【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于芯片封装，具体涉及一种多芯片互联实现方法。
技术介绍
1、芯片封装通常用于为芯片安装半导体集成外壳，起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，封装结构还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁——芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。因此，封装对cpu和其他lsi集成电路都起着重要的作用。
2、然而在实现多芯片互联的现有技术存在以下问题：
3、1.封装行业使用玻璃层做通孔以实现芯片互联，实现难度极大，良率极低；
4、2.封装行业使用玻璃层做芯片掩埋载体，连接芯片或者中间层常限于单面导通，不能最大限度利用封装的物理空间。
技术实现思路
1、为解决上述
技术介绍
中提出的问题，本专利技术提供一种多芯片互联实现方法，以解决现有技术中使用玻璃基板做通孔以实现芯片互联，实现难度极大，良率极低的问题以及仅限于单面导通，不能最大限度利用封装的物理空间的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、一种多芯片互联实现方法，包括以下步骤：
4、s1：玻璃层通过结合剂固定安装在玻璃基板上，玻璃层上设有芯片掩埋空腔；
5、s2：在芯片掩埋空腔内填附填充胶，并对填充胶依次进行干膜操作、曝光操作和电镀操作后得到多个第一导体柱；
6、s3：将至少一个掩埋芯片设置在芯片掩埋空腔中，掩埋芯片带金属凸点的一面朝向芯片掩埋空腔的腔底，在掩埋芯
7、s4：研磨玻璃层至预定厚度后露出所有导体柱的顶端，使用半加成法在玻璃层上生成至少一层上再分配层rdl，然后在上再分配层rdl上设置一层上micro连接点层，上再分配层rdl底面的引脚与每个导体柱的顶端连接，上再分配层rdl顶面的引脚与上micro连接点层的连接点连接；
8、s5：将多个芯片倒装，使多个芯片的金属凸点与上micro连接点层上的连接点一一连接，然后对每个倒装的芯片进行底部填充；
9、s6：将玻璃基板解键合，在导体柱底端位置通过激光诱导、蚀刻etch、物理气相沉淀pvd和电镀后，在玻璃层下方制作出多个玻璃通孔tgv；
10、s7：在玻璃层的玻璃通孔tgv下方使用半加成法生成至少一层下再分配层rdl，在下分配层的底面设置一层下micro连接点层，下micro连接点层上的连接点通过下再分配层rdl的引脚和玻璃通孔tgv与第一导体柱的底端或掩埋芯片底面的金属凸点连接；
11、s8：在下micro连接点层的连接点上进行植球，完成多芯片互联。
12、优选地，玻璃层的厚度为0.4mm-0.6mm。
13、优选地，玻璃基板的厚度为0.8mm-1.5mm。
14、优选地，芯片掩埋空腔使用激光诱导及蚀刻etch技术制造，厚度为0.3-0.5mm。
15、优选地，s2中，填充胶为100nm-10umal胶。
16、优选地，s2中，导体柱的高度为80um-300um。
17、优选地，s4中的预定厚度为0.3-0.5mm。
18、优选地，s3中使用的有机介质层包括树脂基板abf和聚酰亚胺膜pi。
19、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
20、本专利技术公开了一种多芯片互联实现方法，通过将芯片设置在玻璃层的芯片掩埋空腔中，再设置导体柱与倒装芯片和连接点层的连接点进行连接，本申请简化了tgv工艺难度，集合薄玻璃穿孔互联工艺，bridge die三维互联工艺，在实现芯片的三维堆叠基础上，简化了工艺难度，极大的提高了工程良率，增强了产品的高频特性，并且芯片掩埋空腔中的芯片双面均与连接点层的连接点进行连接，可最大限度利用封装的物理空间。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种多芯片互联实现方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种多芯片互联实现方法，其特征在于，玻璃层的厚度为0.4mm-0.6mm。
3.根据权利要求1所述的一种多芯片互联实现方法，其特征在于，玻璃基板的厚度为0.8mm-1.5mm。
4.根据权利要求1所述的一种多芯片互联实现方法，其特征在于，芯片掩埋空腔使用激光诱导及蚀刻etch技术制造，厚度为0.3-0.5mm。
5.根据权利要求1所述的一种多芯片互联实现方法，其特征在于，S2中，填充胶为100nm-10umAL胶。
6.根据权利要求1所述的一种多芯片互联实现方法，其特征在于，S2中，导体柱的高度为80um-300um。
7.根据权利要求1所述的一种多芯片互联实现方法，其特征在于，S4中的预定厚度为0.3-0.5mm。
8.根据权利要求1所述的一种多芯片互联实现方法，其特征在于，S3中使用的有机介质层包括树脂基板ABF和聚酰亚胺膜PI。
【技术特征摘要】
1.一种多芯片互联实现方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种多芯片互联实现方法，其特征在于，玻璃层的厚度为0.4mm-0.6mm。
3.根据权利要求1所述的一种多芯片互联实现方法，其特征在于，玻璃基板的厚度为0.8mm-1.5mm。
4.根据权利要求1所述的一种多芯片互联实现方法，其特征在于，芯片掩埋空腔使用激光诱导及蚀刻etch技术制造，厚度为0.3-0.5mm。
5.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：高漩，方立志，
申请(专利权)人：成都奕成集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。