电阻式存储器和电阻式存储器的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种电阻式存储器和电阻式存储器的制造方法，电阻式存储器包括：第一电极部；转换层；第二电极部，第二电极部朝向转换层的一侧设置有第一导电层和阻挡层，第一导电层朝向转换层一侧的表面具有粗糙度，阻挡层位于第一导电层朝向转换层的一侧且与转换层相接触，其中，阻挡层朝向转换层的一侧与第一导电层朝向转换层的一侧纵向间隔设置；和/或阻挡层朝向转换层的一侧与第一导电层朝向转换层的一侧相互平齐。由此，可以对第二电极部和转换层之间的界面进行改善，进一步地优化电阻式存储器的导电性能、散热性能和稳定性能，减小导电导丝生成位置的随机性，从而提升电阻式存储器的工作性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体存储，尤其是涉及一种电阻式存储器和电阻式存储器的制造方法。

技术介绍

1、电阻式存储器(resi stive random access memory，rram or reram)由底电极和顶电极夹一个转换层构成。为了得到更好的电阻式存储器的性能，优化导电性能和散热性能，减小导电导丝生成位置的随机性，底电极与转换层之间必须有良好的接触。通过设置钨层作为底电极和转换层的连接层，这样可以充分利用钨层的特性，减小接触电阻，减小对电阻式存储器的热损伤。

2、在相关技术中，在制造电阻式存储器时，多采用两种方式设置钨层，一种是在底电极上面沉积完钨层之后，直接沉积转换层，另一种是沉积完钨层之后，先对钨层进行化学机械平坦化，然后再沉积转换层。这两种方式过程中都极易发生钨层的氧化，从而导致钨层与转换层之间接触电阻较大，导致电阻式存储器的性能依然不佳。因此，需要对钨层与转换层的接触界面进行优化。

技术实现思路

1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电阻式存储器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第一导电层(31)包括电极主体(311)和凸起(312)，所述凸起(312)设置于所述电极主体(311)且朝向所述转换层(20)凸出设置，所述阻挡层(32)朝向所述转换层(20)的一侧与所述电极主体(311)朝向所述转换层(20)的一侧纵向间隔设置，所述阻挡层(32)朝向所述转换层(20)的一侧与所述凸起(312)朝向所述转换层(20)的一侧纵向间隔设置。

3.根据权利要求2所述的电阻式存储器，其特征在于，所述阻挡层(32)朝向所述转换层(20)的一侧表面为研磨抛光表面...

【技术特征摘要】

1.一种电阻式存储器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第一导电层(31)包括电极主体(311)和凸起(312)，所述凸起(312)设置于所述电极主体(311)且朝向所述转换层(20)凸出设置，所述阻挡层(32)朝向所述转换层(20)的一侧与所述电极主体(311)朝向所述转换层(20)的一侧纵向间隔设置，所述阻挡层(32)朝向所述转换层(20)的一侧与所述凸起(312)朝向所述转换层(20)的一侧纵向间隔设置。

3.根据权利要求2所述的电阻式存储器，其特征在于，所述阻挡层(32)朝向所述转换层(20)的一侧表面为研磨抛光表面。

4.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第一导电层(31)包括电极主体(311)和凸起(312)，所述凸起(312)设置于所述电极主体(311)且朝向所述转换层(20)凸出设置，所述阻挡层(32)朝向所述转换层(20)的一侧与所述电极主体(311)朝向所述转换层(20)的一侧纵向间隔设置，所述凸起(312)朝向所述转换层(20)的一侧与所述阻挡层(32)朝向所述转换层(20)的一侧相互平齐。

5.根据权利要求4所述的电阻式存储器，其特征在于，所述凸起(312)朝向所述转换层(20)的一侧表面和所述阻挡层(32)朝向所述转换层(20)的一侧表面均为研磨抛光表面。

6.根据权利要求2或4所述的电阻式存储器，其特征在于，所述凸起(312)为多个，多个所述凸起(312)沿所述电极主体(311)的横向排布。

7.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：常康康，陈元霖，金志成，陈亮，曹恒，王颖倩，张立芹，孙杰，仇圣棻，
申请(专利权)人：昕原半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：