光接收装置、X射线成像装置和电子设备制造方法及图纸

本公开的实施例的光接收装置包括：半导体基板，其具有多个光接收元件以矩阵形式二维布置的光接收区域以及设置在其周围的周边区域；第一的第一导电型区域，其在光接收区域中针对每个光接收元件设置在半导体基板的第一面的界面处，并连接到第一电极；第二的第一导电型区域，其在第一面的界面处设置在针对每个光接收元件设置的各第一的第一型区域的周围，并连接到第二电极；第三的第一导电型区域，其在第一面的界面处设置在针对每个光接收元件设置的各第二的第一型区域的周围，并处于电气浮动状态；第四的第一导电型区域，其在周边区域中在光接收区域周围设置在半导体基板的第一面的界面处，并处于电气浮动状态；以及第一的第二导电型区域，其嵌入地形成在半导体基板中，并面对第二的第一导电型区域、第三的第一导电型区域和第四的第一导电型区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及例如适合于医疗应用或无损检查的x射线摄影的光接收装置、x射线成像装置和电子设备。

技术介绍

1、固态成像装置用于各种应用，其包括诸如数码相机或摄像机等成像装置、诸如具有成像功能的移动终端设备等电子设备或检测除可见光以外的各种波长的电磁波传感器。固态成像装置的示例包括具有针对每个像素的放大元件的aps(active pixel sensor：有源像素传感器)；cmos(complementary mos：互补mos)图像传感器(cis)已被广泛使用，该cmos图像传感器通过mos(metal oxide semiconductor：金属氧化物半导体)晶体管读取累积在作为光电转换元件的光电二极管中的信号电荷。

2、作为需要高灵敏度测量的科学用途的传感器，已经使用了具有集成有光电转换区域和浮动扩散区域(floating diffusion：fd)的结构的光接收元件(pin光电二极管)(例如，参见专利文献1)。这种光接收元件易于以简单的结构制造。另外，可以将任何电位差施加到形成光电转换区域的p-n结。这使得能够容易地增加光电转换区域的厚度。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光接收装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的光接收装置，其中，在所述光接收区域和所述周边区域之间的边界位置处，设置在所述光接收区域的最外周处的所述光接收元件中的所述第三的第一导电型区域和所述第一的第二导电型区域以及设置在所述周边区域中的所述第四的第一导电型区域和所述第一的第二导电型区域在剖视图中具有镜像对称性。

3.根据权利要求1所述的光接收装置，其还包括第五的第一导电型区域，所述第五的第一导电型区域在所述周边区域中隔着所述第四的第一导电型区域设置在所述光接收区域的周围，所述第五的第一导电型区域接收固定电位的施加。

4.根据权利要求1所述的光...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种光接收装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的光接收装置，其中，在所述光接收区域和所述周边区域之间的边界位置处，设置在所述光接收区域的最外周处的所述光接收元件中的所述第三的第一导电型区域和所述第一的第二导电型区域以及设置在所述周边区域中的所述第四的第一导电型区域和所述第一的第二导电型区域在剖视图中具有镜像对称性。

3.根据权利要求1所述的光接收装置，其还包括第五的第一导电型区域，所述第五的第一导电型区域在所述周边区域中隔着所述第四的第一导电型区域设置在所述光接收区域的周围，所述第五的第一导电型区域接收固定电位的施加。

4.根据权利要求1所述的光接收装置，其中，在所述周边区域中面向所述第四的第一导电型区域的所述第一的第二导电型区域具有比设置在所述光接收区域中的所述第一的第二导电型区域更高的杂质浓度。

5.根据权利要求1所述的光接收装置，其中，

6.根据权利要求1所述的光接收装置，其中，

7.根据权利要求6所述的光接收装置，其中，设置在多个所述第四的第一导电型区域之间的所述第二的第二导电型区域具有比设置在多个所述第三的第一导电型区域之间的所述第二的第二导电型区域更高的杂质浓度。

8.根据权利要求6所述的光接收装置，其中，设置在多个所述第四的第一导电型区域之间的所述第二的第二导电型区域的宽度比设置在多个所述第三的第一导电型区域之间的所述第二的第二导电型区域的宽度更宽。

9.根据权利要求1所述的光接收装置，其还包括第...

【专利技术属性】
技术研发人员：石渡宏明，荒井千広，岩田晃，初井宇记，河村隆宏，太田和伸，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：