一种改善注入晶圆翘曲的方法和压电单晶薄膜及其制备方法技术

技术编号:40482435 阅读:36 留言:0更新日期:2024-02-26 19:16
本发明专利技术提供了一种改善注入晶圆翘曲的方法和压电单晶薄膜及其制备方法,包括将压电晶圆依次与第一支撑衬底和第二支撑衬底进行两次晶圆键合,得到具有刚性的复合键合结构,抑制所述压电晶圆在离子注入过程中产生的热应力。采用本发明专利技术的技术方案,通过将压电晶圆预先与支撑衬底进行键合,获得刚性键合结构,可以有效地抑制压电晶圆发生不均匀的热膨胀,极大地改善了在离子注入过程中导致的晶圆翘曲问题,提高压电单晶薄膜的成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子信息材料领域,具体涉及一种改善注入晶圆翘曲的方法和压电单晶薄膜及其制备方法


技术介绍

1、随着移动通讯技术的迅猛发展和5g无线通信网络的全面部署,对射频前端模块提出了更高的性能要求。滤波器作为射频前端的核心模块,也在朝着高频、大带宽、低损耗和良好的温度稳定性方向发展。射频滤波器主要有声表面波滤波器和体声波滤波器两种,然而,基于铌酸锂、钽酸锂单晶体材料的传统声学滤波器无法兼具上述性能特点,很难满足5g通信新技术的需求。近年来,基于压电单晶薄膜的高性能射频滤波器受到业界的广泛关注,下层支撑衬底通常具有较高声速,可以实现波导效果,从而限制声波能量耗散并提升品质因子。同时每层材料的独特性能可以优化器件服役性能。

2、离子束剥离是目前获得高质量压电单晶薄膜常用的方法之一,该制备技术主要包括离子注入、键合和热剥离等步骤。例如中国专利技术专利cn111883648a公开了一种压电薄膜的制备方法、压电薄膜及带通滤波器,包括获取多个压电晶圆和多个预设衬底晶圆;对多个压电晶圆进行离子注入,得到多个离子注入后的压电晶圆;多个离子注入后的压电晶圆内本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善注入晶圆翘曲的方法,包括将压电晶圆依次与第一支撑衬底和第二支撑衬底分别进行两次晶圆键合,得到具有刚性结构和抗热变形能力的复合键合结构,抑制所述压电晶圆在离子注入过程中产生的热应力和热变形;

2.一种压电单晶薄膜的制备方法,其特征在于,将如权利要求1所述的改善注入晶圆翘曲的方法应用于压电单晶薄膜的制备;制备步骤依次包括:将压电晶圆与第一支撑衬底键合-离子注入形成损伤层-所述压电晶圆与第二支撑衬底键合-对所述第一支撑衬底施加横向机械外力使所述损伤层发生劈裂,剥离得到所述压电单晶薄膜。

3.根据权利要求2所述的压电单晶薄膜的制备方法,其特征在于,具体步骤包括...

【技术特征摘要】

1.一种改善注入晶圆翘曲的方法,包括将压电晶圆依次与第一支撑衬底和第二支撑衬底分别进行两次晶圆键合,得到具有刚性结构和抗热变形能力的复合键合结构,抑制所述压电晶圆在离子注入过程中产生的热应力和热变形;

2.一种压电单晶薄膜的制备方法,其特征在于,将如权利要求1所述的改善注入晶圆翘曲的方法应用于压电单晶薄膜的制备;制备步骤依次包括:将压电晶圆与第一支撑衬底键合-离子注入形成损伤层-所述压电晶圆与第二支撑衬底键合-对所述第一支撑衬底施加横向机械外力使所述损伤层发生劈裂,剥离得到所述压电单晶薄膜。

3.根据权利要求2所述的压电单晶薄膜的制备方法,其特征在于,具体步骤包括:

4.根据权利要求3所述的压电单晶薄膜的制备方法,其特征在于,所述压电晶圆与所述第一支撑衬底进行第一次晶圆键合,所述第一次晶圆键合采用聚合物键合法和/或直接键合法,获得具有刚性的所述第一键合结构;所述第一键合结构与所述第二支撑衬底进行第二次晶圆键合,所述第二次晶圆键合采用直接键合的...

【专利技术属性】
技术研发人员:潘峰刘培森王瑞钱梦萱
申请(专利权)人:苏州达波新材科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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