存储器制备方法及存储器技术

技术编号：40497055 阅读：8 留言：0更新日期：2024-02-26 19:25

本发明专利技术提供一种存储器制备方法及存储器，其中的方法包括：在第一介质层上刻蚀金属槽，并在金属槽内填充第一金属；依次在第一介质层及第一金属上沉积第二介质层和三介质层；在第二介质层和第三介质层上设置孔洞，孔洞延伸至第一金属的上表面；同时，在第一介质层、第二介质层和第三介质层上设置OVL标识槽，OVL标识槽的深度自第三介质层延伸至第一介质层内；在孔洞和OVL标识槽内填充金属层；在金属层与OVL标识槽相对应的沟槽内填充第四介质层，并使第四介质层至少覆盖沟槽至与金属层齐平；对第四介质层、金属层及第三介质层进行研磨，直至孔洞的深度符合预设目标深度。利用上述发明专利技术能够确保OVL标识槽的微观外貌，提高存储器的制备精度。

全部详细技术资料下载

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体加工，更为具体地，涉及一种存储器制备方法及存储器。

技术介绍

1、目前，在rram(阻变式存储器单元)的制作工艺中，上电极光刻能够直接测量当层上电极对前层下电极的ovl(套刻精度)，从而得到ovl信号以及直观的上电极和下电极的对准结果。

2、但是，现有rram制备工艺流程，例如be via(下电极金属穿孔)刻蚀、be金属材料填充、be cmp(chemical-mechanical planarization，化学机械抛光)、ram材料沉积等，为保证be via阵列能够被有效刻开，需要be et满足一定的过刻蚀量。但由于ovl mark下方不存在金属阻挡层，be et的过刻蚀会导致ovl mark的沟槽深度明显高于阵列区域be via的深度。从而导致在be via金属材料填充后，ovl mark的沟槽往往没有填充满，在后续的be cmp工艺中，会严重影响be层ovl mark的微观形貌，使得ovl mark对称性变差，从而影响te ph量测结果的准确性。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本专利技术的目的是提供一种存储器制备方法及存储器，以解决现有rram制备工艺流程，ovl mark的沟槽不能进行有效填充，导致影响be层ovl mark的微观形貌，使得ovl mark对称性变差，影响te ph量测结果的准确性等问题。

2、本专利技术提供的存储器制备方法，包括在第一介质层上刻蚀金属槽，并在金属槽内填充第一金属；在第一介质层及第一金属上沉积第

3、此外，可选的技术方案是，对第四介质层、金属层及第三介质层进行研磨，直至孔洞的深度符合预设目标深度的过程，包括：按照第一预设选择比，将第四介质层研磨至第三介质层的上表面，然后按照第二预设选择比，将第四介质层、金属层、第三介质层研磨至孔洞的深度符合预设目标深度。

4、此外，可选的技术方案是，当金属层填充至孔洞后，填充有金属层的孔洞形成存储器的下电极金属穿孔阵列。

5、此外，可选的技术方案是，将第四介质层、金属层、第三介质层研磨至孔洞的深度符合预设目标深度，包括：通过化学机械抛光对第四介质层、金属层和第三介质层进行研磨。

6、此外，可选的技术方案是，金属层通过物理气相沉积工艺填充设置。

7、此外，可选的技术方案是，第一金属的纵截面为矩形结构，孔洞的纵截面为梯形结构。

8、此外，可选的技术方案是，第一介质层与第三介质层的材料相同，且与第二介质层的材料不同。

9、此外，可选的技术方案是，第一金属的高度填充至与第一介质层的上表面相平齐。

10、此外，可选的技术方案是，第一预设选择比为第四介质层与金属层的选择比，第二预设选择比为金属层与第四介质层的选择比。

11、此外，可选的技术方案是，第二预设选择比为1:1，第一预设选择比大于第二预设选择比。

12、此外，可选的技术方案是，ovl标识槽的深度大于孔洞的深度。

13、另一方面，本专利技术还提供一种存储器，利用如上述存储器制备方法的流程进行制备。

14、利用上述存储器制备方法及存储器，能够在金属层与ovl标识槽相对应的沟槽内填充一个介质层，并使介质层覆盖沟槽以及金属层，再通过预设选择比，将第四介质层研磨至第三介质层的上表面，以及将第四介质层、金属层、第三介质层研磨至孔洞的深度符合预设目标深度，能够保证cmp工艺过程中ovl标识槽内能够被材料完全填充，避免或减少cmp工艺对ovl标识微观形貌的影响，提高其对称性。

15、为了实现上述以及相关目的，本专利技术的一个或多个方面包括后面将详细说明的特征。下面的说明以及附图详细说明了本专利技术的某些示例性方面。然而，这些方面指示的仅仅是可使用本专利技术的原理的各种方式中的一些方式。此外，本专利技术旨在包括所有这些方面以及它们的等同物。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器制备方法，其特征在于，所述对所述第四介质层、所述金属层及所述第三介质层进行研磨，直至所述孔洞的深度符合预设目标深度的过程，包括：

3.根据权利要求1所述的存储器制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的存储器制备方法，其特征在于，将所述第四介质层、所述金属层、所述第三介质层研磨至所述孔洞的深度符合预设目标深度，包括：

5.根据权利要求1所述的存储器制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的存储器制备方法，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的存储器制备方法，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的存储器制备方法，其特征在于，

9.根据权利要求2所述的存储器制备方法，其特征在于，

10.根据权利要求2所述的存储器制备方法，其特征在于，

11.根据权利要求1所述的存储器制备方法，其特征在于，

12.一种存储器，其特征在于，利用如权利要求1至11任一项所述的存储器制备方法进行制备。

...

【技术特征摘要】

1.一种存储器制备方法，其特征在于，包括：

3.根据权利要求1所述的存储器制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的存储器制备方法，其特征在于，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪加其，仇圣棻，杨芸，陈亮，李晓波，
申请(专利权)人：昕原半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载我是这个专利的主人