥连缺陷的概率。
22、可选的，第一通孔的位置在套刻误差范围内沿预设方向波动，包括：
23、根据套刻误差的高斯概率密度分布，第一通孔的位置在预设方向上对应的可移动范围。
24、根据本专利技术的另一方面，提供了一种通孔桥连缺陷概率的计算装置，包括：
25、第一获取模块，用于获取双重曝光工艺下两层光刻掩膜版图的第一通孔和第二通孔，第一通孔的位置在套刻误差范围内沿预设方向波动，固定第二通孔的位置；其中，第一通孔为第一层光刻掩膜版图的通孔图形，第二通孔为第二层光刻掩膜版图的通孔图形；
26、划分模块，用于划分第一通孔和第二通孔的位置关系；
27、第二获取模块，用于获取双重曝光工艺下桥连缺陷的阈值距离；
28、第一确定模块，用于根据阈值距离与每一位置关系中第一通孔和第二通孔之间的最小距离，确定每一位置关系中最小距离大于阈值距离的位置点；
29、第二确定模块，用于根据每一位置关系中最小距离大于阈值距离的位置点，确定不同位置关系中的安全区间；
30、第三确定模块，用于根据套刻误差的高斯概率密度分布和不同位置关系中的安全区间，确定发生通孔桥连缺陷的概率。
31、可选的，划分模块包括：
32、以第一通孔为原点，第二通孔位于第一通孔的第一象限、第二象限、第三象限和第四象限。
33、可选的，第一确定模块包括：
34、计算子模块，用于以第一通孔为原点，第二通孔位于第一通孔的第一象限、第二象限、第三象限或第四象限时，在每一象限中，分别计算第一通孔每次沿预设方向波动的位置和第二通孔之间的最小距离；
35、确定子模块，用于根据最小距离与阈值距离的比较，确定每一位置关系中最小距离大于阈值距离的位置点。
36、本专利技术实施例技术方案提供的通孔桥连缺陷概率的计算方法，包括：获取双重曝光工艺下两层光刻掩膜版图的第一通孔和第二通孔，第一通孔的位置在套刻误差范围内沿预设方向波动，固定第二通孔的位置；其中，第一通孔为第一层光刻掩膜版图的通孔图形，第二通孔为第二层光刻掩膜版图的通孔图形；划分第一通孔和第二通孔的位置关系；获取双重曝光工艺下桥连缺陷的阈值距离；根据阈值距离与每一位置关系中第一通孔和第二通孔之间的最小距离，确定每一位置关系中最小距离大于阈值距离的位置点；根据每一位置关系中最小距离大于阈值距离的位置点，确定不同位置关系中的安全区间；根据套刻误差的高斯概率密度分布和不同位置关系中的安全区间，确定发生通孔桥连缺陷的概率。本专利技术实施例引入套刻误差进行总的安全区间的计算，可以使得通孔桥连缺陷概率的计算方法更加准确、快速和高效。
37、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
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1.一种通孔桥连缺陷概率的计算方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的通孔桥连缺陷概率的计算方法，其特征在于：划分所述第一通孔和所述第二通孔的位置关系，包括：
3.根据权利要求2所述的通孔桥连缺陷概率的计算方法，其特征在于，根据所述阈值距离与每一位置关系中所述第一通孔和所述第二通孔之间的最小距离，确定每一位置关系中所述最小距离大于所述阈值距离的位置点，包括：
4.根据权利要求3所述的通孔桥连缺陷概率的计算方法，其特征在于，根据每一位置关系中所述最小距离大于所述阈值距离的位置点，确定不同位置关系中的安全区间，包括：
5.根据权利要求4所述的通孔桥连缺陷概率的计算方法，其特征在于，根据每一位置关系中所述最小距离大于所述阈值距离的位置点，确定每一象限中的安全区间，包括：
6.根据权利要求1所述的通孔桥连缺陷概率的计算方法，其特征在于，根据套刻误差的高斯概率密度分布和不同位置关系中的安全区间，确定发生所述通孔桥连缺陷的概率，包括：
7.根据权利要求1所述的通孔桥连缺陷概率的计算方法，其特征在于，所述第一通孔
8.一种通孔桥连缺陷概率的计算装置，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的通孔桥连缺陷概率的计算装置，其特征在于，划分模块包括：
10.根据权利要求8所述的通孔桥连缺陷概率的计算装置，其特征在于，第一确定模块包括：
...【技术特征摘要】
1.一种通孔桥连缺陷概率的计算方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的通孔桥连缺陷概率的计算方法，其特征在于：划分所述第一通孔和所述第二通孔的位置关系，包括：
3.根据权利要求2所述的通孔桥连缺陷概率的计算方法，其特征在于，根据所述阈值距离与每一位置关系中所述第一通孔和所述第二通孔之间的最小距离，确定每一位置关系中所述最小距离大于所述阈值距离的位置点，包括：
4.根据权利要求3所述的通孔桥连缺陷概率的计算方法，其特征在于，根据每一位置关系中所述最小距离大于所述阈值距离的位置点，确定不同位置关系中的安全区间，包括：
5.根据权利要求4所述的通孔桥连缺陷概率的计算方法，其特征在于，根据每...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏晓菁，韦亚一，李静静，粟雅娟，
申请(专利权)人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，
类型：发明
国别省市：
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