【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片信息安全防护，特别涉及一种电路信息安全处理方法和芯片。
技术介绍
1、现有技术中，对芯片的保护包括硬件保护和软件保护，在硬件保护中，通过程序固件烧写熔断的方式，虽然能够防止固件被二次烧写，但是并不能阻止对于芯片的加密攻击与分析，将芯片拆解后，通过特定夹具能够暴露出原电路板没有留出的引脚电路，对芯片进行分析与攻击；同时固件烧写的熔断机制，并没有改变芯片内部晶圆的实际电路布图，容易被通过x光照射、磨片等方式对于芯片的功能电路及分布进行非法分析破解。
2、另外通过加密芯片对协议加密的方式，虽然能够防止通过外部数据总线进行攻击，但通过芯片的拆解及非法工装夹具的使用，容易规避外部加密芯片的作用造成信息安全保护功能失效，并且仍然无法阻止对于芯片晶圆本身的x照射及磨片分析，芯片内部的数据及电路布图容易被非法读取及破解。
技术实现思路
1、本申请要解决的是如何防止通过x光照射和磨片对芯片进行破解的攻击行为的技术问题。为解决该技术问题，本申请提供的技术方案如下：
2、一方面，本申请提供了一种电路信息安全处理方法，应用于芯片，所述芯片的内部设置有真空腔体结构，所述真空腔体结构中设置有金属介质，所述方法包括：对所述芯片进行加热，以使所述金属介质在当前加热温度大于或等于目标温度的情况下吸热后，形成金属蒸汽，以及以使所述金属蒸汽运动至目标表面并放热凝固后在所述目标表面上形成金属防护层；其中，所述目标温度为在真空条件下，所述金属介质吸热后，形成所述金属蒸汽的温度，所述
3、在本专利技术的一个实施例中，所述对所述芯片进行加热包括：对所述芯片进行贴片加工，控制当前加热温度低于目标温度，以使所述金属介质保持非气态；在所述贴片加工完成之后，对所述芯片进行加热，控制所述当前加热温度大于或等于所述目标温度，以使所述金属介质吸热后，形成所述金属蒸汽，以及以使所述金属蒸汽运动至所述目标表面并放热凝固后在所述目标表面上形成金属防护层；其中，所述目标表面包括整体表面和局部表面，所述真空腔体结构包括整体真空腔体结构和局部真空腔体结构。
4、在本专利技术的一个实施例中，所述芯片包括物理防护结构，所述物理防护结构包括封装体，所述封装体内设置有所述真空腔体结构，所述真空腔体结构内设置有金属介质容纳部，所述金属介质容纳部中设置有预定量的所述金属介质，所述金属介质容纳部位于远离所述目标表面的位置，所述预定量根据所述目标表面的面积大小确定，所述真空腔体结构内设置有迷宫通道，所述迷宫通道包括入口、出口和通道主体，所述入口设置在所述金属介质容纳部的周围区域，所述对所述芯片进行加热，以使所述金属介质在当前加热温度大于或等于目标温度的情况下吸热后，形成所述金属蒸汽，以及以使所述金属蒸汽运动至所述目标表面并放热凝固后在所述目标表面上形成金属防护层包括：对所述芯片进行加热，以使所述金属介质在当前加热温度大于或等于目标温度的情况下吸热后，形成所述金属蒸汽；以及以使所述金属蒸汽通过所述入口进入所述迷宫通道；以及使所述金属蒸汽与所述通道主体进行换热，用以延缓所述金属蒸汽到达所述目标表面的时间；以及在所述当前加热温度高于所述目标温度，并且加热的时间大于或等于预设时间的情况下，以使所述金属蒸汽通过所述出口并向所述目标表面运动，放热凝固后在所述目标表面上形成金属防护层；其中，所述预设时间为所述金属蒸汽穿过所述迷宫通道并到达所述目标表面的加热时间。
5、在本专利技术的一个实施例中，所述方法还包括：在所述当前加热温度高于所述目标温度，并且加热的时间小于所述预设时间的情况下，使所述金属蒸汽与所述通道主体换热后凝固并覆盖在所述通道主体上。
6、在本专利技术的一个实施例中，所述芯片的外表面上设置有散热介质，所述方法还包括：在对所述芯片进行贴片加工的过程中，在所述当前加热温度高于所述目标温度的情况下，使所述散热介质吸收热量，以使所述当前加热温度降低，减缓所述芯片内的所述金属介质吸热后形成所述金属蒸汽的速度；其中，所述散热介质为与所述金属介质的材质相同的介质或者与所述金属介质的材质不同的其他介质。
7、另一方面，本申请还提供了一种芯片，所述芯片包括物理防护结构，所述物理防护结构用于在芯片受热遭受破坏的情况下，形成金属防护层，防止所述芯片发生信息泄露；所述物理防护结构包括封装体和金属介质，所述封装体内设置有真空腔体结构，所述金属介质设置在所述真空腔体结构内，所述真空腔体结构覆盖在目标表面上，所述目标表面为待防护的芯片电路的表面；其中，所述金属介质用于在当前加热温度高于目标温度的情况下，吸热并形成金属蒸汽，运动至所述目标表面并形成金属防护层。
8、在本专利技术的一个实施例中，所述真空腔体结构内设置有金属介质容纳部，所述金属介质容纳部内设置有预定量的所述金属介质，所述目标表面包括整体表面和局部表面，所述真空腔体结构包括局部真空腔体结构和整体真空腔体结构；其中，所述金属介质容纳部位于远离所述目标表面的位置，所述预定量根据所述目标表面的面积大小确定。
