一种金属卤化物钙钛矿电极的制备方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种金属卤化物钙钛矿电极的制备方法及其应用，制备方法包含以下步骤：步骤1)：将BSnI<subgt;3</subgt;前驱体溶液旋涂于图案化疏水自组装单分子层衬底上形成图案化金属卤化物钙钛矿薄膜，其中B为能使得BSnI<subgt;3</subgt;形成钙钛矿相的有机或无机阳离子；步骤2)退火，得到具有图案化的金属卤化物钙钛矿电极。本发明专利技术的制备方法，可以通过溶液法实现对电极的大面积、图案化和低成本制备。与此同时，对金属卤化物钙钛矿材料组分的调控可以控制钙钛矿电极的电导率、功函数和电极薄膜质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子器件领域，更具体地，主要涉及一种金属卤化物钙钛矿电极的制备方法及其应用。

技术介绍

1、电极作为现代电子器件的重要组成部分，被广泛应用于场效应晶体管、太阳能电池光探测器以及发光二极管等电子器件领域，引起了大量研究人员的密切关注。然而，在现有工业生产和实验室制备中，电极材料多为金属材料，其在制备过程中通常需要加热、高真空的制备环境，对仪器设备的要求较高，不利于低成本的器件制备。且金属电极在制备过程中，会对器件产生不可避免的损伤，导致电子器件的性能有所降低。

2、针对金属电极的上述缺点，开发一种新型工艺简单、低成本和大面积制备的电极制备方法十分重要。

技术实现思路

1、本专利技术为了避免上述现有技术所存在的不足之处，提供了一种金属卤化物钙钛矿电极的制备方法及其应用，该方法制备的电极，可以通过溶液法实现对电极的大面积、图案化和低成本制备。与此同时，对金属卤化物钙钛矿材料组分的调控可以控制钙钛矿电极的电导率、功函数和电极薄膜质量。

2、本专利技术解决技术问题，采用如下技术方案本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种金属卤化物钙钛矿电极的制备方法，其特征在于，

2.如权利要求1所述一种金属卤化物钙钛矿电极的制备方法，其特征在于，所述B为Cs+，FA+，MA+或CsxFAyMAz+，其中x+y+z＝1；所述FA+为甲脒阳离子，MA+为甲胺阳离子。

3.如权利要求2所述一种金属卤化物钙钛矿电极的制备方法，其特征在于，所述的金属卤化物钙钛矿电极可以通过选择所述CsxFAyMAz+中x，y，z的不同组分，从而获得的不同电导率和功函数的电极。

4.如权利要求1所述一种金属卤化物钙钛矿电极的制备方法，其特征在于，所述的自组装单分子层为十八烷基三氯硅烷或六甲基二硅氮烷在...

【技术特征摘要】

1.一种金属卤化物钙钛矿电极的制备方法，其特征在于，

2.如权利要求1所述一种金属卤化物钙钛矿电极的制备方法，其特征在于，所述b为cs+，fa+，ma+或csxfaymaz+，其中x+y+z＝1；所述fa+为甲脒阳离子，ma+为甲胺阳离子。

3.如权利要求2所述一种金属卤化物钙钛矿电极的制备方法，其特征在于，所述的金属卤化物钙钛矿电极可以通过选择所述csxfaymaz+中x，y，z的不同组分，从而获得的不同电导率和功函数的电极。

4.如权利要求1所述一种金属卤化物钙钛矿电极的制备方法，其特征在于，所述的自组装单分子层为十八烷基三氯硅烷或六甲基二硅氮...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡袁源，陈平安，胡娴，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：