【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造的，尤其涉及一种提高激光标记区域清晰度的方法。
技术介绍
1、在半导体
，电弧缺陷一直是难以解决的问题，尤其在绝缘介质刻蚀，如通孔刻蚀，钝化层刻蚀工艺中。电弧缺陷对产品的影响是致命的，可以直接造成产品的报废，同时这种缺陷在发生瞬间会因为急剧的物理反应产生大量的颗粒，导致器件被污染，从而降低机台的利用效率。
2、据统计发现，据大多数的电弧缺陷均发生在晶圆缺口方向的激光标记结构上，很明显电弧缺陷与激光标记的结构设计紧密相关，为符合工艺要求，大部分制程在后段都要预留足够大面积的铝结构，目的是为了激光刻号时可以清晰的标识晶圆批号和片号。然而，一方面随着晶圆尺寸不断地增大，由于晶圆直径更大，晶圆边缘均匀性控制要求更高，因此边缘金属残留更容易形成，大面积的铝结构不仅会使边缘残留更多的金属铝从等离子体中吸附电荷并堆积，当电荷累计达到一定数量的情况下将建立局部电场导致电容击穿引发电弧缺陷,同时还会由于该区域的金属铝薄层会完整的保留下来，导致与周围的薄层结构不同出现台阶高度和激光标记清晰度降低的情况。
3、针对局部电场导致电容击穿引发电弧缺陷：目前已有部分半导体蚀刻设备厂商通过优化刻蚀设备聚焦环部件，增加上下电极之间的间距，确保等离子体分布更加均匀，提升了大部分产品半导体刻蚀工艺电弧窗口。
4、然而，上述设备的改动对于超高压隔离电容这一特殊产品却仍然不能很好的避免电弧缺陷的发生。由于超高压隔离电容产品在设计时为了保证其承受高电压的特性，因此在通过循环增加有很厚的钝化绝缘层和氮氧化硅，约
5、另外，针对台阶高度和激光标记清晰度降低的情况：可通过特殊的机台的晶片边缘暴露来去除激光标记 区的顶部金属金属层以达到消除台阶高度和激光标记清晰度降低的情况。
6、然而，上述是通过特殊的机台的晶片边缘暴露功能来实现的，然而这种机台的设置无法实现通过生产调整除去光阻区域的大小，而且晶片边缘暴露功能精度较低，除去光刻胶时会有残留，导致激光标记清晰度降低。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的在于：提供一种提高激光标记区域清晰度的方法，改善了在钝化层刻蚀后出现电弧缺陷现象以及激光标记区域不清晰的情况，提升有效芯片的数量。
2、为达上述目的，本申请采用以下技术方案：
3、一方面，提供一种提高激光标记区域清晰度的方法，包括以下步骤：
4、提供晶圆，在所述晶圆的表面涂覆光刻胶；
5、将掩膜上的图形投影到所述晶圆表面的光刻胶上实现曝光；
6、在激光标记区域添加无掩膜图形使得激光标记区域全部曝光；
7、用显影液溶解曝光区域。
8、进一步地，无掩膜图形在所述晶圆表面的投影面积大于或等于激光标记区域的面积。
9、进一步地，激光标记区域的宽度为x，高度为y，其中27mm≤x≤29mm，7mm≤y≤9mm。
10、进一步地，激光标记区域的宽度为28mm，高度为8mm。
11、进一步地，在激光标记区域实现全部曝光过程中，在激光标记区域上添加两个无掩膜图形覆盖激光标记区域。
12、进一步地，无掩膜图形的宽度为25mm，高度为8mm。
13、进一步地，激光标记区域预设在所述晶圆表面的边缘区域。
14、进一步地，在完成显影工序后，采用金属干法刻蚀去掉激光标记区域的金属层。
15、进一步地，通过激光在所述晶圆表面的最高金属层镭射形成激光标记。
16、进一步地，在完成显影工序后，再依次进行刻蚀、涂层、金属填充和抛光工序，重复上述步骤后可进行封装。
17、本申请的有益效果为：在正常曝光显影的光刻工艺中激光标记区域添加无掩膜图形，该无掩膜图形能够完整覆盖激光标记区域，从而使得激光标记区域完全曝光，激光标记区域的光刻胶的性质发生改变，在显影过程中能够达到完全消除激光标记区域光刻胶的目的，由于激光标记区域没有了光刻胶的阻挡，在后续的金属干法刻蚀过程中，激光标记区域的金属层会被刻蚀掉，从而降低电弧缺陷的发生率，同时可以防止激光标记区域由于顶部金属层铝结构过厚导致台阶高度和清晰度降低的情况，改善了产品的缺陷状态，提高了工艺过程中的稳定性；此外，除了针对激光标记区域完全曝光之外，其他区域正常曝光，保证有效芯片的数量满足生产需求。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种提高激光标记区域清晰度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的提高激光标记区域清晰度的方法，其特征在于，无掩膜图形在所述晶圆表面的投影面积大于或等于激光标记区域的面积。
3.根据权利要求2所述的提高激光标记区域清晰度的方法，其特征在于，激光标记区域的宽度为X，高度为Y，其中27mm≤X≤29mm，7mm≤Y≤9mm。
4.根据权利要求3所述的提高激光标记区域清晰度的方法，其特征在于，激光标记区域的宽度为28mm，高度为8mm。
5.根据权利要求4所述的提高激光标记区域清晰度的方法，其特征在于，在激光标记区域实现全部曝光过程中，在激光标记区域上添加两个无掩膜图形覆盖激光标记区域。
6.根据权利要求5所述的提高激光标记区域清晰度的方法，其特征在于，无掩膜图形的宽度为25mm，高度为8mm。
7.根据权利要求1-6任一项所述的提高激光标记区域清晰度的方法，其特征在于，激光标记区域预设在所述晶圆表面的边缘区域。
8.根据权利要求1-6任一项所述的提高激光标记区域清晰度的方法，其
9.根据权利要求1-6任一项所述的提高激光标记区域清晰度的方法，其特征在于，通过激光在所述晶圆表面的最高金属层镭射形成激光标记。
10.根据权利要求1-6任一项所述的提高激光标记区域清晰度的方法，其特征在于，在完成显影工序后，再依次进行刻蚀、涂层、金属填充和抛光工序，重复上述步骤后可进行封装。
...【技术特征摘要】
1.一种提高激光标记区域清晰度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的提高激光标记区域清晰度的方法，其特征在于，无掩膜图形在所述晶圆表面的投影面积大于或等于激光标记区域的面积。
3.根据权利要求2所述的提高激光标记区域清晰度的方法，其特征在于，激光标记区域的宽度为x，高度为y，其中27mm≤x≤29mm，7mm≤y≤9mm。
4.根据权利要求3所述的提高激光标记区域清晰度的方法，其特征在于，激光标记区域的宽度为28mm，高度为8mm。
5.根据权利要求4所述的提高激光标记区域清晰度的方法，其特征在于，在激光标记区域实现全部曝光过程中，在激光标记区域上添加两个无掩膜图形覆盖激光标记区域。
6.根据权利要求5...
【专利技术属性】
技术研发人员：王帅，梁振浪，文浩，刘志成，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。