半导体器件制造技术

一种半导体器件，可以包括：位线结构，在衬底上沿一个方向延伸；绝缘结构，在位线结构之间并且彼此间隔开；以及着接焊盘结构，在位线结构和绝缘结构之间的每个开口中。着接焊盘结构可以包括填充开口的一部分的第一阻挡金属图案、在第一阻挡金属图案上沿着开口的表面轮廓的第二阻挡金属图案、以及在第二阻挡金属图案上的第一金属图案。第二阻挡金属图案可以具有在与开口相邻的位线结构上的端部。第一金属图案的上表面可以比位线结构的上表面高。第一阻挡金属图案的最上表面低于第一金属图案的最下表面。

【技术实现步骤摘要】

各种示例实施例涉及一种半导体器件。具体地，各种示例实施例涉及一种dram(动态随机存取存储器)器件。

技术介绍

1、在dram器件中，与电容器和有源图案电连接的着接焊盘结构可以形成或布置在位线结构之间。随着着接焊盘结构的纵横比增加，着接焊盘结构的结构变得不稳定。因此，可能发生着接焊盘结构的上部被损坏的缺陷。

技术实现思路

1、各种示例实施例提供了一种包括着接焊盘结构的半导体器件。

2、根据一些示例实施例，提供了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：位线结构，在衬底上，并沿一个方向延伸；绝缘结构，在位线结构之间，并且彼此间隔开；以及着接焊盘结构，布置在位线结构和绝缘结构之间的每个开口中。着接焊盘结构可以包括填充开口的一部分的第一阻挡金属图案、在第一阻挡金属图案上沿着开口的表面轮廓布置的第二阻挡金属图案、以及在第二阻挡金属图案上的第一金属图案。第二阻挡金属图案可以具有在与开口相邻的位线结构上的端部。第一金属图案的上表面可以比位线结构的上表面高。第一阻挡金属图案的最上表面可以低于第一金属图案的最下表面。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一阻挡金属图案和所述第二阻挡金属图案中的每一个独立地包括选自钛Ti、钽Ta、氮化钛TiN和氮化钽TaN中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一金属图案包括钨。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在截面图中，所述第二阻挡金属图案包括在所述第一阻挡金属图案的上表面上的第一部分、在所述位线结构之一的一个侧壁上的第二部分、以及在所述位线结构之一的上表面和面向所述第二部分的一个侧壁上的第三部分。<...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一阻挡金属图案和所述第二阻挡金属图案中的每一个独立地包括选自钛ti、钽ta、氮化钛tin和氮化钽tan中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一金属图案包括钨。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在截面图中，所述第二阻挡金属图案包括在所述第一阻挡金属图案的上表面上的第一部分、在所述位线结构之一的一个侧壁上的第二部分、以及在所述位线结构之一的上表面和面向所述第二部分的一个侧壁上的第三部分。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二阻挡金属图案的边缘部分包括从在所述第二阻挡金属图案上的所述第一金属图案开始的凹陷部分。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述着接焊盘结构中，堆叠有所述第二阻挡金属图案和所述第一金属图案的结构的下宽度大于所述第一阻挡金属图案的上宽度。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一阻挡金属图案具有柱形状。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底还具有多个接触孔，所述多个接触孔具有在不同...

【专利技术属性】
技术研发人员：金圭旻，宋泰龙，安在荣，李志银，黄德性，权睿珍，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：