【技术实现步骤摘要】
本公开涉及图像传感器，更具体地，涉及包括阻挡条的图像传感器。
技术介绍
1、图像传感器可以是用于将光学图像转换为电信号的装置。图像传感器可被分类为电荷耦合器件(ccd)图像传感器和互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器中的任何一个。cis是cmos图像传感器的缩写。cis可包括二维布置的多个像素。每个像素可包括光电二极管(pd)。光电二极管可将入射光转换为电信号。
技术实现思路
1、专利技术构思的示例实施例可提供具有提高的灵敏度的图像传感器。
2、在一些方面，一种图像传感器可包括：基底，包括像素阵列区域和围绕像素阵列区域的光学黑色区域；微透镜，在像素阵列区域上方；虚设透镜，在光学黑色区域上方；以及阻挡条，在光学黑色区域上方。阻挡条的长度可大于微透镜的长度和虚设透镜的长度。阻挡条的顶表面可以是弯曲的。
3、在一些方面，一种图像传感器可包括：基底，包括像素阵列区域和围绕像素阵列区域的光学黑色区域；微透镜，在像素阵列区域上方；虚设透镜，在光学黑色区域上方；以及阻挡条，在光学黑色区域上方。阻挡条的长度可大于微透镜的长度和虚设透镜的长度。阻挡条可围绕微透镜。
4、在一些方面，一种图像传感器可包括：基底，包括像素阵列区域和围绕像素阵列区域的光学黑色区域；滤色器，在像素阵列区域上方；黑色体过滤层，在光学黑色区域上方；透镜层，在滤色器和黑色体过滤层上；以及涂层，在透镜层上。透镜层可包括基部、基部上的微透镜、基部上的虚设透镜、以及基部上的阻挡条。阻挡条的长度可
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1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，阻挡条围绕微透镜。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，阻挡条包括：
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，虚设透镜包括：
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，阻挡条的顶表面的曲率半径等于微透镜的顶表面的曲率半径。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，阻挡条的宽度等于微透镜的宽度。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，
10.根据权利要求1至权利要求9中的任一项所述的图像传感器，其中，阻挡条的最上水平与微透镜的最上水平相同。
11.一种图像传感器，包括：
12.根据权利要求11所述的图像传感器，还包括：
13.根据权利要求12所述的图像传感器，其中，
14.根据权利要求11所述的图像传感器，其中，
15.根据权利要求11所述的图像传
16.根据权利要求11所述的图像传感器，其中，阻挡条的顶表面是弯曲的。
17.根据权利要求11至权利要求16中的任一项所述的图像传感器，其中，阻挡条的宽度等于微透镜的宽度。
18.根据权利要求11至权利要求16中的任一项所述的图像传感器，其中，阻挡条的宽度不同于微透镜的宽度。
19.一种图像传感器，包括：
20.根据权利要求19所述的图像传感器，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，阻挡条围绕微透镜。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，阻挡条包括：
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，虚设透镜包括：
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，阻挡条的顶表面的曲率半径等于微透镜的顶表面的曲率半径。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，阻挡条的宽度等于微透镜的宽度。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，
10.根据权利要求1至权利要求9中的任一项所述的图像传感器，其中，阻挡条的最上水平与微透镜的最上...
【专利技术属性】
技术研发人员：任周娟，金成宽，李准泽，金杜镇，郑珉旭，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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