【技术实现步骤摘要】
本公开涉及封装结构和其制造方法。
技术介绍
1、为了降低接合温度，已在铜(cu)-cu接合中使用纳米线，这被视为实现细间距集成并且替换焊料接合的替代性接合方法。
2、在cu-cu接合中使用纳米线的现有制造工艺中，铝箔直接形成于具有传导性支柱(例如，cu支柱)的表面上。对铝箔执行阳极化操作以制作具有多孔或渗透结构的阳极化铝(aao)样板。使用图案化光致抗蚀剂遮挡aao样板上并不意图形成纳米线的区。随后，执行电沉积操作以填充多孔或渗透aao，因此在传导性支柱上直接形成纳米线。然后，从具有传导性支柱的表面移除光致抗蚀剂和aao样板。
3、然而，这类制造工艺的问题包含例如使用厚铝箔(例如，大于10μm)充当aao样板，其中厚铝箔易于从下伏的衬底剥离。而且，采用强酸(例如，ph<3)进行阳极化工序，这类化学品可能限制其它组件(例如下伏的结构)的操作性能。另外，用以形成小的致密开口的图案化光致抗蚀剂可能进一步减小传导性支柱的直径和间距。此外，在金属(例如，cu)电沉积之后再次使用强酸(例如，ph<3)移除aao样...
【技术保护点】
1.一种封装结构，其包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述复数个电线中的一个具有第一端部和与所述第一端部相对的第二端部，其中所述第一端部嵌入到所述传导性层中，且所述第二端部从所述传导性层暴露。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其另外包括：安置于所述复数个电线中的所述一根电线的所述第一端部上的第一金属间化合物(IMC)层，且所述第一IMC层处于所述复数个电线中的所述一根电线与所述传导性层之间。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其中所述第一IMC层与所述传导性元件彼此间隔开一距离。
5.根据权利要求3所述的封...
【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述复数个电线中的一个具有第一端部和与所述第一端部相对的第二端部，其中所述第一端部嵌入到所述传导性层中，且所述第二端部从所述传导性层暴露。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其另外包括：安置于所述复数个电线中的所述一根电线的所述第一端部上的第一金属间化合物(imc)层，且所述第一imc层处于所述复数个电线中的所述一根电线与所述传导性层之间。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其中所述第一imc层与所述传导性元件彼此间隔开一距离。
5.根据权利要求3所述的封装结构，其另外包括：安置于所述传导性元件与所述传导性层之间的第二imc层，其中所述传导性层安置于所述第一imc层与所述第二imc层之间。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述复数个电线中的每一根均具有嵌入到所述传导性层中的第一端部，且所述复数个电线的所述第一端部中的每一个与所述传导性元件之间的相应距离是不同的。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述复数个电线中的每一根均具有嵌入到所述传导性层中的第一端部，且所述第一端部彼此大体平行。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述传导性层的熔点低于所述复数个电线的熔点。
9.根据权利要求8所述的封装结构，其另外包括：安置于所述复数个电线与所述传导...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐安萱，高金利，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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