半导体器件制造技术

一种半导体器件，包括：衬底，包括PMOS区域、N阱抽头形成区域以及边界区域；PMOS场效应晶体管，位于所述PMOS区域上；N阱抽头区域，位于所述N阱抽头形成区域中，掺杂有N型杂质；第一金属图案，连接到所述PMOS场效应晶体管的至少一个杂质区域，其中，所述第一金属图案延伸，使得所述第一金属图案的端部位于所述边界区域上；第二金属图案，电连接到所述N阱抽头区域，其中，所述第二金属图案延伸，使得所述第二金属图案的端部位于所述边界区域上；第一接触插塞，位于所述第一金属图案上；第二接触插塞，位于所述第二金属图案上；以及上部布线，位于所述第一接触插塞和所述第二接触插塞上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思的实施例涉及一种半导体器件。具体地，本专利技术构思的实施例涉及包括p沟道金属氧化物半导体(pmos)场效应晶体管(fet)的半导体器件。

技术介绍

1、半导体器件是可以包括场效应晶体管(fet)的电子器件。在使用fet构成电路时，可以在fet上形成用于与fet电连接的布线。用于供电的杂质区域(也称为“抽头区域(tapregion)”)可以形成在其上形成有半导体器件的衬底上。用作p沟道金属氧化物半导体(pmos)fet的源极/漏极的杂质区域可以电连接到n阱抽头区域。

技术实现思路

1、本专利技术构思的示例实施例提供一种包括p沟道金属氧化物半导体(pmos)场效应晶体管(fet)的半导体器件。

2、根据本专利技术构思的示例实施例，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括pmos区域、n阱抽头形成区域以及位于所述pmos区域与所述n阱抽头形成区域之间的边界区域；pmos场效应晶体管，所述pmos场效应晶体管位于所述pmos区域上；n阱抽头区域，所述n阱抽头区域位于所述n本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述N阱抽头形成区域的在所述第一金属图案的延伸方向上面对所述第一金属图案的部分中不设置金属图案。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括第三金属图案，所述第三金属图案设置在所述N阱抽头形成区域的在所述第一金属图案的延伸方向上面对所述第一金属图案的部分中，

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接触插塞的底部包括接触所述第一金属图案的第一部分和不接触所述第一金属图案的第二部分。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述n阱抽头形成区域的在所述第一金属图案的延伸方向上面对所述第一金属图案的部分中不设置金属图案。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括第三金属图案，所述第三金属图案设置在所述n阱抽头形成区域的在所述第一金属图案的延伸方向上面对所述第一金属图案的部分中，

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接触插塞的底部包括接触所述第一金属图案的第一部分和不接触所述第一金属图案的第二部分。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接触插塞远离所述第一金属图案朝向所述n阱抽头形成区域延伸。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一金属图案和所述第二金属图案在所述第一金属图案的延伸方向上不沿着一条线对齐。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一金属图案和所述第二金属图案包括钨。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一金属图案的上表面包括具有第一高度的第三部分以及具有与所述第一高度不同的第二高度的第四部分。

9.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，在所述n阱抽头形成区域的在所述第二方向上面对所述第一金属图案的部分中...

【专利技术属性】
技术研发人员：金珍，金南宰，金秀宾，金柄武，全众源，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：