【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及半导体封装和制造该半导体封装的方法，更具体地，涉及具有多个半导体芯片的堆叠结构的半导体封装和制造该半导体封装的方法。
技术介绍
1、为了提高半导体器件的性能和存储容量，可以使用具有堆叠多个半导体芯片的结构的半导体封装。具体地，已经提出了通过连接焊盘将晶片和另一晶片彼此接合并对其进行锯切来形成多个半导体芯片的堆叠结构的方法。然而，存在如下问题：因为通常包括诸如铜之类的金属材料在内的连接焊盘的凹陷发生，所以接合工艺的难度增加。
技术实现思路
1、本专利技术构思提供了一种半导体封装，该半导体封装能够防止具有小型化占用面积的连接焊盘的接合工艺中的缺陷。
2、本专利技术构思提供了一种制造半导体封装的方法，该半导体封装能够防止具有小型化占用面积的连接焊盘的接合工艺中的缺陷。
3、根据本专利技术构思的一个方面，提供了一种半导体封装，包括：第一半导体芯片，包括第一半导体器件；第二半导体芯片，包括第二半导体器件；以及在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的接合结构，该接合结构包括：第一接合焊盘，电连接到第一半导体器件；第一接合绝缘层，围绕第一接合焊盘的侧壁；第二接合焊盘，电连接到第二半导体器件，并且与第一接合焊盘接触；以及第二接合绝缘层，围绕第二接合焊盘的侧壁，并且与第一接合绝缘层接触。第一接合焊盘可以包括：在第一接合绝缘层的第一焊盘开口部中的第一焊盘金属层；以及第一导电阻挡层，围绕第一焊盘金属层的侧壁和底表面，并且设置在第一接合绝缘层与第一焊盘金属层之间，并
4、根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种半导体封装，包括：第一半导体芯片，包括第一半导体器件；第二半导体芯片，包括第二半导体器件；以及在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的接合结构，该接合结构包括：在第一半导体芯片上的第一接合绝缘层；第一接合焊盘，在第一接合绝缘层的第一焊盘开口部中，并且包括第一导电阻挡层和第一焊盘金属层；第二接合绝缘层，在第二半导体芯片上，并且与第一接合绝缘层接触；以及第二接合焊盘，在第二接合绝缘层的第二焊盘开口部中，并且包括第二导电阻挡层和第二焊盘金属层，其中，第二焊盘金属层的上表面与第一焊盘金属层的上表面接触，并且第一导电阻挡层的一部分在第一焊盘金属层的上表面的外边缘上与第二导电阻挡层接触。
5、根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种半导体封装，包括：第一半导体芯片，包括第一半导体器件和多个贯通电极；第二半导体芯片，包括第二半导体器件；在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的接合结构，该接合结构包括：在第一半导体芯片上的第一接合绝缘层；第一接合焊盘，在第一接合绝缘层的第一焊盘开口部中，并且包括第一导电阻挡层和第一焊盘金属层；第二接合绝缘层，在第二半导体芯片上，并且与第一接合绝缘层接触；以及第二接合焊盘，在第二接合绝缘层的第二焊盘开口部中，并且包括第二导电阻挡层和第二焊盘金属层，其中，第二焊盘金属层的上表面与第一焊盘金属层的上表面接触，并且第一导电阻挡层的一部分在第一焊盘金属层的上表面的边缘上与第二导电阻挡层接触；模制层，围绕第一半导体芯片的侧表面；以及连接柱，穿透模制层，并且电连接到第二半导体芯片。
6、根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种制造半导体封装的方法，该方法包括：在第一半导体芯片上形成包括第一焊盘开口部的第一接合绝缘层；在第一接合绝缘层的第一焊盘开口部的内壁上形成第一导电阻挡层；在第一导电阻挡层上形成填充第一焊盘开口部的内部的第一焊盘金属层，第一焊盘金属层包括在比第一接合绝缘层的上表面低的竖直水平处的上表面；以及通过第一平坦化工艺去除第一接合绝缘层的上侧的一部分，使得第一接合绝缘层的上表面在与第一焊盘金属层的上表面相同的竖直水平处，并且形成第一导电阻挡层的在第一焊盘金属层的上表面的边缘上延伸的水平延伸部。
7、根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种制造半导体封装的方法，包括：在第一半导体芯片上形成包括第一焊盘开口部的第一接合绝缘层；在第一接合绝缘层的第一焊盘开口部的内壁上顺序地形成第一导电阻挡层和第一焊盘金属层；形成第一导电阻挡层的在第一焊盘金属层的上表面的边缘上延伸的水平延伸部；设置第二半导体芯片，该第二半导体芯片包括第二接合绝缘层和第二接合焊盘；以及将第一半导体芯片和第二半导体芯片彼此接合，使得第一接合绝缘层与第二接合绝缘层接触，第一焊盘金属层的上表面与第二接合焊盘的上表面接触，并且水平延伸部的至少一部分与第二接合焊盘接触。
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1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一导电阻挡层的所述水平延伸部连续地连接到在所述第一焊盘金属层的所述侧壁上的所述第一导电阻挡层。
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一导电阻挡层的所述水平延伸部在所述第一接合焊盘的上表面的整个边缘上。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一导电阻挡层的所述水平延伸部的面积是所述第一接合焊盘的上表面的面积的10％至50％。
5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二接合焊盘包括：
7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中，
8.根据权利要求6所述的半导体封装，其中，所述第一导电阻挡层的所述水平延伸部不覆盖所述第一焊盘金属层的所述上表面的中心部分。
9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一导电阻挡层在邻近所述第二接合绝缘层的位置处包括突出部，所述突出部远离所述第一焊盘开口部的侧壁向外突出。
10.根据权利要求1所述的半
11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，
12.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：在所述第一接合绝缘层与所述第二接合绝缘层之间的第一界面绝缘层和第二界面绝缘层，
13.根据权利要求12所述的半导体封装，其中，
14.根据权利要求12所述的半导体封装，其中，所述第一导电阻挡层的所述水平延伸部与所述第一界面绝缘层共面。
15.一种半导体封装，包括：
16.根据权利要求15所述的半导体封装，其中，
17.根据权利要求16所述的半导体封装，其中，所述第一导电阻挡层的所述水平延伸部的面积是所述第一接合焊盘的上表面的面积的10％至50％。
18.根据权利要求16所述的半导体封装，其中，
19.一种半导体封装，包括：
20.根据权利要求19所述的半导体封装，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一导电阻挡层的所述水平延伸部连续地连接到在所述第一焊盘金属层的所述侧壁上的所述第一导电阻挡层。
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一导电阻挡层的所述水平延伸部在所述第一接合焊盘的上表面的整个边缘上。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一导电阻挡层的所述水平延伸部的面积是所述第一接合焊盘的上表面的面积的10％至50％。
5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二接合焊盘包括：
7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中，
8.根据权利要求6所述的半导体封装，其中，所述第一导电阻挡层的所述水平延伸部不覆盖所述第一焊盘金属层的所述上表面的中心部分。
9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一导电阻挡层在邻近所述第二接合绝缘层的位置处包括突出部，所述突出...
【专利技术属性】
技术研发人员：金永善，金道玄，金柱贤，金孝恩，徐善京，赵汊济，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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