9、在本专利技术的一个实施例中，在所述芯片电路为局部电路的情况下，所述真空腔体结构为所述局部真空腔体结构，所述局部真空腔体结构用以对所述局部电路进行保护。
10、在本专利技术的一个实施例中，所述真空腔体结构内设置有迷宫通道，所述迷宫通道包括入口、出口和通道主体，所述入口设置在所述金属介质容纳部的周围区域，所述出口设置在所述金属介质容纳部靠近所述目标表面上方的周围区域；其中，所述迷宫通道用于与所述金属蒸汽进行换热，以延缓所述金属蒸汽到达所述目标表面的时间。
11、在本专利技术的一个实施例中，所述封装体的外表面设置有散热介质，所述散热介质为与所述金属介质的材质相同的介质或者与所述金属介质的材质不同的其他介质，所述散热介质用于在进行贴片加工时，吸收热量，降低所述当前加热温度，减缓所述真空腔体结构内的所述金属介质吸热后形成所述金属蒸汽的速度。
12、采用上述技术方案，本申请提供的电路信息安全处理方法具有如下有益效果：本专利技术提供的电路信息安全处理方法，具有能够防止对芯片的二次拆解的功能，在拆解时，芯片的金属介质吸热后，形成金属蒸汽后凝固覆盖在需要保护的晶圆电路的表面，造成晶圆电路短路，无法进行上电读取，由于金属对x光的吸收，也无法通过x光的照射获取芯片内部电路结构，提高了芯片对破坏性拆解行为的防御性，提高了芯片的自毁能力和信息安全加密性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种电路信息安全处理方法，其特征在于，应用于芯片，所述芯片的内部设置有真空腔体结构(3)，所述真空腔体结构(3)中设置有金属介质(2)，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述芯片进行加热包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述芯片包括物理防护结构，所述物理防护结构包括封装体(4)，所述封装体(4)内设置有所述真空腔体结构(3)，所述真空腔体结构(3)内设置有金属介质容纳部(11)，所述金属介质容纳部(11)中设置有预定量的所述金属介质(2)，所述金属介质容纳部(11)位于远离所述目标表面(10)的位置，所述预定量根据所述目标表面(10)的面积大小确定，所述真空腔体结构(3)内设置有迷宫通道(8)，所述迷宫通道(8)包括入口、出口和通道主体(9)，所述入口设置在所述金属介质容纳部(11)的周围区域，所述对所述芯片进行加热，以使所述金属介质(2)在当前加热温度大于或等于目标温度的情况下吸热后，形成所述金属蒸汽，以及以使所述金属蒸汽运动至所述目标表面(10)并放热凝固后在所述目标表面(10)上形成金属防护层包括：<...
【技术特征摘要】
1.一种电路信息安全处理方法，其特征在于，应用于芯片，所述芯片的内部设置有真空腔体结构(3)，所述真空腔体结构(3)中设置有金属介质(2)，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述芯片进行加热包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述芯片包括物理防护结构，所述物理防护结构包括封装体(4)，所述封装体(4)内设置有所述真空腔体结构(3)，所述真空腔体结构(3)内设置有金属介质容纳部(11)，所述金属介质容纳部(11)中设置有预定量的所述金属介质(2)，所述金属介质容纳部(11)位于远离所述目标表面(10)的位置，所述预定量根据所述目标表面(10)的面积大小确定，所述真空腔体结构(3)内设置有迷宫通道(8)，所述迷宫通道(8)包括入口、出口和通道主体(9)，所述入口设置在所述金属介质容纳部(11)的周围区域，所述对所述芯片进行加热，以使所述金属介质(2)在当前加热温度大于或等于目标温度的情况下吸热后，形成所述金属蒸汽，以及以使所述金属蒸汽运动至所述目标表面(10)并放热凝固后在所述目标表面(10)上形成金属防护层包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述芯片的外表面上设置有散热介质(5)，所述方法还包括：
6.一种芯片，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：孔庆宇，
申请(专利权)人：中汽创智科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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