【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体存储，尤其是涉及一种电阻式存储器和电阻式存储器的制造方法。
技术介绍
1、电阻式存储器(resi stive random access memory，rram or reram)由底电极和顶电极夹一个转换层构成。为了得到更好的rram的性能，优化导电性和散热性能，减小导电导丝生成位置的随机性，底电极与转换层之间必须有良好的接触。通过设置钨层作为底电极和转换层的连接层，这样可以充分利用钨层的特性，减小接触电阻，减小对电阻式存储器的热损伤。
2、在相关技术中，在制造电阻式存储器时，在沉积完钨层之后，为保证制备的需要，需要先对钨层进行化学机械平坦化，然后再沉积转换层，但是这样不但会使钨层发生氧化，从而导致钨层与转换层之间接触电阻较大，导致电阻式存储器的性能依然不佳，而且钨层表面过于平整化，使导电导丝形成位置比较随机，导致电性的不确定，热量的产生也不容易控制。因此，需要对钨层与转换层的接触界面进行优化。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种电阻式存储器，该电阻式存储器的性能更优。
2、本专利技术进一步地提出了一种电阻式存储器的制造方法。
3、根据本专利技术实施例的电阻式存储器，包括：第一电极部；转换层，所述转换层设置于所述第一电极部的一侧且与所述第一电极部相接触；第二电极部，所述第二电极部设置于所述转换层背离所述第一电极部的一侧，所述第二电极部朝向所述转换层的一
4、由此，通过在第二电极部朝向转换层的一侧设置有第一导电层，第一导电层朝向转换层的一侧表面为粗糙表面，粗糙表面与转换层相接触，这样可以对第二电极部和转换层之间的界面进行改善，进一步地优化电阻式存储器的导电性能和散热性能，减小导电导丝生成位置的随机性，从而提升电阻式存储器的工作性能。
5、在本专利技术的一些示例中，所述粗糙表面为酸洗表面。
6、在本专利技术的一些示例中，所述第一导电层包括电极主体和凸起，所述凸起设置于所述电极主体朝向所述转换层的一侧，所述凸起朝向所述转换层的一侧和所述电极主体朝向所述转换层的一侧共同形成所述粗糙表面。
7、在本专利技术的一些示例中，所述凸起为多个，多个所述凸起沿所述电极主体的横向排布。
8、在本专利技术的一些示例中，所述第一导电层朝向所述转换层一侧表面的粗糙度均方根为rq，rq满足关系式：rq＝[5a,30a]。
9、在本专利技术的一些示例中，所述第一导电层的材料包括钨、钛、硅、铝、钽、氮化钽、氮化钨和氮化钛中的至少一种。
10、根据本专利技术实施例的电阻式存储器的制造方法，适用于以上所述的电阻式存储器，所述电阻式存储器的制造方法包括以下步骤：在第二导电层的一侧沉积所述第一导电层，其中，所述第二电极部包括所述第二导电层；酸洗所述第一导电层背离所述第二导电层的一侧，以使所述第一导电层背离所述第二导电层的一侧表面形成所述粗糙表面；在所述粗糙表面沉积所述转换层。
11、在本专利技术的一些示例中，所述酸洗所述第一导电层背离所述第二导电层的一侧，以使所述第一导电层背离所述第二导电层的一侧表面形成所述粗糙表面的步骤还包括：在所述第一导电层背离所述第二导电层的一侧形成氧化层；酸洗所述氧化层，以使所述第一导电层背离所述第二导电层的一侧形成所述粗糙表面。
12、在本专利技术的一些示例中，所述酸洗所述氧化层，以使所述第一导电层背离所述第二导电层的一侧形成所述粗糙表面的步骤还包括：酸洗所述第一导电层的凸起的至少部分。
13、在本专利技术的一些示例中，所述在第二导电层的一侧沉积所述第一导电层的步骤还包括：在所述第二导电层的一侧通过物理气相沉积所述第一导电层。
14、在本专利技术的一些示例中，所述在第二导电层的一侧沉积所述第一导电层的步骤之前还包括：对所述第二导电层的一侧进行研磨抛光。
15、本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
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1.一种电阻式存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述粗糙表面为酸洗表面。
3.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第一导电层(31)包括电极主体(311)和凸起(312)，所述凸起(312)设置于所述电极主体(311)朝向所述转换层(20)的一侧，所述凸起(312)朝向所述转换层(20)的一侧和所述电极主体(311)朝向所述转换层(20)的一侧共同形成所述粗糙表面。
4.根据权利要求3所述的电阻式存储器，其特征在于，所述凸起(312)为多个，多个所述凸起(312)沿所述电极主体(311)的横向排布。
5.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第一导电层(31)朝向所述转换层(20)一侧表面的粗糙度均方根为Rq，Rq满足关系式：Rq＝[5A,30A]。
6.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第一导电层(31)的材料包括钨、钛、硅、铝、钽、氮化钽、氮化钨和氮化钛中的至少一种。
7.一种电阻式存储器的制造方法，适用于权利要求1-6
8.根据权利要求7所述的电阻式存储器的制造方法，其特征在于，所述酸洗所述第一导电层(31)背离所述第二导电层(33)的一侧，以使所述第一导电层(31)背离所述第二导电层(33)的一侧表面形成所述粗糙表面的步骤还包括：
9.根据权利要求8所述的电阻式存储器的制造方法，其特征在于，所述酸洗所述氧化层(32)，以使所述第一导电层(31)背离所述第二导电层(33)的一侧形成所述粗糙表面的步骤还包括：
10.根据权利要求7所述的电阻式存储器的制造方法，其特征在于，所述在第二导电层(33)的一侧沉积所述第一导电层(31)的步骤还包括：
11.根据权利要求7所述的电阻式存储器的制造方法，其特征在于，所述在第二导电层(33)的一侧沉积所述第一导电层(31)的步骤之前还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种电阻式存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述粗糙表面为酸洗表面。
3.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第一导电层(31)包括电极主体(311)和凸起(312)，所述凸起(312)设置于所述电极主体(311)朝向所述转换层(20)的一侧，所述凸起(312)朝向所述转换层(20)的一侧和所述电极主体(311)朝向所述转换层(20)的一侧共同形成所述粗糙表面。
4.根据权利要求3所述的电阻式存储器，其特征在于，所述凸起(312)为多个，多个所述凸起(312)沿所述电极主体(311)的横向排布。
5.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第一导电层(31)朝向所述转换层(20)一侧表面的粗糙度均方根为rq，rq满足关系式：rq＝[5a,30a]。
6.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第一导电层(31)的材料包括钨、钛、硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：常康康，仇圣棻，陈亮，金志成，倪加其，何兆兴，王颖倩，张立芹，孙杰，曹恒，
申请(专利权)人：昕原半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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