【技术实现步骤摘要】
各实施例涉及显示装置。
技术介绍
1、显示装置显示图像，并且包括液晶显示器(“lcd”)、有机发光显示装置或电泳显示器(“epd”)等。通常，有机发光显示装置包括多个像素，每个像素包括有机发光二极管和薄膜晶体管。每个像素的有机发光二极管可以发射具有与驱动电流相对应的亮度的光。
技术实现思路
1、正在进行各种尝试来精确地控制驱动电流。然而，当尝试精确地控制驱动电流时功耗可能增加。
2、实施例包括一种能够在维持亮度控制力的同时减小功耗的显示装置。然而，这些目的是示例性的，并且本公开的范围不由此限制。
3、附加的特征将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将根据该描述而是明显的，或者可以通过实践本公开的所呈现的实施例来获知。
4、在本公开的实施例中，显示装置包括：基板；发光二极管，布置在基板上；驱动晶体管，布置在基板上，电连接到发光二极管，并且包括多个沟道区；以及多个下金属层，设置在基板与驱动晶体管之间并且分别与多个沟道区重叠。
5、在实施例中，多个下金属层可以彼此间隔开。
6、在实施例中，多个沟道区可以包括第一沟道区和第二沟道区，并且多个下金属层可以包括：第一下金属层，与第一沟道区重叠并且被施加第一电压；和第二下金属层，与第二沟道区重叠并且被施加具有与第一电压的大小不同的大小的第二电压。
7、在实施例中，第一下金属层和第二下金属层可以设置在不同的层中。
8、在实施例中，第一下金属层和第二下金属层可以彼此重
9、在实施例中，第一下金属层和第二下金属层可以设置在同一层中。
10、在实施例中，第一下金属层和第二下金属层中的每一个可以在第一方向上延伸。
11、在实施例中，第二沟道区的宽度与第二沟道区的长度的比率可以大于第一沟道区的宽度与第一沟道区的长度的比率。
12、在实施例中，显示装置可以进一步包括布置在多个沟道区上的栅导电层，并且栅导电层可以与多个沟道区重叠。
13、在实施例中，驱动晶体管可以包括硅半导体层，硅半导体层包括多个沟道区。
14、在本公开的实施例中，显示装置包括：基板；第一下金属层，布置在基板上；第二下金属层，布置在基板上并且与第一下金属层间隔开；驱动晶体管，布置在第一下金属层和第二下金属层上并且包括硅半导体层；以及栅导电层，布置在硅半导体层上。硅半导体层可以包括与第一下金属层重叠的第一沟道区以及与第二下金属层重叠的第二沟道区。
15、在实施例中，第一下金属层和第二下金属层可以设置在不同的层中。
16、在实施例中，第一下金属层和第二下金属层可以设置在同一层中。
17、在实施例中，第一下金属层和第二下金属层可以彼此不重叠。
18、在实施例中，第一下金属层和第二下金属层中的全部可以在第一方向上延伸。
19、在实施例中，栅导电层可以与第一沟道区和第二沟道区重叠。
20、在实施例中，第一电压可以被施加到第一下金属层，并且大于第一电压的第二电压可以被施加到第二下金属层。
21、在实施例中，驱动晶体管可以是p沟道金属氧化物半导体(“pmos”)晶体管。
22、在实施例中，第二沟道区的宽度与第二沟道区的长度的比率可以大于第一沟道区的宽度与第一沟道区的长度的比率。
23、在实施例中，第一下金属层和第二下金属层可以包括相同的材料。
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1.一种显示装置，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个下金属层彼此间隔开。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个沟道区包括第一沟道区和第二沟道区，并且
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一下金属层和所述第二下金属层设置在不同的层中。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一下金属层和所述第二下金属层彼此重叠。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一下金属层和所述第二下金属层设置在同一层中。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一下金属层和所述第二下金属层中的每一个在第一方向上延伸。
8.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二沟道区的宽度与所述第二沟道区的长度的比率大于所述第一沟道区的宽度与所述第一沟道区的长度的比率。
9.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括布置在所述多个沟道区上的栅导电层，
10.根据权利要求1至9中任一项所述的显示装置，其中，所述驱动晶体管包括硅半导体层，所述硅半导体层包括
11.一种显示装置，包括：
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一下金属层和所述第二下金属层设置在不同的层中。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一下金属层和所述第二下金属层设置在同一层中。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一下金属层和所述第二下金属层彼此不重叠。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一下金属层和所述第二下金属层中的每一个在第一方向上延伸。
16.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述栅导电层与所述第一沟道区和所述第二沟道区重叠。
17.根据权利要求11所述的显示装置，其中，第一电压被施加到所述第一下金属层，并且大于所述第一电压的第二电压被施加到所述第二下金属层。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述驱动晶体管是P沟道金属氧化物半导体晶体管。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第二沟道区的宽度与所述第二沟道区的长度的比率大于所述第一沟道区的宽度与所述第一沟道区的长度的比率。
20.根据权利要求11至19中任一项所述的显示装置，其中，所述第一下金属层和所述第二下金属层包括相同的材料。
...【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个下金属层彼此间隔开。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个沟道区包括第一沟道区和第二沟道区，并且
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一下金属层和所述第二下金属层设置在不同的层中。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一下金属层和所述第二下金属层彼此重叠。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一下金属层和所述第二下金属层设置在同一层中。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一下金属层和所述第二下金属层中的每一个在第一方向上延伸。
8.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二沟道区的宽度与所述第二沟道区的长度的比率大于所述第一沟道区的宽度与所述第一沟道区的长度的比率。
9.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括布置在所述多个沟道区上的栅导电层，
10.根据权利要求1至9中任一项所述的显示装置，其中，所述驱动晶体管包括硅半导体层，所述硅半导体层包括所述多个沟道区。
11.一种显示装置，包括：
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